- •Изучение, исследование и моделирование процесса контактной и проекционной фотолитографии при формировании конфигурации элементов электронно-оптических устройств. Цель работы:
- •1.Введение
- •2. Контактная фотолитография
- •3. Проекционная фотолитография
- •4. Особенности процесса контактной фотолитографии
- •4.1.Фоторезисты
- •4.1.1 Параметры фр
- •4.1.2.Способы нанесения фр
- •4.2 Фотошаблоны
- •4.3.Технологический процесс контактной фотолитографии
- •5.3.2. Нанесение фоторезиста
- •5.3.8. Контроль качества травления
- •5.3.9. Снятие фоторезистивной маски
- •5.3.10. Контроль качества фотолитографии
- •6. Моделирование процесса фл
- •7. Содержание отчета
- •8. Контрольные вопросы
- •Литература
4. Особенности процесса контактной фотолитографии
В общем случае при контактной литографии на поверхность слоя (металлического, полупроводникового, диэлектрического) наносят фоторезист и высушивают его.
На фоточувствительный слой накладывают фотошаблон. Производят совмещение рисунка на фотошаблоне с рисунком на подложке. Под действием излучения фоторезист изменяет свою структуру. После проявления на поверхности образуется защитная пленка, повторяющая рисунок фотошаблона. При травлении незащищенные фоторезистом области вытравливаются и на подложке создается рисунок требуемой конфигурации.
Предельная разрешающая способность фотолитографии определяется дифракционным критерием Рэлея, и соответствующая ей минимальная ширина линии равна:
L мин = 0.61 λ/n sin a/2,
где
a – апертурный угол выхода;
n – показатель преломления света среды;
λ – длина волны экспонирующего света.
Поскольку в реальных случаях n=1,sin a /2 = 0,95 и λ = 400 нм , то L мин = 0,25 мкм.
Предельная разрешающая способность оптической фотолитографии (контактной проекционной) составляет 0,25 мкм .
4.1.Фоторезисты
Фоторезисты(ФР)-сложные полимерные композиции. Фоторезисты, растворимость экспонированного участка которых уменьшается , называются негативными (ФН),а ФР,
растворимость которых после облучения возрастает ,-позитивными (ФП).
После обработки экспонированного ФР в составе , удаляющем растворимые участки (проявителе), образуется рельефное изображение (рис.1).
Рис 1. Образование рельефа при использовании негативного и позитивного ФР.
Основу образования рельефного изображения составляют :
фотополимеризация с образованием нерастворимых участков (для ФН )
склеивание линейных полимеров радикалами (для ФН ) ;
фотолиз (разрушение ) светочувствительных соединений с образованием растворимых веществ (для ФП ) .
При использовании ФН полученный рисунок представляет собой негативное изображение оригинала ,а при использовании ФП рисунок оригинала в точности повторяется на поверхности пластины .
4.1.1 Параметры фр
Светочувствительность –величина , обратная экспозиции , требуемой для
перевода ФР в растворимое или нерастворимое состояние (экспозиция определяется экспериментально и зависит от толщины пленки ФР ).
Разрешающая способность – максимальное число линий одинаковый ширины , которое можно получить в ФР на 1 мм.
Для получения изображений размером 3-5 мкм необходимо использовать фоторезисты с разрешающей способностью не хуже 1000-1500 линий на мм .
Разрешающая способность R и ширина линий L связаны между собой соотношением
R=1000/2L
Под шириной линии L и разрешающей способностью R следует понимать значения ,которые могут быть получены на проявленном фоторезисте .
Стойкость к воздействию агрессивных факторов – величина пропорциональная времени отслаивания пленки в используемом травителе , оно должно быть по крайней мере на порядок выше времени проявления .
Стабильность эксплуатационных свойств – определяется временем службы ФР при определенных условиях хранения и использования.
