3. Контрольные вопросы.
1.
Объясните явление возникновения
фотогальванического эффекта при
освещении p-n-перехода.
Чем ограничено максимальное значение
фото-Э.Д.С. у фотоэлемента?
2.
Выведете основное уравнение фотоэлемента.
3.
Какая зависимость фото-Э.Д.С. от величины
освещённости?
4.
Назовите основные материалы, из которых
изготавливаются полупроводниковые
фотоэлементы, и области применения
фотоэлементов.
4. Литература.
1. Г.А.
Пикус “Основы теории полупроводниковых
приборов”. “Наука”, 1965. §§34,35.
2.
“Полупроводники в науке и технике”.
Изд. АН СССР. Т.1, гл 6, §1, т.2, гл.16, §2, п.1-5,
§ 3, п.1-4.
3. С.М.
Рывкин “Фотоэлектрические явления в
полупроводниках”. ФМ, 1963. §§ 69-72.
4. И.В.
Савельев. “Курс общей физики в пяти
книгах”. М. Астрель. А.С.Т., 2003.
