- •Дополнительная
- •Содержание
- •Государственный университет телекоммуникаций им. Проф. М.А. Бонч-Бруевича, 2004
- •Литература Основная
- •Цели и задачи дисциплины
- •Основные задачи дисциплины:
- •В результате изучения дисциплины студент должен знать:
- •В результате изучения дисциплины студент должен уметь:
- •Основы применения полевых транзисторов в аналоговых и цифровых схемах
- •Полупроводниковые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением
- •Конструктивно-технологические основы микроэлектроники
- •Оптоэлектронные приборы
- •Контрольное задание
- •Исходные данные к заданию 3
- •Задание 3
- •Задание 1 Задача 1.1
- •Методические указания
- •Исходные данные к заданию 1
- •Задача 2.3
- •Методические указания
- •Задача 1.2
- •Методические указания
- •Задача 1.3
- •Методические указания
- •Методические указания
- •15 Задание 2
- •Исходные данные к заданию 2
Основы применения полевых транзисторов в аналоговых и цифровых схемах
Модели и эквивалентные схемы полевых транзисторов. Частотные свойства полевых транзисторов. Применение полевых транзисторов для усиления электрических сигналов. Аналитический расчет усилительного каскада на транзисторе, включенном по схеме ОИ. Импульсный режим работы полевого транзистора.
Материал изложен в [1, п. 7,6; 2, п. 5.4, 5.5; 4, п. 4.4].
Полупроводниковые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением
Особенности вольтамперных характеристик S- и N-типов. Фи-зический смысл отрицательного дифференциального сопротивления. Структура, принцип работы и ВАХ диодного тиристора. Триодный тиристор. Применение тиристоров. Однопереходный транзистор. Туннельный диод. Лавинно-пролетный диод.
Материал изложен в [1, п. 4.6, гл. 6,18; 2, п. 3.8, 4.12; 3, п. 3.13; 6, 3.28 – 3.30, гл. 5].
Конструктивно-технологические основы микроэлектроники
Основные понятия микроэлектроники. Гибридные интегральные схемы. Пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности. Активные элементы гибридных интегральных схем. Тонкопленочные и толсто-пленочные схемы.
П
5
олупроводниковые интегральные схемы. Способы изоляции интегральных элементов. Базовые биполярные n-p-n-транзисторы полупроводниковых интегральных схем (эпитаксиально-планарный и изопланарный) и их эквивалентная схема. Транзисторы с диодом Шотки, многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы, транзисторы p-n-р-структуры. Интегральные диоды, резисторы и конденсаторы. МДП-транзисторы полупроводниковых интегральных схем.Базовые технологические операции, используемые при создании интегральных схем. Особенности больших интегральных схем.
Материал изложен в [1, гл. 8,9; 2, гл. 6; 4, гл. 5; 7, гл. 6,7; 9, гл. 1 - 6].
Основы схемотехники аналоговых интегральных схем
Базовые ячейки аналоговых интегральных схем. Составные транзисторы, генераторы стабильного тока, динамическая нагрузка, схемы сдвига потенциального уровня. Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах. Дифференциальные усили-тельные каскады. Повторители напряжения. Выходные каскады аналоговых интегральных схем.
Операционные усилители – основа элементной базы анало-говых интегральных схем. Структура и основные параметры опера-ционных усилителей. Применение операционных усилителей. Специ-ализированные интегральные схемы, используемые в аппаратуре связи.
Материал изложен в [1, гл. 10; 2, гл. 7; 5, гл. 6; 7, гл. 9].
Основы схемотехники цифровых интегральных схем
Электронные ключи на биполярных и МДП-транзисторах. Статическая передаточная характеристика транзисторного ключа. Основные параметры цифровых интегральных схем.
Логические операции и логические элементы – основа схемо-техники цифровых интегральных схем. Транзисторная логика с непосредственными связями и ее варианты. Диодно-транзисторная и транзисторно-транзисторная логики. Эмиттерно-связанная логика. Интегральная инжекционная логика. Логические элементы на однотипных МДП-транзисторах. Логические элементы на ком-плементарных МДП-транзисторах.
Материал изложен в [1, гл.11; 2, гл.8; 5, гл. 7; 7, гл. 8,10].
