4.1.2 Мікросхема кр572пв2
Мікросхема КР572ПВ2 (рис. 4.1) має електронні ключі А1А11, буферний операційний підсилювач DА1, працюючий у режимі повторювача, інтегратор на операційному підсилювачі DА2, компаратор DА3 і цифрову частину, що складається з тактового генератора G, логічного пристрою DD1, лічильника СТ, регістра пам'яті RG і вихідного дешифратора DС. Ключі А1А11 вмикаються в певній послідовності логічним пристроєм DD1, працюючим спільно з лічильником СТ.
Мікросхема працює за принципом подвійного інтегрування. Ідея цього методу полягає в тому, що спочатку інтегруючий конденсатор заряджається впродовж певного часу струмом, пропорційним вимірюваній напрузі, а потім розряджається певним струмом до нуля. Час, впродовж якого відбувається розрядка конденсатора, пропорційний вимірюваній напрузі. Цей час вимірюється лічильником, вихідні сигнали якого подаються на цифрові індикатори.
Розглянемо роботу мікросхеми детальніше. На виводи 30 і 31 мікросхеми подається вимірювана напруга UВХ, на виводи 35 і 36 подається зразкова напруга UЗРАЗ. Цикл вимірювання складається з трьох фаз: інтегрування сигналу (ІНТ), розрядки інтегруючого конденсатора (РІ) і автоматичної корекції нуля (АК). Кожній фазі відповідає певна комутація елементів мікросхеми, що виконується ключами А1–А11 на МОН-транзисторах.
На рис. 4.1 написи у ключів означають фазу, впродовж якої ключ ввімкнений. Впродовж фази ІНТ, що триває 4000 періодів Т тактової частоти, вхідний сигнал через ключі А1, А2 і буферний підсилювач DА1 подаєтся на вхід інтегратора DА2. Це викликає на конденсаторі СІНТ накопичення заряду, який пропорційний за величиною і відповідає за знаком прикладеній вхідній напрузі. Напруга на виході інтегратора DА2 змінюється з постійною швидкістю, пропорційною вхідному сигналу.
Припустимо, що до моменту початку фази ІНТ заряди на конденсаторах СІНТ і САК і напруга зміщення нуля підсилювачів DА1 - DАЗ дорівнюють нулю. Оскільки вхідний струм інтегратора DА2 малий, заряд на конденсаторі САК не змінюється, і він фактично не впливає на процес інтегрування.
Конденсатор СЗРАЗ заряджений від джерела зразкової напруги до величини UЗРАЗ.
У кінці фази ІНТ за допомогою компаратора DАЗ визначається знак вхідної напруги за знаком напруги на виході інтегратора DА2. Чутливість компаратора DА3 така, що полярність вхідного сигналу визначається навіть тоді, коли він складає долю одиниці відліку.
При роботі мікросхеми у фазі РІ вхідний сигнал на інтегратор не подається, але до нього підключається через ключі А7, А8 або А6, А9 конденсатор СЗРАЗ, заряджений до зразкової напруги і орієнтований (відповідним ввімкненням ключів) за полярністю так, щоб конденсатор СІНТ розряджався.
Як тільки він розрядиться повністю, напруга на виході DА2 стане рівною нулю. У цей момент підключений паралельно конденсатору СІНТ (через конденсатор САК) компаратор DАЗ спрацьовує і припиняє фазу РІ. Заряд конденсаторів СЗРАЗ і САК практично не змінюється. Тривалість розрядки конденсатора СІНТ, що виражена числом періодів тактових імпульсів, і є результатом вимірювання, що записується в лічильник СТ. Стан лічильника переписується в регістр RG, а потім перетворюється в сигнали семисегментного коду, які надходять на індикатори.
Фаза АК розпочинається з припинення роботи лічильника, коли логічний пристрій DD1 вмикає ключі АЗ, А4 і А11. Відстежуюча система (з операційних підсилювачів DА1 - DАЗ), що утворилася при цьому, забезпечує зарядку конденсаторів САК і СІНТ до напруги, що компенсує зміщення нуля DА1 - DАЗ. Вона залишається незмінною впродовж подальших фаз ІНТ і РІ. У результаті приведена до входу похибка виміру із-за зміщення нуля і його температурного дрейфу не перевищує 10 мкВ.
До складу мікросхеми входить тактовий генератор. Частота надходження його імпульсів визначається зовнішніми елементами RГ і СГ. Для подавлення завад з частотами, кратними 50 Гц, частота повторення має бути такою, щоб у відрізок часу інтегрування (4000 періодів Т тактового генератора) укладалося ціле число К періодів (20 мс) мережевої напруги. Інакше кажучи, 4000Т = К20 мс, де К = 1, 2, 3 тощо. Звідси f = 1/Т =200 /К кГц, тобто 200, 100, 67, 50, 40 кГц тощо.
Номінали деталей частотозадаючих ланцюгів тактового генератора розраховуються за формулою СГ = 0,45/(fГRГ). Для підвищення стабільності частоти між виводами 39 і 40 може бути включений кварцевий резонатор (елементи RГ і СГ в цьому випадку не підключають). При роботі мікросхеми від зовнішнього генератора тактові імпульси подають на вивід 40, виводи 38 і 39 при цьому залишають вільними.
Діапазон вхідної напруги мікросхеми залежить від зразкової напруги UЗРАЗ і визначається його співвідношенням з UВХ.макс = ±1,999 UЗРАЗ. Поточні покази індикаторів виражаються числом, рівним 1000 UВХ/ UЗРАЗ.
При використанні мікросхеми необхідно, щоб вихідна напруга буферного підсилювача DА1 та інтегратора DА2 не перевищувала граничної напруги лінійної ділянки, рівної 2В. Це накладає обмеження на співвідношення між зразковою напругою, частотою тактових імпульсів генератора, опором RІНТ і ємністю СІНТ. Рекомендовані співвідношення при f = 50 кГц: RІНТ = 47 кОм, СІНТ = 0,1 мкФ, СЗРАЗ = 1 мкФ, UЗРАЗ = 0,1 В, САК = 0,47 мкФ або RІНТ = 470 кОм, СІНТ = 0,1 мкФ, СЗРАЗ = 0,1 мкФ, UЗРАЗ = 1 В, САК = 0,047 мкФ. Для вказаної частоти СГ = 91пФ, RГ=100 кОм. Допустимі відхилення від номіналів вказаних елементів - не більше ±5 %.
Період вимірів при частоті тактових імпульсів 50 кГц складає 320 мс (3 виміри в секунду). Максимальний струм, споживаний мікросхемою від обох джерел живлення, - не більше 1,8 мА, вихідний струм старшого розряду - не менше 10 мА, інших - не менше 5 мА. Коефіцієнт послаблення синфазної напруги 100 дБ, похибка перетворення не перевищує 1, 3 і 5 одиниць молодшого розряду для мікросхем КР572ПВ2А, КР572ПВ2Б і КР572ПВ2В відповідно. Вказані параметри гарантуються при температурі (25 ±5)0С і живлячій напрузі плюс 5 В і мінус 5 В з нестабільністю ± 1% (напруга джерел живлення може бути плюс 5 В ±10 % і мінус 4, мінус 5, ...мінус 8 В). Нестабільність зразкової напруги має бути не гірша 0,1 %, оскільки вона входить в похибку виміру. Вхідний опір мікросхеми перевищує 100 МОм.