7. Расчет частотной характеристики каскада

В области НЧ частотные искажения вносят элементы Сэ, С1, С2. Влияние каждого элемента учитывается соответствующим коэффициентом частотных искажений.

Мнч_Сэрасч = ,

гдеМнчэ0= =

Мнч_С1расч = ,

Мнч_С2расч = ,

где f = 0,1 ∙ fнч; 0,2 ∙ fнч; 0,3 ∙ fнч; 0,4 ∙ fнч; 0,5 ∙ fнч; fнч; 5 ∙ fнч; 10 ∙ fнч.

Мнчрасч = Мнч_Сэрасч ∙Мнч_С1расч ∙Мнч_С2расч

К_Uнч =

В формулы подставляем различные значения f и заполняем таблицу 4.

Таблица 4 – Расчетные данные для построения частотной характеристики каскада в области НЧ

Рассчитанные коэффициенты	Частота усиливаемых сигналов f, Гц
	0,1∙fнч	0,2 ∙fнч	0,3 ∙fнч	0,4 ∙fнч	0,5 ∙fнч	fнч	5∙fнч	10∙fнч
МнчСэрасч
МнчС1расч
МнчС2расч
Мнчрасч
КUнч

В области ВЧ частотные искажения вносит в основном емкость С0, которая нагружает каскад: С0 = Сн + Свых, Ф,

где Сн – емкость нагрузки, Ф;

Свых – выходная емкость транзистора проектируемого каскада, Ф.

Свых = , Ф,

где Ск – емкость коллекторного перехода транзистора, Ф;

r_Б - омическое сопротивление области базы транзистора, Ом.

Свых = =

С0 = Сн + Свых =

Коэффициент частотных искажений в области ВЧ:

Мвч_С0расч = .

Коэффициент усиления в области ВЧ:

К_Uвч =

где f = 0,05 ∙ fвч; 0,1 ∙ fвч; 0,2 ∙ fвч; 0,3 ∙ fвч; 0,5 ∙ fвч; fвч; 2 ∙ fвч; 3 ∙ fвч.

В формулы подставляем различные значения f и заполняем таблицу 5.

Таблица 5 – Расчетные данные для построения частотной характеристики каскада в области ВЧ

Рассчитанные коэффициенты	Частота усиливаемых сигналов f, Гц
	0,05∙fвч	0,1∙fвч	0,2∙fвч	0,3∙fвч	0,5 ∙fвч	fвч	2∙fвч	3∙fвч
МвчС0расч
КUвч

На основании данных таблиц 4 и 5 строиться частотная характеристика спроектированного резисторного усилителя на биполярном транзисторе.

8