
- •Основні правила оформлення роботи………………………………..52
- •Технічне завдання Частина і.
- •Частина іі.
- •Частина і. Розробка принципової схеми та розрахунок параметрів електронного пристрою з блоком живлення. Завдання і-1
- •Завдання і-2
- •Завдання 1-3.
- •Завдання і-4
- •Завдання і-5
- •Завдання і-6
- •Завдання і-7.
- •Завдання і-8
- •Завдання іі-1
- •Вхідні данні:
- •Завдання іі-2.
- •Вхідні данні:
- •1. Вибір розміру колекторного струму насичення
- •2. Розрахунок колекторного резистора
- •3. Розрахунок резистора в ланцюзі бази
- •4. Визначення часу вмикання і вимикання ключа
- •Завдання іі-3.
- •Завдання іі-4
- •Завдання іі-5
- •1. Розробка двійкового сумуючого чотири розрядного лічильника на d-тригерах.
- •Завдання іі-6
- •1. Розробка двійкового віднімаючого чотири розрядного лічильника на d-тригерах.
- •Література
- •Основні правила оформлення роботи Правила оформлення текстової частини
- •1. Курсова робота має бути оформлена згідно з дсту 3008 – 95.
Одеська національна академія зв’язку
ім. О.С. Попова
Вінницький навчально-науковий-виробничий центр
Методичні вказівки
до курсової роботи
з курсу «Основи схемотехніки»
НА ТЕМУ:
«Розрахунок пристроїв РЕА»
Винниця 2010
Зміст
Вступ………………………………………………………………………………….3
Технічне завдання……………………………………………………………………4
Частина І. Розробка принципової схеми та розрахунок параметрів електронного пристрою з блоком живлення……………………………………………………….5
Завдання І-1…………………………………………………………………………..5
Завдання І-2………………………………………………………………………….10
Завдання І-3………………………………………………………………………….15
Завдання І-4………………………………………………………………………….19
Завдання І-5………………………………………………………………………….22
Завдання І-6………………………………………………………………………….25
Завдання І-7………………………………………………………………………….28
Завдання І-8………………………………………………………………………….32
Частина ІІ. Розробка електричної схеми імпульсного пристрою………………...33
Завдання ІІ-1…………………………………………………………………………33
Завдання ІІ-2…………………………………………………………………………36
Завдання ІІ-3…………………………………………………………………………41
Завдання ІІ-4…………………………………………………………………………46
Завдання ІІ-5…………………………………………………………………………49
Завдання ІІ-6…………………………………………………………………………50
ЛІТЕРАТУРА ……………………………………………………………………….51
Основні правила оформлення роботи………………………………..52
Зразок титульної сторінки…………………………………………………………..54
Вступ
Мета курсової роботи – закріплення теоретичного матеріалу з дисципліни, набуття практичних навичок виконання електричного розрахунку базових електронних схем.
Курсове проектування базується на знання студентом таких дисциплін як «Фізика» , «Теорія електричних кіл», а також на вивчені курсу «Основи електроніки».
Курсова робота складається з двох частин.
В першій частині необхідно п о заданій структурній схемі пристрою вибрати принципову електричну схему і розрахувати номінальне значення елементів цієї схеми по вхідних параметрах.
В другій частині курсової роботи студенту пропонується по індивідуальному завдані розрахувати параметри схеми різних пристроїв РЕА.
Технічне завдання Частина і.
По заданій структурній схемі (див. Рис.1) розробити принципову електричну схему електронного пристрою (ЕП) і розрахувати її параметри.
ЕП
Вх Вих
БЖ
Uм = ~220 В
ƒм = 50 Гц
m = 2
Межі зміни напруги мережі ам = вм = 10%.
Припустимі установчі відхилення ∆Uн = ± 1В.
Рис. 1.
Частина іі.
Розрахувати параметри електричної схеми імпульсного пристрою.
Частина і. Розробка принципової схеми та розрахунок параметрів електронного пристрою з блоком живлення. Завдання і-1
Розрахувати
параметри підсилювального каскаду на
біполярному транзисторі який має
коефіцієнт підсилення Кп в діапазоні
частот
послідуючим параметрам: напруга живлення
Еж, опір навантаження Rн,
внутрішній опір джерела живлення Rж
та ін. (дані по кожному варіанту наведені
в таблиці І-1).
Методика розрахунку:
В якості підсилювального каскаду виберемо схему з загальним емітером яка показана на рис.І-1.1
Rф Cф Еж
R1 Rк
C2
Uвх C1 Rн
R2 Rе Cе
Рис.І-1.1.
Розрахунок
починаємо з вибору типу транзистора.
Вибір транзистора проведемо по параметрам
та
По отриманим даним вибираємо транзистор ___*___. З справочника виписуємо данні на цій транзистор:
Uкбмах = ; Ікмах = ; ƒh21б = ;
h21е = ; Ікб0 = ; t0max = ;
* - транзистор або діод вибирається індивідуально по кожному варіанту завдання.
І б, мкА Ік, мА
Рис. І-1.2. Приклад вхідної (а) та вихідної (б) статичної характеристики транзистора.
Далі проведемо розрахунок підсилювального каскаду на постійному струмі. За умовою симетрії робочої точки потенціал на колекторі виберемо як половину напруги живлення, тобто Uk = 0,5 Еж. Будемо вважати, що потенціал емітера та падіння напруги на опорі фільтра однакові та дорівнюють: UЕ = URф = 0,1· Еж, (В). Тоді UКЕ = URк = 0,4 · Еж, (В).
Виберемо струм бази ІБ (мкА) та на вихідній статичній характеристиці транзистора побудуємо динамічну характеристику за постійним струмом. Робоча точка транзистора за постійним струмом може знаходитись тільки на динамічній характеристиці.
Визначимо параметри транзистора в робочій точці:
Ік (мА); UБЕ (В); ІЕ: = ІБ + ІК (мА); h21E = ІК / ІБ.
Розрахуємо опори резисторів в колах колектора та емітера:
,
Для того, щоб розрахувати подільник в колі бази, необхідно задатися струмом подільника, який вибирають в межах (5 ÷ 10) · ІБ для підвищення стабільності роботи схеми. Виберемо Іп = 10 · ІБ (мА), тоді:
За вхідною та вихідною характеристиками транзистора визначимо вхідний і вихідний опори транзистора та його крутизну:
,
Якщо статичні характеристики транзистора невідомі, можна користуватися наближеною формулою S = (20 ÷ 40) · Ік.
На цьому розрахунок підсилювального каскаду на постійному струмі можна вважати закінченим та переходити до розрахунків на змінному струмі.
Коефіцієнт підсилення в діапазоні середніх частот визначається таким чином:
Далі необхідно визначити ємності розділових конденсаторів СР1 і та СР2 за умови, що частотні спотворення на нижній частоті робочого діапазону Fн(Гц) не перевищують 3 дБ. Але спочатку необхідно визначити еквівалентні вхідний та вихідний опори підсилювального каскаду, а тільки потім - ємності розділових конденсаторів:
Для того, щоб перевірити, чи не будуть частотні спотворення на верхній часто-перевищувати 3 дБ, знайдемо сталу часу на верхній частоті робочого діапазону:
Ск (пФ) - ємність колекторного переходу транзистора;
См - (5-15) пФ - ємність монтажу.
Перевіримо, чи буде виконуватись умова Мв ≤ ЗдБ для верхньої частоти робочого діапазону:
задовольняє вихідні дані.
Ємність конденсатора в колі емітера визначається таким співвідношенням:
ємність фільтра Сф (блокувального конденсатора) визначають виходячи з внутрішнього опору джерела живлення:
Таким чином, розраховано номінали елементів підсилювального каскаду, які небхідно забезпечити для реалізації заданих технічних вимог.
Далі, з урахуванням параметрів розрахованого підсилювача, вибираємо схему блока живлення і проводимо розрахунок її параметрів **.
** - для розрахунку параметрів блока живлення можна скористатися методикою, приведеною в розділі І-7.
Таблиця І-1.
Вхідні данні:
№ |
Т-т |
Еж ,В |
kп.вих, % |
Кп |
ƒн, Гц |
ƒв, кГц |
Rн, кОм |
Rдж, Ом |
1 |
Ст. |
30 |
1,5 |
60 |
15 |
150 |
1,5 |
100 |
2 |
Ст. |
6 |
1,3 |
30 |
15 |
150 |
3,3 |
110 |
3 |
Ст. |
8 |
1,8 |
40 |
15 |
150 |
2,4 |
120 |
4 |
Ст. |
12 |
1,6 |
50 |
20 |
200 |
1,3 |
150 |
5 |
Ст. |
9 |
1,4 |
70 |
20 |
200 |
1,2 |
200 |
6 |
Ст. |
15 |
1,8 |
80 |
25 |
220 |
1,0 |
250 |
7 |
Ст. |
20 |
2,0 |
35 |
25 |
220 |
3,6 |
300 |
8 |
Ст. |
10 |
2,2 |
45 |
25 |
220 |
2,0 |
350 |
9 |
Ст. |
24 |
1,9 |
25 |
20 |
200 |
4,7 |
400 |
10 |
Бр. |
20 |
1,7 |
45 |
20 |
200 |
2,2 |
100 |
11 |
Бр. |
16 |
2,5 |
20 |
20 |
200 |
4,0 |
110 |
12 |
Бр. |
35 |
1,6 |
50 |
15 |
150 |
2,0 |
150 |
13 |
Бр. |
18 |
2,2 |
75 |
25 |
220 |
1,2 |
200 |
14 |
Бр. |
25 |
3,0 |
40 |
25 |
220 |
3,6 |
250 |
15 |
Бр. |
22 |
2,8 |
30 |
200 |
200 |
4,0 |
300 |
Ст. – Стержньовий тип трансформатора;
Бр. – Броньовий тип трансформатора;
Uі, В – амплітуда генеруючого імпульсу;
Кп вих., % - коефіцієнт пульсації;
Rн, кОм – опір навантаження;