Литература
1. Вендик О.Г. Курс «Микроэлектроника» для бакалавров. - http://www.1024.ru.
2. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. - М.: Радио и связь, 1992. - 320 с.
3. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987. - 464 с.
4. Романовский М.Н. Технологические процессы микроэлектроники. – Томск: ТУСУР, 2002. – 190 с.
5. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. – Новосибирск: НГУ, 2000. – 332 с.
6. Чурилов А.Б. Введение в наноэлектронику. - Ярославль: ЯГТУ, 2002.- 132 с.
7. NanoTechnologies - http://irina1.netfirms.com.
8. Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: Изд-во Новосиб. ун-та, 2000. – 444 с.
9. Щука А. Электроника четвертого поколения - функциональная элетроника? - http://www.chipnews.ru.
10. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. – М.: Мир, 1991. - 632 с.
11. Технология СБИС: В 2-х кн. / Под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. Кн. 1, 2 – 857 с.
12. Данилина Т.И., Смирнов С.В. Ионно-плазменная технология в производстве СБИС. – Томск: ТУСУР, 2000. – 140 с.
13. Иванов-Есипович Н.К. Технология микросхем. – М.: Высш. шк., 1972. – 256 с.
14. Технология тонких пленок: В 2-х т. / Под ред. Л. Майселла и Р. Глэнга. – М.: Сов. радио, 1977. Т. 1, 2 – 1432 с.
15. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. - М.: Мир, 1989. - 240 с.
16. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. – М.: Высш. шк., 2001. – 573 с.
17. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. - М.: Мир, 1984. Кн. 1, 2 - 912 с.
18. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. – М.: Высш. шк., 1989. – 320 с.
1 Афромеев В. И. Физические основы создания миниатюризованной высокочастотной медико-биологической аппаратуры нетепловой интенсивности и использование биоинформационных аналогий // Вестник новых медицинских технологий. - 1997. - Т. 4. - Вып. 3. - С. 12-15.
2 Иногда особо выделяют еще и приборы вакуумной микроэлектроники, которые выполняются либо в виде пленочных ИС с навесными микроминиатюрными электровакуумными приборами, либо в виде полностью вакуумных узлов.
3 От греческого mesos - промежуточный (уже не макро-, но еще и не микроскопический).
4 Одна из плоскостей {110} перпендикулярна плоскости (111), а другая расположена к ней под углом около 35º.
5 Плоскости (100) находятся по отношению к плоскости (111) под углом около 55º.
6 Относительные размеры загрязняющих поверхности частиц, характерных для технологических помещений, соизмеримы с размерами элементов ИС. Так, человеческий волос имеет толщину около 15 мкм, пылинки – от 1 до 10 мкм, а отдельные линии ИС – менее 0,5 мкм.
7 Для формирования контактов с кремнием иногда в алюминий добавляют небольшое количество кремния и титана.
8 От греческого epi - на, над и taxis - расположение, порядок.
9 Термодинамическое рассмотрение процесса диффузии указывает на определяющую роль градиента химического потенциала, а не градиента только концентрации.
10
- функция
ошибок
(error function).
11 Взаимодействие иона с электронами мишени подобно торможению твердого тела в вязкой среде, при котором потеря энергии пропорциональна скорости тела.
12 Такое определение длины пробега учитывает лишь среднюю величину потери энергии иона на единичной длине (но не на элементе длины dx) и справедливо лишь в первом приближении.
13 От греческого epi - на, над и taxis - расположение, порядок.
14 Термин «металлоорганика» обозначает широкий класс веществ, содержащих металл-углеродные (органометаллические соединения) или металл-кислород-углеродные (алкоксиды) связи и координационные соединения металлов с органическими молекулами [18].
15 Кислород - основной компонент газовой среды на высоте орбитального полета космических станций.
16 За эти работы академику Ж.И. Алферову была присуждена Нобелевская премия по физике 2000 г.
17 Если свойства материала плавно изменяются в макроскопическом масштабе, то такой полупроводник называется варизонным.
18 От английского Dimension - измерение, размерность.
19 В металлах длина волны свободных электронов мала (порядка межатомных расстояний), энергетические уровни размыты и эффекты размерного квантования не проявляются [16].
20 Например, AlxGa1-xAs - GaAs - AlxGa1-xAs или InP - GaxIn1-xAs - InP.
21 Гольдман Е.И., Ждан А.Г. Новый подход к созданию наноэлектронных систем в размерно-квантующем потенциальном рельефе встроенных зарядов в изолирующих слоях у поверхности полупроводника // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, вып. 1. - С. 38 - 41.
22 Волков В.А., Петров В.А., Сандомирский В.Б. Поверхность с высокими кристаллографическими индексами - сверхрешетка для двумерных электронов // УФН. - 1980. - Т. 131, вып. 3. - С. 423 - 440.
23 Взаимодействие SiH4 с кислородом воздуха происходит со взрывом, поэтому необходимы либо тщательная герметизация металлических баллонов, содержащих SiH4, либо значительное разбавление его др. газами, причем напуск газа в аппарат для осаждения следует осуществлять очень малыми количествами.
24 Нейтральные растворы имеют рН = 7, кислые – меньше 7, а щелочные более 7.
25 Ажажа Э.Г., Коркин В.И. О сплошности окисных пленок SiO2 // Электронная техника. Сер. 2. - 1968. - Вып. 3. - С. 44 - 53.
26 Photos lithos grapho (греч.) - пишу лучом по камню.
27 Для характеристики светочувствительности используется также и само значение H.
28 Гидрофильность - гидрофобность обычно характеризуют углом смачивания, образованным поверхностью подложки и касательной к капле воды.
29 Фотолитография и оптика / Под ред. Я.А.Федотова и Г.Поля. – М.: Сов. радио, 1974. – 392 с.
30 В центральном пятне сконцентрировано 83,8 % всего света, в то время как уже в первом концентрическом кольце - всего лишь 7,2 %.
31 Chemical downstream etching (CDE) process.
32 Этот процесс называют также обратной (взрывной) фотолитографией или методом контактной маски.
33 Эксимер (от англ. excited dimer - возбужденный димер) - молекула, которая может существовать только в возбужденном состоянии.
34 В 1967 году было предложено использовать электронно-лучевую трубку в качестве экономичного и быстродействующего генератора фотошаблонов для специализированных ИС, в 1968 электронно-лучевое экспонирование было применено для непосредственного «рисования» по резисту [7].
35 Метод предложен фирмой Westinghouse и опубликован в 1969 г.
36 От английского SCattering with Angular Limitation Projection Electron-beam Lithography.
37 Николаев И.М., Филинюк Н.А. Интегральные микросхемы и основы их проектирования. - М.: Радио и связь, 1992. - 424 с.
38 Норенков И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем. - М.: Высш. школа, 1980.
39 Трехмерное численное моделирование субмикронных тонкослойных сильнолегированных полупроводниковых структур сопряжены с вычислительными ресурсами, сравнимыми или превосходящими ресурсы при решении задач точного прогнозирования погоды или проектирования авиалайнеров [2].
40 Автоматизация схемотехнического проектирования / Под ред. В.Н.Ильина. – М.: Радио и связь, 1987. – 368 с.