Выводы:

Импульсные диоды работают в режиме электронного ключа.

Длительность импульсов может быть очень мала, поэтому диод должен очень быстро переходить из одного состояния в другое.

Основным параметром, характеризующим быстродействие импульсных диодов является время восстановления обратного сопротивления.

Для уменьшения используют специальные меры, ускоряющие процесс рассасывания неосновных носителей заряда в базе.

Требованиям, предъявляемым к импульсным диодам, хорошо удовлетворяют диоды на основе барьера Шоттки, которые имеют очень малую инерционность благодаря отсутствию инжекции и накопления неосновных носителей заряда в базе.

Список литературы:

1. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника: пер. с испан. С.И. Баскакова/под ред. В.А. Терехова; предисл. В.А. Терехова.-М.: Высш. шк., 1991.-351 с.

2. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учеб. Пособие. – 2-е изд., доп.- М.: Техносфера, 2005.-408 с.

3. Петрович В.П. Физические основы электроники: учеб. Пособие. – Томск: Изд. ТПУ, 2000.-150 с.

4. Смирнов Б. M., Физика слабоионизованного газа, M., 1972; Лифшиц E. M., Питаевский Л. П., Физическая кинетика, M., 1979. Л. П. Пресняков.

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ

Томский политехнический университет»

Институт - ИДО

Специальность - Электроснабжение

Кафедра - ЭЛТИ

РЕФЕРАТ

Студент гр.З-9302

С.Н.Гнатюк

Принял: Д.Ю.Ляпунов

Томск 2012