
- •Лабораторная работа № 2 исследование статических характеристик биполярного транзистора Программа работы
- •Пояснения к работе
- •Методические указания
- •Лабораторная работа № 3 исследование полевых транзисторов Программа работы
- •Методические указания
- •Лабораторная работа № 4 исследование тиристора Программа работы
- •Пояснения к работе
- •Методические указания
- •Методические указания
- •Лабораторная работа № 6 исследование транзисторного усилителя низкой частоты с rc-связью Программа работы
- •Пояснения к работе
- •Методические указания
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных схем на операционных усилителях Программа работы
- •Исследование схемы инвертирующего усилителя.
- •Методические указания
- •Исследование схемы неинвертирующего усилителя.
- •Исследование схемы усилителя-повторителя.
- •Лабораторная работа № 8 исследование схем комбинационной и последовательной логики Программа работы
- •Методический материал
- •Методические указания
Методические указания
Характеристики полевого транзистора типа КП 103И исследуются по схеме, приведенной на рис 3.4.
|
Рисунок 3.4 – Электрическая схема для исследования полевого транзистора |
Запустив п. 1. Семейство стоковых характеристик полевого транзистора получить и записать данные.
Запустив п. 2. Семейство сток-затворных характеристик полевого транзистора получить и записать данные.
Рассчитать параметры полевого транзистора используя ранее приведенные выражения графически, или с помощью математического пакета.
Лабораторная работа № 4 исследование тиристора Программа работы
Снять семейство выходных анодных статических ВАХ отпирания тиристора, определить обратный ток и ток утечки в прямом направление.
Снять выходную анодную статическую ВАХ запирания тиристора, определить ток удержания тиристора.
Снять зависимость минимального тока управления необходимого для отпирания тиристора от анодного напряжения Iу min=f(Uа).
Снять входную характеристику цепи управления Iу=f(Uу).
Пояснения к работе
Обычный тиристор (рис.4.1а) является силовым электронным не полностью управляемым ключом. Он имеет четырехслойную p-n-p-n структуру с тремя выводами анод (А), катод (К) и управляющий электрод (У). Структуру тиристора можно представить в виде двух соединенных трехслойных структур: p-n-p и n-p-n, эквивалентных биполярным транзисторам (рис.4.1б).
|
|
a) |
б) |
Рисунок 4.1 – Структура тиристора обычная (а) и в виде двух трехслойных структур (б) |
На рис.4.2 представлено семейство выходных статических ВАХ при разных значениях тока управления Iу. Предельное прямое напряжение Umax, которое выдерживается тиристором без его включения, имеет максимальные значения при Iу=0. При увеличении тока Iу прямое напряжение, выдерживаемое тиристором, снижается. При превышении обратным напряжением максимально допустимого уровня начинается резкое возрастание обратного тока, связанное с пробоем тиристора.
Статические входные ВАХ, характеризующие параметры управления обычного тиристора, представлены на рис.4.3. Как видно из рисунка, характеристики цепи управления, как и следовало ожидать, напоминают прямую ветвь ВАХ диода или входные характеристики транзистора. Семейство ВАХ расположено в области, ограниченной ее значениями при максимально и минимально допустимых рабочих температурах тиристора. Iу мин, Uу мин - наименьший отпирающий ток управления и отпирающее напряжение управления, необходимые для включения тиристора при заданном анодном напряжении, Uу макс ,Iу макс, Pу доп – максимальные значения тока, напряжения и мощности на постоянном токе, превышение которых может привести к разрушению управляющего p-n перехода.
|
Рисунок 4.2 – Семейство выходных статических ВАХ тиристора |
|
Рисунок 4.3 – Статическая входная ВАХ тиристора |
Методические указания
Тиристор исследуется по схеме приведенной на рис 4.4.
Запустив п. 1. Семейство анодных ВАХ отпирания тиристора получить и записать данные. По полученным характеристикам определить обратный ток и ток утечки.
Рисунок 4.4 – Схема исследования тиристора
Запустив п. 2. Анодная ВАХ запирания тиристора получить и записать данные. По полученным характеристикам определить ток удержания.
Запустив п. 3. Зависимость Iу min от Uа получить и записать данные для построения Iу min=f(Uа). Обратить внимание на изменения тока управления в момент отпирания тиристора. Объяснить скачок тока.
Запустив п. 4. Входная ВАХ тиристора получить и записать данные. Обосновать сходство входной характеристики тиристора и прямой ветви ВАХ диода.
Лабораторная работа № 5
РЕЖИМ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА
Программа работы
Определить расчетным путем параметры схемы, обеспечивающие работу транзисторного усилительного каскада в точке покоя.
Согласовать и уточнить параметры схемы, полученные экспериментально, с расчетными.
Определить влияние сопротивления Rэ на коэффициент усиления по напряжению и току.
Пояснения к работе
Назначение усилителя - усиление малых по амплитуде сигналов, подаваемых на его вход. Обычно усилители многокаскадные и для получения на выходе максимальной мощности при заранее заданном уровне искажений сигнала выходной каскад должен быть усилителем мощности. В качестве усилителя мощности достаточно хорошо подходят транзисторы, включенные по схеме с ОЭ, т.к. создают условия для большего усиления мощности по сравнению со схемой с ОК. Чтобы обеспечить заданный уровень искажения сигнала, необходимо произвести расчет цепей постоянного тока, определяющий исходные режимы транзисторов выходного каскада и глубину обратной связи по постоянному току для организации необходимой стабилизации исходного режима от температуры и разброса характеристик и параметров отдельных экземпляров транзисторов (данного типа).
Основные этапы расчета цепи по постоянному току: Провести необходимые расчеты сопротивлений резисторов R1,R2,R3,R4 (см. рис.5.1) в соответствие с нижеуказанной методикой:
|
|
|
|
|
|
|
|
В качестве нагрузки в данной схеме выступает сопротивление в цепи коллектора Rк=R3.