Результаты экспериментов.

Эксперимент 1. Определение статиче­ского коэффициента передачи тока транзистора.

Еб	Iб	Iк	Uкэ
Еб=2,68 В
Еб=5В
Еб=5,7 В

Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.

Iк0

Iб

Uкэ

Эксперимент 3. Получение выходной ха­рактеристики транзистора в схеме с ОЭ.

					ЕК(В)
ЕБ (В)	1Б (мкА)		0.1	0.5		1		5	10		20
1.66
2.68
3.68
4.68
5.7

Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

ЕБ (В)	1Б (мкА)	UБЭ (мВ)	1к (мА)
1.66
2.68
3.68
4.68
5.7

Контрольные вопросы

1. Как называются слои полупроводниковой структуры транзистора и почему?

2. Что такое эффект модуляции базы?

3. Что такое коэффициент передачи тока?

4. Чем обусловлено усиление по току в схеме включения транзистора с ОЭ?

5. Что такое область отсечки транзистора?

6. Назовите основные параметры биполярных транзисторов.

Литература

1. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics Workbench: В 2-х томах /Под общей редакцией Д.И.Панфилова.- М.: ДОДЭКА,2000.

2. В.А. Прянишников Электроника. Полный курс лекций.- СПб.:КОРОНА-принт, 2004.

3. Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров Аналоговая и цифровая электроника – М.: Горячая линия – Телеком, 2003.

4. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и её применение. -М.: Солон-Р, 1999 .

5. Лачин В.И., Савёлов Н.С., Электроника. – Ростов н/Д.: Феника ,2000.

43