8

**!!№ Стр Задания для портфолио (файл необходимо распечатать)

1. Приведите в портфолио к155ру2 как пример микросхемы памяти (микросхемы зу)

1.1. УГО (функциональное обозначение) микросхемы

1.2. Расшифровка всех обозначений

1.3. Изображение микросхемы в виде таблицы

1.4. Форматы адреса и данных

Обозначения

RAM – Random Access Memory, ЗУПВ, ОЗУ (энергозависимая память),

16×4 – организация ОЗУ (16 четырехразрядных слов)

A – Adress, адрес,

DI – Data Input, входные данные,

DO – Data Output, выходные данные; выходы с открытым коллектором (ОК),

CS (Chip Select) или СЕ (Chip Enable) разрешает или запре­щает работу микросхемы;

#W/R (#Write/Read) задает выполняемую операцию: при единичном зна­чении – чтение, при нулевом – запись.

Формат адреса (ячейки, слова) памяти для микросхемы К155РУ2

a3	a2	a1	a0
~	~	~	~

Формат данных (формат слова) памяти для микросхемы к155ру2 Разряды слова

d3	d2	d1	d0
~	~	~	~

(a_i– разряды адреса, d_i– разряды слова)

Изображение микросхемы памяти в виде таблицы

Адрес ячейки (слова)					Содержимое ячейки (слова)
hex	bin
	a3	a2	a1	a0	d3	d2	d1	d0
0	0	0	0	0	~	~	~	~
1	0	0	0	1	~	~	~	~
2	0	0	1	0	~	~	~	~
…	…	…	…	…	…	…	…	…
E	1	1	1	0	~	~	~	~
F	1	1	1	1	~	~	~	~

Зависимость между числом адресных входов микросхемы и числом ячеек

Кол-во адресных входов микросхемы, или разрядность адреса микросхемы памяти, a = 4,

кол-во ячеек памяти N равно

N = 2^a = 2⁴ = 16

a = log₂N = log₂16 = log₂2⁴ = 4

2. Нарисуйте УГО микросхемы памяти с заданным вариантом организации при общей емкости 64 бит (64 = 64×1 = 32×2 = 16×4 = 8×8 = 4×16 = 2×32 = 1×64). Изобразите заданную микросхему памяти в виде таблицы. Выполните задания пунктов 1.1-1.4.

Вариант	1	2	3	4	5	6	7
Организация микросхемы памяти	64×1	32×2	16×4	8×8	4×16	2×32	1×64

3. а) Увеличьте количество слов в микросхеме п.2 в 4 раза. Выполните задания пунктов 1.1-1.4.

3. б) Увеличьте разрядность слова микросхемы п.2 в 4 раза. Выполните задания пунктов 1.1-1.4.

4. Нарисуйте УГО микросхем памяти, соответствующих карточкам 3.2 и 3.3 (структуры 2D), 3.4 (структура 3D). Карточки приведены ниже.

5. а) Постройте триггерное кольцо из двух стандартных элементов ТТЛ (варианты 1, 2, 3: 2И-НЕ, 3И-НЕ, 4И-НЕ):

5.1. Нарисуйте схему, используя УГО заданных элементов.

5.2. Нарисуйте схему, используя принципиальную схему заданного элемента ТТЛ (то есть, с точностью до радиоэлементов).

5.3. Подсчитайте количество радиоэлементов в таком триггере.

5.4. Нарисуйте принципиальную схему экономичного элемента памяти на биполярных транзисторах. Подсчитайте количество радиоэлементов в нем.

б) Нарисуйте принципиальную схему элемента динамической памяти.