1. Курс "Электротехника и электроника"
ВОПРОС N 1. По Вашему мнению, удельное электрическое сопротивление полупроводников при
комнатной температуре составляет: (См. рисунок №1 в графическом приложении)
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. первый;
2. второй;
3. третий.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 2. По Вашему мнению, удельное электрическое сопротивление проводников при комнатной
температуре составляет: (См. рисунок №1 в графическом приложении)
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. Первый;
2. второй;
3. третий.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 3. По Вашему мнению, удельное электрическое сопротивление диэлектриков при комнатной
температуре составляет: (См. рисунок №1 в графическом приложении)
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. Первый;
2. второй;
3. третий.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 4. По Вашему мнению, при нагреве удельное сопротивление проводников:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. увеличивается;
2. уменьшается;
3. не изменяется.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 5. По Вашему мнению, при нагреве удельное сопротивление полупроводников:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. Увеличивается;
2. уменьшается;
3. не изменяется.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 6. По Вашему мнению, удельное сопротивление полупроводников при температуре близкой
к абсолютному нулю приближается к:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. удельному сопротивлению диэлектриков;
2. удельному сопротивлению проводников.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 7. По Вашему мнению, добавление примеси в чистый металл приводит к тому, что удельное
сопротивление сплава:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. увеличивается;
2. уменьшается;
3. не изменяется.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 8. По Вашему мнению, добавление примеси в полупроводник приводит к тому, что его
удельное сопротивление:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. увеличивается;
2. уменьшается;
3. не изменяется.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 9. По Вашему мнению, влияние внешнего электрического поля на полупроводник приводит к
тому, что его удельное сопротивление:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. изменяется;
2. не изменяется.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 10. По Вашему мнению, облучение светом полупроводника приводит к тому, что его
удельное сопротивление:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. изменяется;
2. не изменяется.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 11. Как Вы считаете, полупроводниковые материалы представляют собой:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 1
Вариантов ответов:
1. твердую кристаллическую структуру;
2. жидкость;
3. газ.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 12. Как Вы считаете, какой из перечисленных материалов не применяется при
изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. кальций
2. кремний;
3. германий;
4. арсенид галлия;
5. селен.
Вариантов ответов: 5
ВОПРОС N 13. По Вашему мнению, электропроводность полупроводников обусловлена:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. валентными электронами;
2. отрицательно заряженными ионами;
3. положительно заряженными ионами.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 14. На рисунке №2 представлена энергетическая диаграмма полупроводника. По Вашему
мнению, зона проводимости находится:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. в первой области;
2. во второй области;
3. в третьей области.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 15. На рисунке №2 представлена энергетическая диаграмма полупроводника. По Вашему
мнению, запрещенная зона находится:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. в первой области;
2. во второй области;
3. в третьей области.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 16. На рисунке №2 представлена энергетическая диаграмма полупроводника. По Вашему
мнению, валентная зона находится:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. в первой области;
2. во второй области;
3. в третьей области.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 17. На рисунке №3 представлены значения ширины запрещенной зоны для германия и
кремния. Выберите правильный вариант.
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. первый вариант;
2. второй вариант.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 18. По Вашему мнению, для перевода электрона в зону проводимости в полупроводнике
необходимо:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. сообщить электрону дополнительную энергию равную или превышающую энергию запрещенной зоны;
2. отнять у электрона энергию равную или превышающую энергию запрещенной зоны;
3. уменьшить ширину запрещенной зоны.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 19. Как Вы считаете, может - ли повышение температуры окружающей среды перевести
электрон в зону проводимости в полупроводнике?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. да, может;
2. нет, не может.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 20. По Вашему мнению, дыркой проводимости называют:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. энергетический уровень в зоне проводимости;
2. энергетический уровень в валентной зоне;
3. энергетический уровень в запрещенной зоне.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 21. По Вашему мнению, тепловая генерация пар - это:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. процесс образования электрон - дырка.
2. процесс образования электрон - электрон.
3. процесс образования дырка - дырка.
4. процесс образования ион - дырка.
5. процесс образования ион - электрон.
Вариантов ответов: 5
ВОПРОС N 22. По Вашему мнению, в полупроводнике дырка ведет себя как:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. частица с отрицательным зарядом.
2. частица с положительным зарядом.
3. нейтральная частица.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 23. По Вашему мнению, в полупроводнике процесс исчезновения электрона и дырки
называют:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. рекомбинацией.
2. генерацией.
3. модуляцией.
4. дешифрацией.
5. аппроксимацией.
Вариантов ответов: 5
ВОПРОС N 24. На рисунке №4 представлена формула определения плотности полного тока в
полупроводнике. По Вашему мнению, правильным вариантом является:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. номер 1.
2. номер 2.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 25. По Вашему мнению, собственная электропроводность полупроводника - это:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. генерация, перемещение и рекомбинация пар электрон - дырка.
2. перемещение только электронов в материале полупроводника.
3. перемещение только дырок в материале полупроводника.
4. перемещение положительно заряженных ионов в материале полупроводника.
5. перемещение отрицательно заряженных ионов в материале полупроводника.
Вариантов ответов: 5
ВОПРОС N 26. По Вашему мнению, дырочная электропроводность обусловлена:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. перемещением в полупроводнике только электронов.
2. перемещением в полупроводнике только дырок.
3. перемещением в полупроводнике электронов и дырок.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 27. По Вашему мнению, электропроводность полупроводников с примесями:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. выше электропроводности чистых полупроводников.
2. ниже электропроводности чистых полупроводников.
3. равна электропроводности чистых полупроводников.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 28. По Вашему мнению, примесь в полупроводнике, способную отдавать электроны
называют:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. донорной.
2. акцепторной.
3. нейтральной.
4. активной.
5. пассивной.
Вариантов ответов: 5
ВОПРОС N 29. По Вашему мнению электропроводностью n - типа обладают полупроводники:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. с электронной электропроводностью.
2. с дырочной электропроводностью.
3. с ионной электропроводностью.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 30. По Вашему мнению основными носителями заряда в полупроводнике n - типа являются:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. электроны.
2. дырки.
3. ионы.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 31. По Вашему мнению, примесь в полупроводнике, приводящую к образованию
избыточного числа дырок называют:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. донорной.
2. акцепторной.
3. нейтральной.
4. активной.
5. пассивной.
Вариантов ответов: 5
ВОПРОС N 32. По Вашему мнению, электропроводностью p - типа обладают полупроводники:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. с электронной электропроводностью.
2. с дырочной электропроводностью.
3. с ионной электропроводностью.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 33. По Вашему мнению, основными носителями заряда в полупроводнике p - типа являются:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. электроны.
2. дырки.
3. ионы.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 34. Вашему мнению полупроводниковый диод представляет собой:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. двухслойный полупроводник с р- и n- типом электропроводности.
2. трёхслойный полупроводник с р-n-p типом электропроводности.
3. трехслойный полупроводник с n-p-n типом электропроводности.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 35. По Вашему мнению акцепторная примесь обладает:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 5
Вариантов ответов:
1. электропроводностью р-типа.
2. электропроводностью n-типа.
3. электропроводностью не обладает.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 36. По Вашему мнению p-n переход представляет собой:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. пограничную область между слоями полупроводника с электронной и дырочной электропроводностью.
2. область между электрическим выводом и p - слоем полупроводника.
3. область между электрическим выводом и n - слоем полупроводника.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 37. Как вы считаете, р-n-переход:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. проводит электрический ток преимущественно в одном направлении.
2. проводит электрический ток одинаково в обоих направлениях.
3. не проводит электрический ток.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 38. По Вашему мнению, дырки в n-области являются:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 4
Вариантов ответов:
1. основными носителями зарядов.
2. не основными носителями зарядов.
3. не являются носителями зарядов.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 39. По Вашему мнению справедливо - ли соотношение pn=const для p- и n- областей диода:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. да.
2. нет.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 40. По Вашему мнению потенциальный барьер на границе p-n перехода образуется за счет:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 4
Вариантов ответов:
1. диффузии электронов и дырок в смежные области.
2. за счет химических реакций на границе p-n областей.
3. за счет приложенного внешнего напряжения к p-n областям.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 41. Как Вы считаете, можно - ли изменять диффузию электронов и дырок через p-n переход
внешним напряжением источника постоянного тока, приложенным к p- и n- областям?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. да, можно.
2. нет, нельзя.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 42. По Вашему мнению обратный ток p-n перехода вызван:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. неосновными носителями зарядов.
2. основными носителями зарядов.
3. электронами.
4. дырками.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 43. Зависит - ли ширина p-n перехода от внешнего напряжения, приложенного к границам p-
и n- областей?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 44. Движению каких носителей из p-полупроводника в n-полупроводник не препятствует
двойной электрический слой на границе двух полупроводников?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 7
Вариантов ответов:
1. Дырок.
2. Электронов.
3. Положительных ионов.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 45. По Вашему мнению зависит - ли барьерная емкость перехода от величины и знака
напряжения на переходе?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 46. По вашему мнению, вольтамперная характеристика p-n перехода это:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. 1. зависимость тока, протекающего через переход, от приложенного к нему напряжения.
2. зависимость напряжения, приложенного к переходу, от протекающего через него тока.
3. зависимость сопротивления перехода от протекающего через него тока.
4. зависимость емкости перехода от протекающего через него тока.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 47. Зависит - ли величина прямого тока через p-n переход от разности концентраций
основных носителей на границе области и равновесной концентрации?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 48. На рисунке №5 представлена зависимость прямого тока через переход от напряжения
на переходе. По Вашему мнению коэффициенты Dp и Dn характеризуют:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 5
Вариантов ответов:
1. скорость диффузии дырок и электронов.
2. концентрацию дырок и электронов.
3. скорость диффузии положительных и отрицательных ионов.
4. концентрацию положительных и отрицательных ионов.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 49. На рисунке №5 представлена зависимость прямого тока через переход от напряжения
на переходе. Зависит - ли величина прямого тока через p-n переход от Dp и Dn?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 50. На рисунке №5 представлена зависимость прямого тока через переход от напряжения
на переходе. Как вы считаете, зависит - ли прямой ток от Lp и Ln?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 51. На рисунке №5 представлена зависимость прямого тока через переход от напряжения
на переходе. По Вашему мнению S - это:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 5
Вариантов ответов:
1. площадь р-n-перехода.
2. расстояние пройденное основными носителями через p и n области полупроводников.
3. скорость основных носителей.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 52. На рисунке №6 представлена вольтамперная характеристика p-n перехода (сплошная
кривая), полупроводникового диода (пунктирная кривая). В какой области находится прямая ветвь
вольтамперной характеристики?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. В первой.
2. Во второй.
3. В третьей.
4. В четвертой.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 53. На рисунке №6 представлена вольтамперная характеристика p-n перехода (сплошная
кривая), полупроводникового диода (пунктирная кривая). В какой области находится обратная ветвь
вольтамперной характеристики?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. В первой.
2. Во второй.
3. В третьей.
4. В четвертой.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 54. Как вы считаете приводит - ли термогенерация носителей в области р-n перехода к
увеличению обратного тока?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, приводит.
2. Нет, не приводит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 55. По Вашему мнению повышении температуры окружающей среды приводит:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 5
Вариантов ответов:
1. к увеличению как обратных, так и прямых токов при неизменном напряжении на р-n-переходе.
2. к уменьшению как обратных, так и прямых токов при неизменном напряжении на р-n-переходе.
3. к увеличению обратных и уменьшению прямых токов при неизменном напряжении на р-n-переходе.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 56. Является - ли эффект ударной ионизации причиной разрушения p-n перехода при
повышенном обратном напряжении?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, является.
2. Нет не является.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 57. Зависят - ли прямой и обратный токи от типа и размера диода?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависят.
2. Нет, не зависят.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 58. По Вашему мнению, среднее значение падения напряжения в прямом направлении при
наибольшем выпрямленном токе у диода составляет:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 5
Вариантов ответов:
1. 0,5—1В.
2. 2-5В.
3. 10-50В.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 59. На рисунке №7 представлено условное обозначение диода. По Вашему мнению анод
находится:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. слева.
2. справа.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 60. На рисунке №8 представлены условные обозначения полупроводниковых приборов. По
Вашему мнению, диод находится под номером:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. один.
2. два.
3. три.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 61. Что произойдет с полупроводниковым диодом, если к нему приложить большое прямое
напряжение порядка нескольких десятков вольт?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. Произойдет электрический пробой и разрушение p-n перехода.
2. Диод сохранит работоспособность.
3. Произойдет перегрев и разрушение диода.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 62. По Вашему мнению, контактная разность потенциалов (потенциальный барьер) в диоде
создается за счет:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. двойного электрического слоя в области p-n перехода.
2. прямого напряжения, приложенного к p-n переходу.
3. обратного напряжения, приложенного к p-n переходу.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 63. На рисунке №9 представлено уравнение определения потенциального барьера p-n
перехода. По Вашему мнению правильным уравнением является:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 7
Вариантов ответов:
1. первое.
2. второе.
3. третье.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 64. На рисунке №10 представлена зависимость между прямым током и приложенным к p-n
переходу прямым напряжением. По Вашему мнению, правильное уравнение:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 7
Вариантов ответов:
1. первое.
2. второе.
3. третье.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 65. На рисунке №11 представлена схема включения диодов. По Вашему мнению, такое
включение позволяет увеличить:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. напряжение приложенное к цепи диодов.
2. ток проходящий через диоды.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 66. На рисунке №12 представлена схема включения диодов. По Вашему мнению, такое
включение позволяет увеличить:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 4
Вариантов ответов:
1. напряжение, приложенное к диодам.
2. ток, протекающий через соединения диодов.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 67. По Вашему мнению, основным параметром высокочастотных диодов является:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 4
Вариантов ответов:
1. статическая емкость.
2. дифференциальное сопротивление.
3. максимальное обратное напряжение.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 68. На рисунке №13 представлена формула определения барьерной емкости p-n перехода
высокочастотного диода. По Вашему мнению правильной является формула:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 7
Вариантов ответов:
1. первая.
2. вторая.
3. третья.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 69. По Вашему мнению, инерционность диода на высоких частотах приводит к тому, что:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 4
Вариантов ответов:
1. прямой и обратный токи становятся соизмеримыми.
2. прямой ток из за барьерной емкости уменьшается.
3. обратный ток из за барьерной емкости уменьшается.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 70. По Вашему мнению, радиус точечного контакта у СВЧ - диодов равен:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. 2...3 мкм.
2. 1...2 мм.
3. 10...20 мм.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 71. По Вашему мнению, стабилитрон предназначен для:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. стабилизации уровня постоянного напряжения.
2. стабилизации постоянного тока.
3. стабилизации переменного тока.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 72. На рисунке №14 представлены условное обозначение и два варианта включения
стабилитрона. По Вашему мнению, правильное включение стабилитрона должно осуществляться по
варианту:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. первому.
2. второму.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 73. На рисунке №15 представлена типовая схема включения стабилитрона. По Вашему
мнению, резистор R1 предназначен для:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. ограничения тока, протекающего через стабилитрон VD1.
2. снижения напряжения, приложенного к стабилитрону VD1.
3. снижения мощности, выделяемой на нагрузочном сопротивлении Rн.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 74. На рисунке №16 представлена типовая вольтамперная характеристика стабилитрона. В
какой области находится рабочая зона стабилитрона?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. В первой.
2. Во второй.
3. В третьей.
4. В четвертой.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 75. По Вашему мнению, напряжение стабилизации стабилитрона зависит от:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 5
Вариантов ответов:
1. степени легирования кремния примесью.
2. площади p-n перехода.
3. от величины тока, протекающего через стабилитрон.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 76. По Вашему мнению стабисторы предназначены для:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. стабилизации низковольтного напряжения 0,3...1В.
2. стабилизации высоковольтного напряжения 50...100В
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 77. По Вашему мнению, можно - ли использовать прямую вольтамперную характеристику
диодов для стабилизации низковольтного напряжения?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, можно.
2. Нет, нельзя.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 78. По Вашему мнению, зависит - ли напряжение стабилизации стабилитрона от
температуры?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 79. По Вашему мнению, зависит - ли сопротивление стабилитрона от тока, протекающего
через него?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 80. По Вашему мнению, зависит - ли напряжение стабилизации стабилитрона от толщины p-n
перехода?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 81. По Вашему мнению, фотодиод - это полупроводниковый прибор в котором используется:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. явление внутреннего фотоэффекта.
2. явление внутреннего термоэффекта.
3. явление светового излучения.
4. явление электромагнитного излучения.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 82. На рисунке №17 имеется условное обозначение фотодиода. По Вашему мнению,
фотодиод изображен под номером:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. один.
2. два.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 83. По Вашему мнению, в фотодиоде под действием энергии светового излучения
происходит:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. ионизация атомов.
2. химическая реакция полупроводника с примесями.
3. увеличение расстояния между атомами кристаллической решётки полупроводника.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 84. По Вашему мнению, может - ли фотодиод вырабатывать ЭДС под действием энергии
светового излучения?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. Да, может.
2. Нет, не может.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 85. По Вашему мнению, зависит - ли фототок фотодиода от длины светового излучения?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. Да, зависит.
2. Нет, не зависит.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 86. По Вашему мнению, можно - ли использовать фотодиод для выпрямления напряжения
переменного тока?
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. Да, можно.
2. Не, нельзя.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 87. По Вашему мнению, светодиод - это полупроводниковый прибор, предназначенный для:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. преобразования энергии электрического поля в оптическое излучение.
2. преобразования энергии магнитного поля в оптическое излучение.
3. преобразования тепловой энергии в оптическое излучение.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 88. На рисунке №17 имеется условное обозначение светодиода. По Вашему мнению,
светодиод изображен под номером:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. один.
2. два.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 89. По Вашему мнению, световое излучение в с светодиодах образуется за счет:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике.
2. химической реакции примесей и полупроводника.
3. нагрева полупроводника.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 90. По Вашему мнению, цвет свечения светодиода зависит от:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. материала полупроводника.
2. силы тока, протекающего через светодиод.
3. напряжения, приложенного к светодиоду.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 91. По Вашему мнению, светодиоды имеют КПД:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. выше, чем у ламп накаливания.
2. ниже, чем у ламп накаливания.
3. такой же, как у ламп накаливания.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 92. По Вашему мнению, в обозначении полупроводникового прибора "КС147А" буква "К"
означает:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. материал полупроводника.
2. группа диода.
3. разновидность диода данного типа.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 93. По Вашему мнению, в обозначении полупроводникового прибора "КД510А" буква "Д"
означает:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. материал полупроводника.
2. группа диода.
3. разновидность диода данного типа.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 94. По Вашему мнению, светодиоды в оптронах применяются в качестве:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. источников излучения.
2. приемников излучения.
3. генератора сигналов.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 95. По Вашему мнению, для импульсных диодов не является основным параметр:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 4
Вариантов ответов:
1. время установления прямого сопротивления.
2. время восстановления обратного сопротивления.
3. предельная частота.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 96. По Вашему мнению, биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с;
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. тремя слоями полупроводников.
2. двумя слоями полупроводников.
3. четырьмя слоями полупроводников.
4. одним слоем полупроводника.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 97. По Вашему мнению в транзисторе имеется:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. один p-n переход.
2. два p-n перехода.
3. три p-n перехода.
4. четыре p-n перехода.
Вариантов ответов: 4
ВОПРОС N 98. По Вашему мнению транзисторы p-n-p структуры отличаются от транзисторов n-p-n
структуры:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов:
1. характером электропроводности внешних слоев.
2. конструкцией и размерами.
3. электрическими характеристиками.
Вариантов ответов: 3
ВОПРОС N 99. На рисунке №18 представлены условные обозначения биполярных транзисторов. По
Вашему мнению транзистор n-p-n структуры находится под номером:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. один.
2. два.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 100. На рисунке №18 представлены условные обозначения биполярных транзисторов. По
Вашему мнению транзистор p-n-p структуры находится под номером:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 2
Вариантов ответов:
1. один.
2. два.
Вариантов ответов: 2
ВОПРОС N 101. На рисунке №19 представлены три варианта обозначения выводов n-p-n транзисторов.
По Вашему мнению правильный вариант:
Тип вопроса: 1. Выбор единственно правильного ответа
Цена вопроса (баллов): 3
Вариантов ответов: