
- •Конспект по электронике Оглавление
- •Цифробуквенная система обозначения пассивных элементов на принципиальных схемах и на изделиях.
- •Буквенное обозначение точности резисторов и конденсаторов:
- •Плоскостной электронно-дырочный переход.
- •Система обозначения отечественных и импортных полупроводниковых приборов (диодов, тиристоров, транзисторов, электронных микросхем)
- •Фотоэлектрические и излучающие в видимом, ик и уф диапазоне полупроводниковые приборы. Полупроводниковые лазеры. Оптоэлектронные пары. Их применение. Системы динамической индикации
- •Излучающие полупроводниковые приборы.
- •Тепловой шум (Джонсона).
- •Дробовой шум.
- •3) Шум 1/f (фликкер - шум).
- •Формирователи и генераторы импульсных сигналов на оу. Компараторы, триггеры Шмитта. Генераторы линейно-измеряющегося напряжения на оу
- •Типы частотных характеристик фильтров.
- •Расчет фильтров
- •Сравнительные характеристики серии логических микросхем.
- •Двоичные сумматоры. Одноразрядные двоичные сумматоры. Параллельные многоразрядные сумматоры. Структурные схемы, особенности работы. Основные параметры.
Излучающие полупроводниковые приборы.
Всегда включаются в прямом направлении.
Светодиодами называются полупроводниковые приборы, преобразующие электрические сигналы в оптическую лучистую энергию некогерентного светового излучения.
При приложении к светодиоду прямого напряжения происходит инжекция носителей заряда, которая в сочетании с рекомбинацией с неосновными носителями вызывает излучение.
Основные параметры:
сила света (десятые доли÷единицы мКанделл);
яркость (десятки÷сотни Кандел на кв.см);
постоянное прямое напряжение
;
цвет свечения и длина волны, соответствующие максимальному световому потоку;
максимально допустимый постоянный прямой ток (десятки мА);
максимально допустимое постоянное обратное напряжение (единицы В).
Используются: в оптических линиях связи, индикаторных устройствах, оптопарах.
В лазерном диоде происходит одновременный спонтанный переход электронов с одного энергетического уровня на другой с излучением кванта света. Отличаются высокой направленностью и когерентностью – узкой спектральной полосой – и высокой синфазностью излученной электромагнитной волны.
Всем излучающим ПП элементам свойственна деградация.
Диапазон спектральной чувствительности ПП элементов:
Оптроны – это полупроводниковые приборы, в которых конструктивно объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой только оптическую связь.
Если оптрон имеет только один излучатель и один приемник, то он называется оптопарой.
Принцип действия оптронов любого вида основан на следующем. В излучателе энергия электрического сигнала преобразуется в световую, в фотоприемнике, наоборот, световой сигнал вызывает электрический отклик.
Достоинства:
отсутствие электрической связи между входом и выходом;
широкая полоса частот от 0 Гц до
Гц;
высокая помехозащищенность оптического канала.
Недостатки:
относительно большая потребляемая мощность и невысокий КПД;
низкая температурная стабильность;
ухудшение параметров с течением времени.
Используются: для гальванической развязки управляющих и силовых цепей в различных системах автоматизации, в ключевых источниках питания, в системах АРУ (автоматическое регулирование усиления).
Системы динамической индикации используются с целью уменьшения количества внешних выводов многоразрядных индикаторов. Применяются схемы динамической индикации, в которых в первый момент времени на катоды всех разрядов подается код первой цифры, а питающее напряжение подается только на аноды первого разряда. В следующий момент времени на параллельно соединенные катоды подается код 2-й цепи, но питающее напряжение подается только на аноды 2-го разряда (остальные погашены). Мерцание устраняется выбором достаточно высокой частоты переключения.
Знакосинтезирующий цифробуквенный индикатор
Для 12 разрядного индикатора при непосредственном подключении необходимо 12*8+1=97 выводов. Количество выводов можно уменьшить, если аноды индикаторов (для индикаторов с общим анодом) соединить с дешифратором номера цифры. Катоды одноименных сегментов всех индикаторов соединяются вместе и подключаются к выходам дешифратора цифры. Цифра числа подается на все индикаторы, но загораться будет тот, на анод которого подано напряжение от дешифратора номера цифры.
Количество выводов = 8+12=20. Выбирая достаточно большой частоту переключения, мы не замечаем мерцания, однако яркость уменьшается в n раз, где n – количество индикаторов.
Тиристоры. Конструкция и принцип действия. Режим работы, классификация, обозначение, параметры. Диодные, триодные, тетродные, запираемые и незапираемые транзисторы. ВАХ тиристора, процесс перехода из закрытого состояния в открытое и обратно. Типы, условные обозначения тиристоров. Работа тиристора в цепях постоянного тока. Фазовое управление тиристорами. Регуляторы и стабилизаторы напряжения на тиристорах
Тиристор – п/п прибор с тремя и более р-n переходами, ВАХ которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Тиристоры бывают:
диодные (динисторы) и триодные (тринисторы)
с управлением по катоду и по аноду
незапираемые и запираемые
Для использования в цепях переменного тока были разработаны триаки – симметричные тиристоры.
Структура тиристора
Т
иристор
имеет А(анод), К(катод) и две базы, к одной
из которых подключается управляющий
электрод. В результате получаем управление
по аноду или по катоду. Для понимания
работы тиристора можно воспользоваться
2-хтранзисторной моделью работы тиристора.
В которой тиристор представлен как
соединение 2-х транзисторов с разными
типами проводимостей. Коллектор каждого
из этих транзисторов соединен с базой
другого.
,
где
- статический коэффициент передачи тока
эмиттера,
- обратный ток перехода коллектор-база.
.
Так как
,
где
.
При малых напряжениях анод - катод через транзистор протекают токи утечки коллекторных переходов. Пока эти токи малы и коэффициент усиления меньше единицы транзистор остается закрытым. При увеличении этого напряжения токи утечки возрастают, коэффициент усиления по току транзистора начинает превышать единицу и так как коллекторный ток одного из транзистора является базовым током другого и наоборот, происходит лавинообразное открывание обоих.
Наличие управляющего электрода позволяет извне подавать ток, необходимый для открывания тиристоров.
На ВАХ тиристора можно выделить несколько областей с соответствующими режимами работы:
Режим 1 – (0-1) - режим прямого запирания - напряжение на аноде положительно относительно катода, ток незначителен.
Режим
2 – (1-2) - участок характеристики с
отрицательным дифференциальным
сопротивлением. Он начинается в т.ВАХ,
где
,
напряжение в этой точке называется
напряжением
включения
,
а ток через прибор – током
включения
.
Режим
3 – (2-3) – режим
прямой проводимости.
Он начинается в т.2. Напряжение в этой
точке называется напряжением удержания
,
а ток-током удержания
.
Это минимальные напряжение и ток,
необходимые для поддержания тиристора
в открытом состоянии.
Режим 4 – (0-4) – режим обратного запирания, когда напряжение анода относительно катода отрицательно.
Режим 5 – (4-5) – режим обратного пробоя.
По способу управления резисторы бывают однооперационными – выключение которых осуществляется снижением анодного тока ниже тока удержания или за счет включения анодного тока противоположного направления, и двухоперационными, которые включаются подачей на УЭ положительного напряжения, а выключается подачей на этот электрод импульса отрицательной полярности.
Основными параметрами тиристоров являются:
напряжение
и ток включения;
ток
выключения (удержания);
максимально
допустимый ток в открытом состоянии;
время
задержки включения и выключения;
класс по напряжению, под которым
понимается предельное эксплуатационное
напряжение в сотнях вольт, не вызывающее
самопроизвольного включения тиристора
или разрушения его структуры.
Например:
2Y206A
– тиристор p-n-p-n-запираемый.
при
токе
КУ108В – тиристор незапираемый.
при
токе
Для запирания незапираемого тиристора недостаточно уменьшить либо инвертировать напряжение на управляющем электроде. Необходимо также либо снизить до нуля, либо инвертировать напряжение на аноде, или, по крайней мере, уменьшить ток анода ниже тока удержания (до каких величин в справочниках не указывается). Запираемый тиристор можно закрыть подачей только на управляющий электрод запираемого тока, сравнимого по величине только с током анода.
Есть Iауд (ток анода удержания), при котором тиристор удерживается открытым (минимальный ток). В схеме с объединенными катодами можно подавать управляющий сигнал от одного устройства управления на оба электрода, разделенные диодами. При этом будет открываться тиристор, смещенный в прямом направлении.
Использование тиристоров на постоянном токе:
Подачей напряжения на УЭ VD1 отпираем его. Конденсатор заряжается в указанной полярности. Затем подаем напряжение на УЭ VD2, он отпирается, и напряжение на конденсаторе запирает VD1.
Ток конденсатора должен быть больше тока удержания, чтобы тиристор закрылся. VD2 запирается за счет выбора R2 такой величины, чтобы ток анода VD2 был меньше тока удержания. Длительность формируемого импульса определяется Rн, L, C.
Биполярные транзисторы (БПТ). Электрические и эксплуатационные параметры. Входные, выходные и проходные характеристики. Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры. Статистические характеристики (h-параметры) БПТ. Схемы включения БПТ (с общим эмиттером, общим коллектором, общей базой). Их сравнительный анализ и области применения. Уравнение Эберса-Молла, температурный коэффициент тока коллектора, внутреннее сопротивление эмиттера, максимальный коэффициент усиления по напряжению эффект Эрли, эффект Миллера
Биполярные транзисторы – п/п пробор, имеющий три зоны и два p-n-перехода. Прямосмещенный эмиттерный p-n-переход ускоряет электроны из эмиттера в базу. Если база узкая – меньше диффузионной длины – и электрон не успевает рекомбинировать в базе, он пролетает через базу в коллектор, ускоряясь положительным напряжением последнего. Изменяя прямое напряжение эмиттер-база , мы изменяем количество электронов, впрыскиваемых в базу из эмиттера, а значит и ток коллектора.
В усилительном режиме работы транзистора, эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном. Эмиттерный переход сильно легирован, коллектор - обеднен. Коллекторный переход должен быть равномерно легирован и в меньшей степени, чем эмиттер, с целью увеличения пробивного напряжения коллектор-база.
Iэ = Iк+Iб (Так как ток коллектора во много раз больше тока базы, то токи эмиттера и коллектора приближенно равны).
Статические характеристики:
Биполярный транзистор - (в процессе переноса заряда участвуют электроны и дырки) п/п прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами и тремя или более выводами, которые служат для усиления или переключения входного сигнала. По порядку чередования переходов различают - р-п-р и п-р-п. Различие у них в полярности подключения источника питания.
Схемы включения БПТ
В режиме работы класса А рабочая точка находится в середине линейного участка проходной характеристики.
Схема с ОБ:
Рабочая точка задается делителями R1 и R2.
Uбэ = Uб - Uэ
Uк = Uп - URк
Схема с общей базой не инвертирует фазу сигнала, имеет коэффициент усиления по току h21 < 1, (т к отношение тока коллектора к току эмиттера меньше единицы), коэффициент усиления по напряжению во много раз превышает единицу:
–– зависит от сопротивления источника
сигнала.
Входное сопротивление мало. Оно определяется низким сопротивлением прямосмещенного эмиттерного p-n-перехода.
Выходное сопротивление высоко. Оно определяется высоким сопротивлением обратносмещенного коллекторного p-n-перехода.
С1 и С2 необходимы для разделения усилительного каскада с генератором и нагрузкой для исключения протекания через них постоянного тока. СБ необходимо для сглаживания пульсации переменного сигнала и поддержания постоянного напряжения на базе.
Схема с общей базой используется для усиления высокой частоты (т.к. в ней отсутствует эффект Миллера) и в составе каскодных схем (в том числе и в дифферинциальном каскаде).
Каскод - два или более усилительных элемента с гальванической связью, выполняющих роль одного усилительного каскада.
Каскад – независимая усилительная ячейка, которую можно выделить из схемы и обозначить ее свойства.
Недостаток: низкое входное и высокое выходное сопротивление, отсутствие усиления по току.
Достоинства: не инвертируемая фаза.
Схема включения транзистора с общим эмиттером.
Сдвиг по фазе между входным и выходным напряжением равняется π, т.к. при увеличении напряжения на базе ток коллектора увеличивается и напряжение на коллекторе уменьшается за счёт увеличения падения напряжения на UR коллекторе.
- уравнение Эберса-Молла
- тепловой потенциал
Известно, что ТКUбэ = -2,1mВ/°С.
R - резистор, который выполняет роль отрицательной обратной связи по току.
Uбэ = Uб – Uэ
Iэ = Iк+Iб
Включая конденсатор Сэ || R, мы шунтируем R по переменному току, т.е. делаем переменный потенциал эмиттера равным нулю.
Rэ выбирается из диапазона (0.1 – 0.3)Rк для осуществления температурной стабилизации режима работы каскада. Для переменного тока его влияние ограничено уменьшением максимальной амплитуды неискажённого выходного сигнала.
Достоинства каскада с общим эмиттером: высокие коэффициенты по току h21 и напряжению (десятки, сотни), более высокие (по сравнению с ОБ) Rвх = h21(R+rэ0).
Недостатки: высокое Rвых, инвертирование сигнал (способствует возникновению самовозбуждения и уменьшает коэффициент усиления на высоких частотах вследствие эффекта Миллера), зависимость Кu от Rн;
Применение: предварительные, промежуточные и предвыходные каскады.
Схема включения транзистора с общим коллектором (эмиттерный повторитель).
Uб=Uэ+0,6
Коэффициент усиления по напряжению стремится к единице (но всегда меньше).
Коэффициент усиления по току:
Rвх = (Rэ+rэо)h21
Uб = Uэ
IбRвх=Iэ(Rэ+rэо)
Используется во входных каскадах для согласования с высоким сопротивлением источника сигнала; в промежуточных каскадах для согласования, особенно с высоким выходным сопротивлением источников тока, в выходных каскадах для согласования с низким сопротивлением нагрузки и потому, что его коэффициент не зависит от сопротивления нагрузки.
Сравнительный анализ схем включения транзистора
Параметр |
ОЭ |
ОБ |
ОК |
Rвх |
100Ом – 1кОм |
1 – 10Ом |
10 – 100кОм |
Rвых |
1 – 10кОм |
100кОм – 1Мом |
100Ом – 1кОм |
Кi |
10 – 100 |
<1(близко) |
10 – 100 |
КU |
10 – 100 |
10 – 100 |
<1(близко) |
Кp |
100 – 10000 |
10 – 100 |
10 – 100 |
φ |
π |
0 |
0 |
Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры
Статические характеристики биполярного транзистора, h-параметры
Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства.
Все параметры можно разделить на собственные (первичные) и вторичные.
Собственные параметры характеризуют свойства самого транзистора независимо от схемы его включения. К ним относятся: rэ – сопротивление эмиттера, rк – сопротивление коллектора, rб – сопротивление базы. Значения сопротивлений рассматриваются по отношению к переменной составляющей.
С учетом этих параметров транзистор, включенный по схеме с ОЭ, может быть представлен эквивалентной схемой.
Схема замещения:
Г
енератор
тока отражает усилительные свойства
схемы, а уменьшение коллекторного
сопротивления на 1-α – тот факт, что к
эмиттерному переходу прикладывается
часть напряжения Uкэ.
Статическими характеристиками транзисторов называют графики, выражающие функциональную зависимость между токами и напряжениями транзистора.
Статическими характеристиками являются статический коэффициент передачи тока эмиттера α и статический коэффициент передачи тока базы β.
С точки зрения системы вторичных параметров транзистор рассматривают как некоторый четырехполюсник со следующей схемой замещения.
Эквивалентная схема с h-параметрами:
1) Входное сопротивление при коротко
замкнутом выходе
при
,
к.з. на выходе по переменному току,
.
2)Коэффициент обратной связи по напряжению
при х.х. на входе,
.
Этот коэффициент показывает, какая доля
выходного переменного напряжения
передается на вход транзистора вследствие
отрицательной обратной связи в нем.
3) Усиление тока при к.з. на выходе по
переменному току
,
при
,
.
Показывает коэффициент усиления переменного тока транзистором в режиме работы без нагрузки.
4) Выходная проводимость при х.х. на входе
,
при
,
–
часто используют выходное сопротивление.
Представляет собой внутреннюю проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора.
Эффект Эрли
Эффект Эрли заключается в том, что изменение напряжения между коллектором и эмиттером влечет изменение напряжения между базой и эмиттером.
Эффект Миллера
У
силитель
обладает некоторым коэффициентом
усиления по напряжению Кu,
следовательно, небольшой сигнал
напряжения на входе порождает на
коллекторе сигнал, в Кu
раз превышающий входной (и инвертированный
по отношению к входному). Волна проходит
через конденсатор, попадает на базу и
уменьшает входной сигнал. Из этого
следует, что для источника сигнала
емкость Скб в (Кu +1) раз
больше, чем при подключении Скб между
базой и землей. Эффект Миллера часто
играет основную роль в спаде усиления,
так как типичное значение емкости
обратной связи около 4 пкФ соответствует
(эквивалентно) емкости в несколько сотен
пикофарад, присоединенной на землю.
Униполярные (полевые) транзисторы (ПТ). Принцип действия ПТ с p-n-переходом. Стоковая (выходная) и стоко-затворная (проходная) характеристики ПТ, основные параметры. ПТ металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) и металл – окисел – полупроводник (МОП) со встроенным и индуцированным каналами, конструкция, характеристики и параметры. Полярность подаваемых напряжений и особенности применения ПТ. Схемы включения ПТ с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС), общим затвором (ОЗ). Сравнительный анализ БПТ и ПТ. IGBT транзисторы
Полевые транзисторы (униполярные) - п/п приборы, в которых прохождение тока обусловлено дрейфом носителей заряда одного знака под действием продольного электрического поля.
С точки зрения носителя заряда их называют униполярные (одной полярности).
С точки зрения управления электрическим полем - полевыми.
Различают схемы включения:
- с общим истоком (подобно общему эмиттеру) которые позволяют получить усиление тока и напряжения и инвертирование фаз напряжения при усилении, имеют очень высокое входное и выходное сопротивления;
- с общим стоком (подобно общему коллектору и эмиттерному повторителю и может быть назван истоковым повторителем) имеет коэффициент усиления по напряжению, стремящийся к единице, выходное напряжение по значению и фазе повторяют входное, имеют очень высокое входное и низкое выходное сопротивления;
- с общим затвором (подобно общей базе)не дает усиления тока и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме с ОИ, входное сопротивление мало, в усилителях не используются, применяется в качестве линейных ключей и электронных потенциометров.
Отличие биполярных от полевых транзисторов: практически бесконечное входное сопротивление, несколько худшие усилительные свойства, лучшие температурные характеристики, возможность параллельного включения с целью увеличения тока, опасность повреждения статическим напряжением.
По способу создания канала различают ПТ с p-n-переходом (канал p- или n-типа), встроенным каналом (МДП) и индуцированным каналом (МОП).
ПТ с управляющим р-n переходом содержит три п/п области одного и того же типа проводимости, называемые истоком - каналом - стоком.
Движение носителей заряда начинается от истока в направлении стока по каналу, ширина которого зависит от напряжения, приложенного к затвору. Соответственно имеет 3 электрода: затвор, сток и исток. р-n переход является высокоомной областью неподвижных носителей заряда –ионов.
Подавая на затвор запирающее напряжение (в нашем случае "-") мы увеличиваем ширину р-n переходов и соответственно уменьшаем ширину канала и увеличиваем его сопротивление.
Резистор автоматического смещения служит для автоматического создания напряжения смещения. При его увеличении возможно полное запирание. Сопротивление в цепи затвора необходимо для заряда конденсатора.
При подаче на затвор отпирающего напряжения > 0,5В происходит отпирание р-n-перехода, возникает ток затвора и ПТ теряет основное своё преимущество: высокое входное сопротивление.
МОП с изолированным затвором и индуцированным каналом.
При приложении к затвору напряжения положительной полярности определенной величины, в области подложки (наиболее близко расположенная к затвору), под диэлектриком, образуется канал из неосновных носителей зарядов электронов. Для него характерно ещё большее входное сопротивление, но меньшее усиление, так как управляющий затвор находитя на большем расстоянии от канала.
МДП со встроенным каналом.
При подаче положительного напряжения увеличиваем ширину канала, и ток по нему тоже увеличивается. При подаче отрицательного напряжения уменьшаем ширину канала и ток по нему, вплоть до полного закрытия транзистора.
«+» возможность работы без начального смещения
«-» протекание тока при наличие U3 = О
Чтобы р-п переходы были надёжно заперты относительно подложки (П), мы подаём на П напряжение, противоположное полярности по отношению к напряжению на стоке, т.е. для п - канала это будет "-". В обычных случаях соединяем П и U
КМОП - комплиментарные МОП с п и р переходом.
«+» отрицательный температурный коэффициент мощности, т.е. при нагреве ток стока уменьшается.
ПТ п - типа с р-п переходом не рекомендуется использовать при комбинации больших (20-50В) напряжений на затворах и относительно больших (> 1 мА) тока стока, из-за резкого возрастания тока затвора.
Достоинства ПТ: высокое входное сопротивление.
Недостатки: более низкое, по сравнению с БПТ, усиление по напряжению.
Основные параметры и характеристики электронных усилителей. Общие сведения. Основные свойства, классификация и структура усилителя. Амплитудно-частотная, амплитудная и фазовая характеристики. Их основные параметры. Шумы усилителя (тепловой, дробовой, фликкер-шум). Шумы тока и напряжения. Критерии применения ПТ и БПТ исходя из требований минимизации шумов при различных сопротивлениях источника сигнала. Синфазные и противофазные помехи. Способы их уменьшения и экранирования.
Усилители - устройства, предназначенные для увеличения параметров электрического сигнала (напряжения, тока, мощности).
У
силитель
имеет входную цепь, к которой подводится
усиливаемый сигнал, и выходную цепь, с
которой выходной сигнал снимается и
подается в нагрузку.
УПТ –
усилитель постоянного тока
УЗЧ –
усилитель звуковых частот
УНЧ –
усилитель низких частот
УВЧ –
усилитель высоких частот
ШПУ –
широкополосные усилители
УПУ - узкополосные усилители
Δf = fв-fн - полоса пропускания или полоса усиливаемых частот.
Амплитудно-частотная
характеристика
отражает зависимость модуля коэффициента
усиления
,
определяемого для синусоидального
входного сигнала от частоты. Однако
очень редко один усилительный каскад
обеспечивает требуемый коэффициент
усиления. Поэтому применяют много
каскадные усилители с конденсаторной
связью между каскадами, общий коэффициент
усиления которых определяется как
произведение коэффициентов усиления
всех каскадов
.
Каскады
рассчитываются последовательно от
оконечного к первому. Оконечный каскад
обеспечивает получение требуемой
мощности сигнала на нагрузке
.
По коэффициенту усиления оконечного
каскада определяют параметры его
входного сигнала, являющиеся исходными
для расчета предоконечного каскада
и.т.д. Наличие в схеме усилителя
конденсаторов и зависимость параметров
усилителя от частоты приводит к тому,
что при изменении частоты входного
сигнала напряжение на выходе усилителя
изменяется не только по амплитуде, но
и по фазе.
Поэтому второй характеристикой усилителей является фазо-частотная характеристика (ФЧХ), определяющая зависимость угла фазового сдвига от частоты.
Усилительный каскад задерживает сигнал на какое-то время. Каждые гармонические составляющие задерживаются на разное время.
Амплитудная характеристика усилителя (реальная):
П
о
амплитудной характеристике можно
выделить следующие основные
параметры усилителя:
Коэффициент усиления по току
;
Коэффициент усиления по напряжению
Коэффициент усиления по мощности
;
Чувствительность усилителя— минимальное значение входного сигнала, при котором полезный сигнал на выходе уже различим на уровне помех (при отношении сигнал - шум)
Динамический диапазон - отношение амплитуды максимально допустимого выходного напряжения к минимально допустимому, при которых не возникает искажение
.
Происхождение и виды шумов.