3. Содержание отчета:

1. схемы измерений;

2. таблицы и графики снятых зависимостей;

3. результаты расчетов;

4. выводы по результатам эксперимента.

4. Варианты заданий:

№ Варианта	Транзистор	№ Варианта	Транзистор
1	2N1711	13	2N3019
2	2N2102	14	2N3020
3	2N2218	15	2N3390
4	2N2219	16	2N3391
5	2N2221	17	2N3392
6	2N2222	18	2N3393
7	2N2369	19	2N3393
8	2N2712	20	2N3414
9	2N2714	21	2N3415
10	2N2923	22	2N3416
11	2N2924	23	2N3417
12	2N2925	24	2N3439

5. Контрольные вопросы:

1.Назначение элементов усилителя на биполярном транзисторе.

4.Как перевести транзистор из усилительного режима в ключевой?

5.Как зависит полоса пропускания усилителя от величины резистора в коллекторной цепи?

6.Охарактеризуйте режимы работы биполярного транзистора.

7.Изменится ли полоса пропускания усилителя при изменении сопротивления нагрузки?

8. Как определяются h параметры по характеристикам транзистора

9. Чем ограничивается быстродействие транзистора в ключевом режиме?

Лабораторная работа №2. Исследование интегральных схем транзистор-транзисторной логики

Цель работы: Изучить электрические параметры интегральных схем транзистор-транзисторной логики.

1. Подготовка к лабораторной работе.

Основное внимание следует уделить физическому смыслу и методам измерений основных электрических параметров логических микросхем, а также схемотехническим особенностям ТТЛ-схем. Статические параметры могут быть определены с помощью графиков передаточной (рис. 2.1.) и входной (рис. 2.2) характеристик.

Сначала по графику передаточной характеристики (рис.2.1.) определяют уровень логического нуля U° и уровень логической единицы (точки А и В определяются пересечением характеристики с ее зеркальным отражением), а затем с помощью графика (рис.2.2) входные токи и .

Рис.2.1

Рис.2.2

С помощью графика (рис.4.1.) определяют статическую помехоустойчивость ИМС. , (Напомним, что в точках С и D касательная проходит под углом 45°).

Быстродействие микросхем определяет среднее время задержки распространения сигнала

,

где - времена задержки переднего и заднего фронтов импульса, измеряемые на уровне 0,5 от амплитуды импульса.

Экономичность микросхемы характеризует средняя потребляемая мощность (в состояниях ноль и единица)

.

Интегральное качество микросхемы определяет синтетический параметр работа переключения

В лабораторной работе используется микросхема К155ЛАЗ (зарубежный аналог в Multisim 10 7400N) , в состав которой входят 4 схемы 2И- НЕ.

2. Задание на выполнение лабораторной работы.

2.1. Снять передаточную и входную характеристики микросхемы.

2.1.1. Собрать в Multisim 10 схему рис.2.3,используя любую из четырех схем 2И-НЕ микросхемы 7400N.

На один из входов ИМС подать входное напряжение, а второй (не используемый) подключить к “плюсу" источника питания. Изменяя входное напряжение Е1 в интервале 0...5 В снять входную и передаточную характеристики. Результаты измерений внесите в таблицу.

Рис. 2.3

2.1.2. Измерьте ток, потребляемый от источника питания при и . (Для уровней и использованы паспортные данные).

2.2. Измерить нагрузочную способность микросхемы.

Использовать схему исследования из предыдущего пункта. Подать на вход ИМС паспортное значение напряжения логического нуля . Подключая к выходу ИМС сопротивления нагрузки , 1кОм, 470 Ом, 100 Ом, снимите нагрузочную выходную характеристику .

2.3. Исследовать быстродействие логической микросхемы.

Собрать в Multisim 10 схему рис.2.4.

Четыре микросхемы включены последовательно, чтобы увеличить время задержки для облегчения измерений (не забудьте полученный результат разделить на четыре).

Рис. 2.4

Ко входу (точки А) и выходу (точки В) подключить осциллограф. Подать на вход прямоугольные импульсы амплитудой 5 В и частотой следования 1 кГц. Измерить время задержки переднего и заднего фронтов.