Тема 2.5 Резистори

Лекція 9. Резистори постійного та змінного опору. Класифікація. Основні характеристики та схеми заміщення. Ряди номінальних значень опору і ряди допусків. Конструктивні типи резисторів різного призначення (навісні, для друкованого монтажу, надвисокочастотні та інші.).

4(154,155); 5(37-103); 6(128-140); 7(110-132)

Завдання на СРС: Резистори для гібридних та інтегральних мікросхем. 17(111-114)

Тема 2.6 Котушки індуктивності.

Лекція 10. Основні властивості котушок індуктивності. Класифікація. Характеристики котушок індуктивності. Типи намоток. Високочастотні котушки індуктивності. Їх призначення та конструкції. Схеми заміщення. Варіометри. Друковані котушки індуктивності. Гіратори.

4(148-151); 5(202-232); 6(119-128); 7(153-169)

Завдання на СРС: Котушки індуктивності для ГІС 7(116-117)

Лекція 11. Загальні властивості дроселів та трансформаторів. Магнітні осердя. Обмотки трансформаторів та дроселів. Характеристики параметрів дроселів та трансформаторів. Конструкції НЧ та ВЧ дроселів та трансформаторів. Особливості роботи на підвищених (високих) частотах. Трансформатори сумісні з інтегральними мікросхемами.

4(155-158); 5(504-564); 6(314-347); 7(170-173)

Завдання на СРС: Імпульсний трансформатор. 4(155-158)

Тема 2.7 Контактні та комутаційні пристрої

Лекція 12. Класифікація контактних та комутаційних пристроїв. Схеми заміщення, основні параметри і характеристики. Перемикачі. Реле. З’єднувачі. Контактні та комутаційні пристрої мікрозбірок та мікроблоків.

4(151-154); 7(173-181)

Завдання на СРС: Комутаційні пристрої. 4(151-154)

Тема 2.8 Друковані плати

Лекція 13. Друковані плати та їх класифікація. Матеріали друкованих плат. Основні характеристики та параметри матеріалів. Конструкція друкованих плат. Особливості друкованих плат НВЧ діапазону. Односторонні та двосторонні друковані плати персональних комп’ютерів та іншої сучасної електронної техніки. CMD – компоненти та технологія.

26(39-44, 193-206)

Завдання на СРС: Комутаційна плата. 4(270)

Розділ 3. Напівпровідникові матеріали

Тема 3.1 Фізичні основи напівпровідників

Лекція 14. Основні матеріали НП приладів. Типи кристалічних решіток. Основи зонної теорії. носії зарядів у власних та домішкових НП. Основні та неосновні носії зарядів. Генерація та рекомбінація вільних носіїв заряду. Види генерацій та рекомбінацій. Рівноважний та нерівноважений стани НП.

1(180-207); 2(29-37); 3(13-24)

Завдання на СРС: Умова електронейтральності НП.

Тема 3.2 Концентрація носіїв заряду в нп

Лекція 15. Концентрація носіїв заряду у власному та домішковому НП. Рівень Фермі для власного та домішкового НП. Залежність рівня Фермі від температури та концентрації домішок. Рівень Фермі електротехнічний потенціал.

1(207-223); 2(33-37); 3(13-24)

Завдання на СРС: Умова термодинамічної рівноваги.

Тема 3.3 Струми в напівпровіднику

Лекція 16. Дрейфовий струм носіїв заряду, рухливість носіїв, залежність рухливості від температури, концентрації домішок, напруженості електричного поля. Густина дрейфового струму. Електропровідність НП.

1(214-223); 2(38-42); 3(29-43)

Завдання на СРС: Залежність електропровідності НП від температури і концентрації домішок.

Лекція 17. Дифузійний струм. Дифузійний рух часток, коефіцієнт дифузії, дифузійна довжина. Рівняння дифузії та його зв'язок. Рівняння повного струму.

1(214-223); 2(38-42); 3(29-43)

Завдання на СРС: Рівняння неперервності.