- •73000, М. Херсон, вул. 40 років Жовтня, 23
- •1 Перелік тем самостійних робіт
- •2 Перелік завдань самостійних робіт Самостійна робота № 1
- •Основні теоретичні відомості Електрони в атомі
- •Принцип заборони Паулі
- •Енергетична діаграма твердого тіла
- •Розподіл Ферми
- •Види електронної емісії
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 2
- •Основні теоретичні відомості Вольтамперна характеристика pn переходу
- •Пробої pn переходу
- •Температурні і частотні властивості pn переходу
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 3
- •Основні теоретичні відомості Гетероперехід
- •Перехід метал – напівпровідник
- •Перехід метал – діелектрик – напівпровідник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 4
- •Основні теоретичні відомості Проведення експерименту
- •Фотоефект у pn переході
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 5
- •Основні теоретичні відомості
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 6
- •Основні теоретичні відомості
- •Класифікація діодів
- •Основні характеристики діодів
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 7
- •Основні теоретичні відомості Варикап
- •Імпульсний діод
- •Високочастотний діод
- •Фотодіод
- •Світлодіод
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота №8
- •Основні теоретичні відомості Класифікація транзисторів
- •Фізичні процеси в біполярних транзисторах.
- •Модуляція товщини бази.
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 9
- •Основні теоретичні відомості Активний режим, режим глибокого відсічення, режим насичення транзистора
- •Три схеми включення транзистора
- •Статичний режим роботи транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 10
- •Основні теоретичні відомості Динамічний режим роботи біполярний транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 11
- •Основні теоретичні відомості Підсилювальні властивості транзисторів.
- •Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Список використаних джерел 57
- •Додаткова
- •Для нотаток
Закріплення вивченого матеріалу
Дати у зошиті відповіді на питання:
5.1 Наведіть приклади використання терморезисторів
5.2 В основі роботи якого напівпровідникового резистора лежить поверхневий пробій?
5.3 Яке явище називається явищем фотопровідності?
5.4 Поясніть відміну між світловим та темновим струмом фоторезистора
5.5 Дайте визначення фотоструму фоторезистора
Самостійна робота № 6
Тема: Класифікація діодів: за призначенням; за технологією виготовлення; за матеріалом.
Мета:
Знати - типи, умовне графічне позначення (УГП), основні параметри діодів
Вміти - пояснити причини пробою діодів
План вивчення теми:
1. Класифікація діодів
2. Основні характеристики діодів
Рекомендована література
1.Гершунський Б.С. « Основы электроники и микроэлектроники» К. « В.ш.» 1987 стор. 89-92, 94-96
2.Исаков Ю.А. « Промышленная электроника » Київ 1975, стор 20-22
Основні теоретичні відомості
Напівпровідниковий діод - це напівпровідниковий прилад з одним випрямляючим електричним переходом і двома зовнішніми висновками, в якому використовуються та або інша властивість PN переходу.
У діоді крім електронно-діркового PN переходу повинно бути два переходи, які не випрямляють. У діодах з випрямляючим електричним переходом у вигляді контакту метал- напівпровідник всього 1 випрямляючий перехід.
Випрямний перехід крім ефекту випрямлення володіє і іншими властивостями:
нелінійность вольтамперної характеристики
явищем ударною іонізації атомів напівпровідника при відносно великих для даного переходу напруженнях;
явищем тунелирування носіїв крізь потенційний бар'єр переходу при зворотньому і в певних умовах при прямому включенні;
бар'єрною ємністтю.
Ці властивості випрямляючого переходу використовують для створення різних видів напівпровідникових діодів, змішувачів, модуляторів, стабілітронів, лавинно-пролетниих діодів, тунельних і звернених діодів, варикапів
Класифікація діодів
Діоди по матеріалу, що використовується поділяються на:
Сульфідні;
Селенові;
Меднозакисні;
Кременеві;
Германієві.
Діоди за призначенням поділяються на:
Випрямляючі;
Стабілітрони;
Високочастотні;
Надвисокочастотні;
Варикапи;
Імпульсні;
Фотодіоди;
Світлодіоди;
Тунельні.
Діоди по технології виготовлення поділяються на:
Площинні;
Точковими.
Площинним називають діод, у якого лінійні розміри, що визначають площу випрямляючого переходу, значно більше характеристичної довжини.
Точковим називають діод, у якого лінійні розміри, що визначають площу випрямляючого переходу значно менше характеристичної довжини.
Основні характеристики діодів
У більшості діодів основною характеристикою діода є вольт-амперна характеристика.
Я
кщо
порівняти прямі гілки діодів, виготовлених
з різних матеріалів, з різною шириною
забороненої зони, то у діода з матеріалу
з більшою шириною забороненої зони буде
більше висота потенційного бар'єра.
Отже, прямий струм через діод з матеріалу
з більшою шириною забороненої зони буде
менше при однакових прикладених напругах.
Величина прямого струму залежить також
і від концентрації домішок в
напівпровідниках.
При збільшенні температури щільність струму витоку збільшується, так як із зростанням температури росте власна концентрація носіїв заряду.
У діодах на основі матеріалу з більшою шириною забороненої зони щільність струму насичення повинна бути значно меншою, так як власна концентрація експоненціально меншає із збільшенням ширини забороненої зони. Щільність струму витоку у кремнієвих і германієвих діодів розрізнюються на 6 порядків (у кремнію менше).
