
- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
Прохождение электронов и ионов через вещество
Развитие систем генерации мощных пучков электронов и ионов создало уникальную возможность получения новых видов воздействия концентрированных потоков энергии на материалы. Процессы, сопровождающие взаимодействие концентрированных потоков энергии с веществом, могут использоваться для решения большого числа научных и технологических задач, в том числе: модификация прочностных, триботехнических, антикоррозийных свойств металлов и сплавов, синтез новых композиционных материалов, включающих метастабильные фазы и соединения; получение тонких пленок и покрытий. Детально области применения концентрированных потоков энергии рассмотрены в монографиях [1–3], а также в библиографии к ним.
Для того чтобы выбрать наиболее эффективный режим обработки поверхности изделий, очень важно знать следующие зависимости: распределение поглощенной дозы по глубине проникновения в образец, распределение внедренной примеси; распределение и перераспределение различных дефектов кристаллической решетки, а также распределение других величин, влияющих на прочностные свойства поверхности. Также необходимо знать зависимости перечисленных величин от характеристик облучаемого пучка (таких как кинетическая энергия заряженных частиц, плотность тока, время облучения и т.д.) и от характеристик обрабатываемого вещества (температура, плотность, теплопроводность и т.д.).
Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
Когда электроны
определенной энергии проходят через
слой вещества, их энергия уменьшается,
а энергетический спектр размывается и
становится несимметричным. Следовательно,
точно определить потери энергии
невозможно, рассчитываются лишь средние
потери энергии
.
Для относительно малых начальных энергий электрона средняя энергия, затраченная на ионизацию и возбуждение электронной подсистемы на 1 см пути, определяется выражением:
(1.2)
где
- концентрация атомов в решетке,
-
атомный номер,
-
потенциал взаимодействия, значения
которого представлены в таблице1.
Таблица 1
Потенциал
взаимодействия
для расчета поглощенной дозы
|
Li |
Be |
Al |
Fe |
Cu |
Ag |
Sn |
W |
Pb |
, Эв |
34 |
60,4 |
150 |
24,1 |
279 |
422 |
472 |
680 |
737 |
1/z |
11,3 |
15,1 |
11,5 |
9,4 |
9,6 |
9,0 |
9,4 |
9,2 |
9,0 |
В релятивистской области
(1.2)
где
-
плотность,
-
отношение скорости электрона к скорости
света,
атомная
масса.
При замедлении электронов в кулоновском поле ядер возникает тормозное излучение. Средняя энергия на 1 см пути составляет
.
Потери энергии увеличиваются с ростом атомного номера:
(1.2)
Энергетические
потери на излучение и столкновения
становятся равными при
[1].
Однако, при торможении частиц не слишком высокой энергии потери энергии на ионизацию в индивидуальных столкновениях происходят преимущественно малыми порциями. Поэтому траектории близки друг к другу и мало отличаются от некоторой средней, которая соответствует непрерывному среднему замедлению. Эта модель позволяет делать шаги по энергии, а флуктуации в потерях энергии могут быть выражены через флуктуации в пробегах на каждом шаге [2].
Рис. 1. Поглощенная доза в железе в зависимости от энергии электронов.
На рисунке 2, в качестве примера, изображены графики поглощенной дозы в V, Cr 3
Рис. 2. Поглощенная доза в Cr и V при облучении пучком электронов с энергией Е=2,7 МэВ.