
- •Министерство образования и науки российской федерации
- •Физические теории пластичности
- •Оглавление
- •Основные обозначения
- •Сокращения
- •Введение
- •Подход к построению определяющих соотношений с использованием внутренних переменных
- •Структура конститутивной модели с внутренними переменными
- •О многоуровневых моделях
- •Вопросы к «Введению»
- •Глава 1. Основные понятия и определения
- •1.1. О геометрической нелинейности и независимых от выбора системы отсчета тензорзначных характеристиках
- •1.2. Классический и обобщенные континуумы
- •Вопросы к главе 1
- •Глава 2. Механизмы неупругого деформирования
- •2.1. О дислокационных механизмах неупругого деформирования
- •2.2 Взаимодействия дислокаций с дислокациями и точечными дефектами
- •2.3 Деформирование монокристалла двойникованием
- •2.4. Закон Шмида
- •2.5. Механизмы и модели деформационного упрочнения
- •Вопросы к главе 2
- •Глава 3. Кинематика неупругого деформирования
- •3.1. Уравнение Орована
- •3.2. Моды неупругого деформирования монокристаллов
- •3.3. Статистически накопленные и геометрически необходимые дислокации, изгибы–кручения решетки
- •3.4 Ротационные моды деформирования, модели ротации
- •Вопросы к главе 3
- •Глава 4. Жесткопластические модели
- •4.1. Модель Закса
- •4.2. Модель Тейлора
- •4.3. Модель Бишопа-Хилла
- •Вопросы к главе 4
- •Глава 5. Упругопластические модели
- •5.1. Модель Линя
- •5.2. Направления развития упругопластических моделей
- •Вопросы к главе 5
- •Глава 6. Вязкоупругие и вязкопластические модели
- •Вопросы к главе 6
- •Глава 7. Упруговязкопластические модели
- •7.1 Анализ упруговязкопластических моделей [64, 114]
- •7.2. Краткий обзор работ по упруговязкопластическим моделям
- •Вопросы к главе 7
- •Глава 8. Структура и алгоритмы реализации многоуровневых моделей
- •8.1. Наиболее распространенная схема построения многоуровневых моделей, их структура и классификация
- •8.2. Согласование определяющих соотношений масштабных уровней и конкретизация независящей от выбора системы отсчета производной
- •8.3. Классификация внутренних переменных и уравнений конститутивной модели на примере двухуровневой упруговязкопластической модели
- •8.4. Модель поворотов кристаллической решетки, учитывающая взаимодействие элементов мезоуровня
- •8.5. Алгоритм реализации двухуровневой упруговязкопластической модели
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
3.2. Моды неупругого деформирования монокристаллов
Скольжение
Основным механизмом неупругого деформирования монокристаллов в физических теориях пластичности считается движение краевых дислокаций. Конечно, наряду с краевыми дислокациями в реальных моно- и поликристаллических телах наличествуют и винтовые дислокации, и множество других дефектов. То, что именно движущиеся дислокации являются основным источником появления необратимых деформаций – факт, подтвержденный огромным количеством экспериментов. Включение в рассмотрение только краевых дислокаций обусловлено отчасти сложившейся в ФТП традицией; кроме того, как известно [27], винтовые дислокации имеют бόльшую энергию активации и меньшую плотность по сравнению с краевыми дислокациями.
В кристаллических телах плоскости
залегания и ориентация векторов Бюргерса,
вдоль которых осуществляется трансляционное
движение (скольжение) краевых дислокаций,
известны; ими являются наиболее плотно
упакованные плоскости и направления.
Так, в ГЦК – металлах скольжение краевых
дислокаций осуществляется в плоскостях
системы 111
по направлениям 110,
соединяющим ближайшие в плоскости
наиплотнейшей упаковки атомы (иначе
говоря, в системе скольжения {111}, <110>),
итого – 12 систем скольжения (СС). При
повышенных температурах в некоторых
ГЦК кристаллах (например, в алюминии)
наблюдается скольжение по трем плоскостям
системы {100} по двум направлениям <110>.
В ОЦК – решетке трансляционное движение
краевых дислокаций осуществляется в
плоскостях {110}, {112} или {123} по направлениям
<111>; каждому из 4-х направлений <111>
соответствуют по три плоскости скольжения
из систем плоскостей {110}, {112} и шесть
плоскостей скольжения из системы {123},
так что полное число СС достигает 48 (см.
рис. 3.2.1-3.2.4). В ГПУ металлах скольжение
имеет место по базисным плоскостям
{0001} в направлении
,
плоскости
по направлению
;
возможно также скольжение в так называемых
призматических плоскостях
(см. рис. 3.2.5). Обозначив через а длину
ребра кубической решетки, нетрудно
установить, что векторы Бюргерса в ГЦК
решетки суть векторы а/2<110>
(модуль вектора Бюргерса
),
в ОЦК – а/2 <111> (модуль –
),
в ГПУ –
(модуль – а; для ГПУ а – длина
стороны правильного шестиугольника в
базисной плоскости). Полный перечень
систем скольжения ля ГПУ–кристаллов
приведен в таблице 3.2.1, в которую включены
также системы двойникования (СД).
Таблица 3.2.1
Системы скольжения (СС) и двойникования (СД) ГПУ — кристаллов
Механизм деформации |
Плоскость |
Направление |
Количество систем |
Базисное скольжение
|
|
|
3 |
Призматическое скольжение |
|
|
3 |
Пирамидальное скольжение
|
|
|
12 |
Двойники сжатия |
|
|
6 |
Двойники растяжения |
|
|
6 |
Рис. 3.2.1. Система плоскостей скольжения {110} и соответствующие им направления <111> (ОЦК‑решетка)
Рис. 3.2.2. Система плоскостей скольжения {112} и соответствующие им направления <111> (ОЦК‑решетка)
Рис. 3.2.3. Система плоскостей скольжения {123} и соответствующие им направления <111> (ОЦК‑решетка)
Рис. 3.2.4. Система плоскостей скольжения {123} и соответствующие им направления <111> (ОЦК‑решетка)
Рис.
3.2.5. Кристаллографические плоскости в
ГПУ-структуре [56]: GHIJKL
– базисная плоскость
,
ABHG
– призматическая плоскость
,
GHM
– пирамидальная плоскость
,
GHN
– пирамидальная плоскость
,
GIM
– пирамидальная плоскость
,
GIN
– пирамидальная плоскость
Напомним, что условием активации k-й
СС является достижение касательного
напряжения в ней некоторого критического
напряжения
:
где
– ориентационный тензор k-ой
системы скольжения; чаще в литературе
в качестве ориентационного тензора
k-ой
системы используется симметричная
часть диадного произведения:
.
Нетрудно видеть, что ориентационный тензор является девиатором.
Следует отметить, что замена диады
на симметризованный ориентационный
тензор
не имеет корректного физического
обоснования. Действительно, такая замена
означает, что при активизации реально
существующей в кристалле k-ой
СС
активируется также другая СС с нормалью
и направлением скольжения
,
которая в реальном кристалле может
отсутствовать, в чем нетрудно убедиться,
например, для ГЦК кристаллов. Тем не
менее, в известных авторам работах
симметризация используется всегда.
Как представляется, данное
обстоятельство связано с трудностями
применения несимметричных мер
деформированного и напряженного
состояния, прежде всего – с
отсутствием экспериментальных данных
о (несимметричных) компонентах тензора
упругих характеристик.
Заметим, что в некоторых работах указанная
симметризация осуществляется неявным
образом, т.е. в законе Шмида и выражении
неупругой составляющей тензора деформации
скорости применяется несимметричный
ориентационный тензор, но затем
используется симметричный (по индексам
первой и второй пар) тензор упругих
характеристик с
в законе Гука.
Условие , как отмечено выше, обычно называется законом Шмида, устанавливающим момент начала неупругого деформирования при достижении в системе скольжения критического значения касательного напряжения. При реализации в одной системе скольжения говорят об одиночном скольжении; если кристалл подвергается нагружению, при котором дислокации начинают скользить в двух или более системах, то говорят о двойном или множественном скольжении. При наличии К активных систем скольжения (т.е. СС, для которых удовлетворяется закон Шмида ) в произвольный момент деформирования девиатор пластической составляющей тензора деформации скорости определяется соотношением:
,
,
где
– скорость сдвига в k-ой
СС.
Переползание
Как было отмечено выше, краевые дислокации могут испытывать локальные смещения в плоскости скольжения в направлении вектора Бюргерса, такое движения называется скольжением (или – консервативным движением) краевых дислокаций. Однако, возможно смещение дислокации перпендикулярно вектору Бюргерса в соседнюю плоскость скольжения. При таком движении необходимо устранить ряд атомов, образующих край экстраплоскости. Это может произойти путем диффузии этих атомов в междоузлия или вакансий на эти места [56]. Такой процесс получил название переползания (неконсервативного движения) дислокаций и его осуществление в значительной степени обусловлено термической активацией.
Заметим, что в случае винтовой дислокации «лишней» полуплоскости атомов нет, поэтому она может свободно скользить по любой плоскости, которая содержит линию дислокации и вектор Бюргерса.
В общем случае скольжения и переползания краевых и движения винтовых дислокаций выражения для девиатора деформаций скорости имеет вид [30]:
,
где – тензор (третьего ранга) Леви–Чивита,
N – тензор третьего ранга, определяемый соотношением:
.
В последнем соотношении f(b, l, r) – функция распределения дислокаций в точке r по параметрам b и l, где l – единичный вектор, направленный вдоль линии дислокации (для винтовой дислокации совпадает с направлением вектора Бюргерса; для краевой дислокации векторы l, b, n составляют правую тройку), v – скорость движения дислокации.
Двойникование
Другим механизмом неупругого деформирования является двойникование. Отметим, что двойникование может не вносить большого вклада в неупругую деформацию, но играет весьма важную роль в процессе скольжения краевых дислокаций – основного механизма неупругого деформирования. Процесс двойникования будет рассматриваться подобно скольжению краевых дислокаций. Используя две конфигурации кристаллита: отсчетную конфигурацию (монокристалл находится в недеформированном состоянии, двойники отсутствуют) и актуальную (в монокристалле появляются несколько двойниковых прослоек), можно показать, что осредненный (по кристаллиту) градиент места, описывающий формоизменение двойникованием, имеет следующий вид:
,
где E – единичный
тензор; btw
– направление сдвига двойника; ntw
– нормаль к плоскости двойникования;
f – безразмерная
величина, равная отношению объемов
двойниковых прослоек, в которых произошел
сдвиг, к объему всего кристаллита
(объемная доля двойников);
– величина постоянного сдвига двойника.
Полагая, что двойникование происходит
непрерывно,
существует и конечно, осредненный
градиент скорости перемещений
двойникования для монокристалла в
разгруженной конфигурации можно записать
в виде [142]:
.
Таким образом, двойникование может
рассматриваться как «псевдоскольжение»
со скоростью «двойникового» сдвига
и ориентационным тензором
.
Для каждой k-ой системы
двойникования введем обозначение
симметричного ориентационного тензора
t(k)
в актуальной конфигурации:
Неупругую составляющую тензора деформации скорости, связанную с двойникованием, можно записать в виде, аналогичном :
Условием активации k-ой
системы двойникования является достижение
касательного напряжения в ней некоторого
критического напряжения
,
условие записывается в виде, аналогичном
закону Шмида (3.1.1):
,
Приведенные соотношение позволяют включить двойникование в физические теории пластичности наряду с деформированием скольжением дислокаций.