Ход эксперимента.

1. Снять входную характеристику транзисторов.

Для этого необходимо нажать кнопку «ВКЛ», выставить регуляторов «Ибэ» напряжение на базе и снять показания микроамперметра. Затем отпустить клавишу «ВКЛ» и записать показания. Для построения кривой необходимо произвести вышеуказанные измерения 8 раз.

Напряжение «ИКэ» на коллекторе в режиме «1» равно 0 вольт.

Построить кривую для режима «2», нажав кнопку «1-2».

Для режима «2»: Икэ = 5 В для КТ3107; Икэ = 8 В для КТ814.

Координаты точек необходимо занести в таблицу.

2. Снять выходную характеристику транзисторов.

Для снятия выходной вольтамперной характеристики необходимо нажать кнопку «вх./вых.». Снять показания приборов, нажав кнопку «ВКЛ» и задавая различные значения Икэ регулятором «ИКэ».

Ток базы: 1б для режима «1» – 2 мА; 1б для режима «2» – 3 мА.

Пределы измерения приборов во время снятия:

• входной вольтамперной характеристики: [мА] 0 – 1000 мкА, [V] 0 – 2,4 В.

• выходной вольтамперной характеристики: [мА] 0 – 500 мА, [V] 0 – 12 В.

Для получения хороших результатов необходимо производить вычисления быстро и аккуратно, построение графиков выполнить на миллиметровой бумаге.

Uк
Iк

Uэ
Iэ

3. Контрольные вопросы.

1. Объяснить принцип действия транзистора (рис. 2).

2. Рассказать о распределении токов в транзисторе (рис. 3).

3. Объяснить вольтамперные характеристики транзисторов (уравнения 2).

4. Нарисовать ВАХ (рис. 5, рис. 6).

4. Литература.

1. А. Э. Юнович, В. В. Остробродова. «Спецпрактикум по физике полупроводников». Часть 2. Изд. МГУ, 1976.

2. Е. Робертсон. «Современная физика в прикладных науках». Изд. Мир, 1985.