Запам’ятовуючі пристрої з послідовним доступом

Такі запам’ятовуючі пристрої є різновидом ОЗП. Термін “послідовний доступ” oзначає, що позиція слів є доступною для зчитування тільки у певному порядку. Розрізняють два типи цих пристроїв:

1. Слово переміщується завжди в одному напрямку вздовж ланки з групи елементів. Інформація записується в першу групу елементів на початку ланки і зчитується в кінці. Такі ЗП називають буферними (рис.2.5,а).

Вхід Вихід D0 o o . . . . . . o  D1 o o . . . . . . o  D2 o o . . . . . . o  D3 o o . . . . . . o  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D7 o o . . . . . . o  1 2 . . . . . . m Група елементів а)

Вхід/Вихід D0  o o . . . . . . o D1  o o . . . . . . o D2  o o . . . . . . o D3  o o . . . . . . o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D7  o o . . . . . . o 1 2 . . . . . . m Група елементів б)

а) – буферні ЗП,

б) – стекові ЗП

Рисунок 2.5 - Ілюстрація роботи ЗП з послідовним доступом

2. Слова можуть переміщуватись в будь-якому напрямку, а інформація записується і зчитується на одній і тій же групі елементів, тобто в порядку, протилежному до запису. ЗП цього типу називають стековими (рис. 2.5, б).

2.4 Організація модулів пам'яті мпс

Модуль пам'яті синтезують на базі окремих ВІС статичної або динамічної пам'яті, а також ВІС ПЗП. Випускаються 1-, 4-, 8- і 16-розрядні ВІС пам'яті [2].

При побудові модулів пам'яті виникає задача нарощування інформаційної ємності шляхом об'єднання ВІС у відповідну матрицю, а також буферизація шини адреси, даних і керування. Нарощування ємності здійснюється двома шляхами:

1) Розширення розрядності шляхом паралельного включення ВІС, які об'єднуються по всіх виводах, крім інформаційних (рисунок 2.6, а).

а) - розширення розрядності шляхом паралельного включення ВІС,

б) - об'єднання ВІС пам'яті по інформаційних входах – виходах

Рисунок 2.6- Способи нарощування ємності пам'яті

2) Об'єднання ВІС пам'яті по інформаційних входах – виходах. Крім них об'єднуються всі решта входів за виключенням входів (вибір кристала), які визначають ту мікросхему, що включається в роботу (рисунок 2.6, б).

ПЗП, як правило, випускаються багаторозрядними на 4, 8, 16 розрядів. Тому нарощування їхньої ємності досягається шляхом, наведеним на рисунку 2.6, б.

Зараз випускаються статичні ОЗП, аналогічні за топологією і призначенням виводів, як у програмованих ПЗП. Наприклад, ОЗП типу К573РУ9 має таку ж, як і мікросхема ПЗП типу К573РФ2, РФ5 організацію 2Кх8 і аналогічну топологію виводів.

Таким чином, при організації модуля пам'яті на друкованій платі, як правило, резервують посадочні місця з однаковою розводкою для нарощування ємності модуля.