- •Дополнительная
- •Содержание
- •Государственный университет телекоммуникаций им. Проф. М.А. Бонч-Бруевича, 2004
- •Литература Основная
- •Цели и задачи дисциплины
- •Основные задачи дисциплины:
- •В результате изучения дисциплины студент должен знать:
- •В результате изучения дисциплины студент должен уметь:
- •Основы применения полевых транзисторов в аналоговых и цифровых схемах
- •Полупроводниковые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением
- •Конструктивно-технологические основы микроэлектроники
- •Оптоэлектронные приборы
- •Контрольное задание
- •Исходные данные к заданию 3
- •Задание 3
- •Задание 1 Задача 1.1
- •Методические указания
- •Исходные данные к заданию 1
- •Задача 2.3
- •Методические указания
- •Задача 1.2
- •Методические указания
- •Задача 1.3
- •Методические указания
- •Методические указания
- •15 Задание 2
- •Исходные данные к заданию 2
Оптоэлектронные приборы
Классификация полупроводниковых оптоэлектронных прибо-ров. Фотоприемники: фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор. Источники излучения: светодиод, полупроводниковый лазер. Оптопары. Оптоэлектронные интегральные схемы. Индика-торные приборы. Применение оптоэлектронных приборов.
М
6
атериал изложен в [1, п. 14.2 - 5; 2, п. 9.2; 6, гл. 9; 8, гл. 7; 9, п. 13.1].
27
6. Неинвертирующий ФВЧ
26
Перспективы развития электроники
Проблемы повышения степени интеграции интегральных схем. Функциональная электроника – перспективное направление в микро-электронике. Элементы функциональной электроники на поверх-ностных акустических волнах, на цилиндрических магнитных доменах, на основе эффекта Ганна. Приборы с зарядовой связью. Применение базовых матричных кристаллов и программируемых логических мат-риц. Наноэлектроника.
Материал изложен в [1, гл. 12; 2, п. 5.6, гл. 9; 6, п. 6.8, 6.9, гл. 8; 9, гл. 11, п.13.2, 13.3].
ОБЗОРНЫЕ ЛЕКЦИИ (12 ч)
Установочная лекция (читается перед началом семестра).
Программа дисциплины «Электроника». Рекомендуемая литература. Контрольное задание и методические указания к его решению (2 ч).
2. Применение биполярного транзистора для усиления элект- рических сигналов. Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме ОЭ. Малосигнальные параметры и эквивалентные схемы транзистора. Особенности работы транзистора на высоких частотах и в импульсном режиме (3 ч).
3. Усилительный каскад на полевом транзисторе, включенном по схеме ОИ. Особенности работы полевых транзисторов на высоких частотах и в импульсном режиме (1 ч).
4. Конструкции гибридных и полупроводниковых интегральных схем. Особенности конструкции, характеристик и параметров интег-ральных элементов (1 ч).
5. Базовые ячейки аналоговых интегральных схем. Усилительные каскады аналоговых интегральных схем на биполярных и полевых транзисторах. Структура, основные параметры и приме-нение операционного усилителя (3 ч).
6. Электронные ключи на биполярных и МДП-транзисторах. Базовые логические элементы цифровых интегральных схем (2 ч).
ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ (6 ч)
1. Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме ОЭ.
2. Исследование операционного усилителя.
3. Исследование транзисторно-транзисторной логики.
7
