Оперативная память.

Оперативная память (RAM, ОЗУ - оперативное запоминающее устройство) обеспечивает работу с программным обеспечением. Когда включается ПК, в ОЗУ загружаются цепочки байтов, в которых хранится операционная система. Далее по вашим указаниям в ОЗУ с винчестера помещаются прикладные программы и данные, которые обрабатываются этими программами. Содержание многих ячеек памяти постоянно меняется в процессе работы программ (пересылка байтов, арифметические операции и запись результатов в ОЗУ). Процессор не может работать без памяти. После выключения ПК данные в ОЗУ не сохраняются. ОЗУ располагается на материнской плате. Другое название RAM (Random Access Memory – память с произвольным доступом), т.е. ее ячейки доступны процессору в любом порядке.

Характеристики оперативной памяти:

1. Емкость памяти – общий объем оперативной памяти системы, определяемый в мегабайтах (Мбайт).

2. Тип памяти. В компьютер устанавливается та память, которая для него предназначена, с другой памятью он работать не будет.

FPM (Fast Page Mode – память с постраничным доступом) память широко использовалась в старых ПК. Время доступа 60 нс.

EDO (Extended Data Out – расширенный доступ к данным). Время доступа 10-20 нс. Изготавливалась в виде SIMM-модулей.

BEDO (Burst Extended Data Out - расширенный пакетный доступ к данным). С целью повышения быстродействия в ней одновременно выполнялась обработка до четырех адресов памяти, вместо одного.

SDRAM (синхронное динамическое ОЗУ) – работает синхронно с системной шиной, ее быстродействие соответствует быстродействию шины: 100 МГц, или 133 МГц. Это позволяет ПК адресовать две ячейки памяти одновременно. Применяется также технология пакетного доступа. Изготавливается в виде DIMM-модулей.

RDRAM (динамическое ОЗУ Rambus). Данные перемещаются между памятью и процессором с частотой 600, 700, 800 МГц, хотя применяется 16-битовая шина данных. Память работает при напряжении питания 2,5 В, что снижает потребляемую мощность и тепловыделение.

DDR RAM (передача данных с двойной скоростью). Память работает аналогично SDRAM, за исключением того, что передача данных осуществляется дважды в течение одного цикла обращения к памяти.

SRAM (статическое ОЗУ) является специальным типом компьютерной памяти, используемой в качестве кэш-памяти процессора. В статической памяти данные сохраняются без какой бы то ни было регенерации до тех пор, пока не будет выключено питание ПК. Это очень быстрая и очень дорогая память.

3. Быстродействие памяти также называют временем доступа, выражается в виде промежутка времени (в наносекундах) между моментом запроса данных из памяти процессором и моментом их фактического получения. Чем меньше время доступа, тем быстрее память. Тактовая частота шины выражается в МГц и характеризует быстродействие шины (т.е. канала связи) между процессором и памятью. Чем выше тактовая частота, тем быстрее память.

4. Тип конструктивного исполнения. Это внешний вид физического исполнения модуля памяти.

Используются три разновидности таких модулей: SIMM, DIMM, RIMM. Это небольшие печатные платы, на которых установлены один или несколько чипов ОЗУ.

Модули SIMM характеризуются однорядным положением микросхем. Разрядность шины данных 72-х контактного модуля SIMM составляет 32 бита. SIMM-модули должны устанавливаться парами одинаковой емкости.

Модули DIMM - это небольшие платы, где микросхемы памяти размещаются в две линии. С одной стороны платы размещены контактные площадки, которые вставляются в специальный разъем на материнской плате. Они имеют объем от 16 до 256 Мбайт и не требуют парной установки. Обычно имеют 64-битную шину данных и 168-разрядный коннектор. Быстродействие чипов составляет 6, 8, 10 или 12нс.

RIMM-модуль – высокоскоростной модуль ОЗУ, разработанный компанией RAMBUS совместно с INTEL. Он имеет 184 контакта и предназначен для установки на материнские платы, оборудованные соответствующим контроллером и высокоскоростной 16-разрядной шиной памяти, работающей с тактовой частотой 400МГц. Поскольку данные передаются с тактовой частотой 800МГц (по обоим перепадам синхроимпульса), то пропускная способность модуля в три раза превышает аналогичную характеристику РС66 DIMM и в два раза – РС100 DIMM:

(400МГц*2*2 байт):(66 МГц*8 байт) = 1600Мб/с : 528Мб/с = 3

На материнской плате могут размещаться до трех модулей RIMM.

На модуле могут располагаться от одной до 16 микросхем. Однако одновременно может быть активна только одна микросхема, это уменьшает потребление питания модуля. Напряжение питания RIMM – 2,5 В.

5. Аппаратные средства коррекции ошибок позволяет ПК обнаруживать и исправлять ошибки памяти (свидетельствует наличие аббревиатуры ЕСС – код коррекции ошибок на модуле памяти).

6. Фирма-изготовитель. Если все модули памяти изготовлены одной фирмой, то на одной материнской плате они "уживутся" гораздо лучше.

7. Напряжение питания. Обычно составляет 3,3 или 5 В.

8. Материал контактов. Речь идет о материале, которым покрыты контакты, поскольку проводники на печатных платах выполняются из меди. Лучше всего, когда контакты позолочены (желтого цвета). Они надежнее. Не рекомендуется смешивать модули с разным покрытием на одной материнской плате, особенно если ПК работает в условиях повышенной влажности, поскольку могут возникать сбои из-за случайных изменений проводимости контактов.