6.3. Порядок проведения экспериментов

Эксперимент 1. Определение статиче­ского коэффициента передачи тока транзистора.

а). Открыть файл со схемой, изо­браженной на( рис. 6.3. 1.) Включить схему. Записать результаты измерения тока кол­лектора, тока базы и напряжения коллек­тор-эмиттер в раздел "Результаты экспе­риментов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент пе­редачи транзистора p_DC. Результат запи­сать в раздел "Результаты эксперимен­тов".

б). Изменить номинал источника ЭДС Е_Б

до 2.68 В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и на­пряжения коллектор-эмиттер в раздел "Результаты экспериментов". По полученным результа­там подсчитать коэффициент |3_DC. Ответ записать в раздел "Результаты экспериментов".

в). Изменить номинал источника ЭДС Е_к до 5 В. Запустить схему. Записать результаты измере­ния тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер в раздел "Результаты экспе­риментов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи тран­зистора (3_DC. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов". Затем установить номинал Е_к равным 10 В.

Рис. 6.3.1. Схема для определения статического коэффициента передачи тока транзистора.

Эксперпимент 2. Измерение обратного тока коллектора. На схеме рис. 6.3.1. изменить номинал источника результаты измерения тока коллектора для дан­ных значений тока базы и напряжения кол­лектор-эмиттер в раздел "Результаты экспе­риментов".

Эксперимент 3. Получение выходной ха­рактеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а). В схеме (рис. 6.3.1.) провести измерения то­ка коллектора 1к для каждого значения Е и Е_в и заполнить таблицу в разделе "Ре­зультаты экспериментов". По данным табли­цы построить график зависимости 1_к от Е_к. б). Открыть файл со схемой, изобра­женной на рис. 6.3.2. Включить схему. Зарисо­вать осциллограмму выходной характеристи­ки, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов".

Повторить измерения для

каждого значения Е_Б из таблицы. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовать в разделе "Результаты экспериментов" на одном графике.

в). По выходной характеристике найти коэффициент передачи тока р_АС при изменении базово­го тока с 10 цА до 30 цА, Е_к = 10 В. Результат записать в раздел Результаты экспериментов.

Рис. 6.3.2. Схема для получения выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а). Открыть файл (рис. 6.3.1.).. Установить начение напряжения ис­точника Е_к равным 10 В и провести из­мерения тока базы 1_Б, напряжения ба­за-эмиттер и_Вэ> тока эмиттера 1_э для различных значений напряжения ис­точника Е_в в соответствии с таблицей 10.2 в разделе "Результаты экспери­ментов". Обратить внимание, что кол­лекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера

б). Открыть файл со схемой, изображенной на рис.. 6.3.3. Включить схему. Зарисовать вход­ную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов".

в). По входной характеристике найти сопротивление г_Вх при изменении базового тока с 10 мА до 30 мA. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".

Рис. 6.3.3. Схема для получения входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.