
- •Отчёт по курсовой работе
- •Содержание:
- •Аннотация
- •1. Постановка задачи, описание способа её выполнения
- •2. Описание программного модуля асоника-к-зип, подсистем асоника-тм, асоника-к
- •2.1 Описание подсистемы асоника-тм
- •2.1.1 Исходные данные для расчета в подсистеме асоника-тм
- •2.1.2 Результаты расчета подсистемы асоника-тм
- •2.2 Описание подсистемы асоника-к
- •2.2.1 Исходные данные для расчета в подсистеме асоника-к
- •2.2.2 Результаты расчета подсистемы асоника-к
- •2.3 Описание программного модуля асоника-к-зип
- •2.3.1 Исходные данные для расчета в программном модуле асоника-к-зип
- •2.3.2 Результаты расчета программного модуля асоника-к-зип
- •3. Формирование исходных данных для расчета
- •4. Проведение расчетов
- •4.1 Проведение расчета в подсистеме асоника-тм
- •4.2 Проведение расчета в подсистеме асоника-к
- •4.3 Проведение расчета в программном модуле асоника-к-зип
- •5. Анализ результатов расчета
- •Заключение
- •Список используемой литературы:
4. Проведение расчетов
4.1 Проведение расчета в подсистеме асоника-тм
В соответствии с исходными данными, приведенными в пункте 3, – были получены результаты расчета, представленные на Рис. 21 и в таблице (Таблица 5). В последнем столбце таблицы приведена группа аппаратуры для данного ЭРИ, в соответствии с государственным стандартом (источник [4]).
Рис. 21АСОНИКА-ТМ, результат расчета стационарного теплового воздействия
Таблица 5 Результаты расчета ПУ в подсистеме АСОНИКА-ТМ
№ |
Обозначение ЭРИ |
Температура ЭРИ |
Максимальное ускорение при гармонической вибрации с учетом температуры |
Эквивалентное ускорение при случайной вибрации с учетом температуры |
Максимальное ускорение при одиночном ударном воздействии с учетом температуры |
Группа аппаратуры по источнику [4] | |
|
|
[ °C ] |
[ g ] |
[ g ] |
[ g ] |
| |
Группа диоды 2Д213Б |
| ||||||
1 |
VD5 |
43.95 |
5.71 |
11.05 |
79.10 |
1.5 | |
2 |
VD3 |
42.04 |
9.78 |
11.46 |
89.22 |
1.5 | |
3 |
VD6 |
42.83 |
4.83 |
11.23 |
73.54 |
1.4 | |
4 |
VD4 |
42.95 |
9.51 |
11.89 |
89.07 |
1.5 | |
Группа резисторы С2-33Н-0.125 |
| ||||||
5 |
R9 |
42.75 |
10.35 |
11.38 |
91.36 |
3.3 | |
6 |
R13 |
42.76 |
6.54 |
9.64 |
71.34 |
1.4 | |
7 |
R12 |
42.76 |
5.19 |
8.45 |
85.84 |
1.5 | |
8 |
R11 |
42.76 |
6.42 |
12.03 |
117.35 |
1.5 | |
9 |
R10 |
42.52 |
18.07 |
12.77 |
127.95 |
3.4 | |
10 |
R17 |
42.76 |
6.54 |
9.64 |
71.34 |
1.4 | |
11 |
R16 |
42.76 |
5.19 |
8.45 |
85.84 |
1.5 | |
12 |
R15 |
42.76 |
6.42 |
12.03 |
117.35 |
1.5 | |
13 |
R14 |
42.73 |
10.43 |
11.56 |
90.76 |
3.3 | |
14 |
R18 |
42.73 |
10.43 |
11.56 |
90.76 |
3.3 | |
15 |
R7 |
42.53 |
7.75 |
12.44 |
116.10 |
1.5 | |
16 |
R8 |
42.54 |
7.85 |
10.83 |
77.80 |
1.5 | |
Группа конденсаторы К10-47А 50В 6.8 мкФ Н90 |
| ||||||
17 |
С1 |
40.18 |
5.51 |
9.37 |
86.22 |
1.5 | |
18 |
С3 |
40.24 |
11.74 |
14.41 |
102.99 |
3.3 | |
19 |
С2 |
40.77 |
4.31 |
9.32 |
62.61 |
1.7 | |
Группа конденсаторы К10-47А 50В 1 мкФ Н30 |
| ||||||
20 |
С4 |
40.31 |
12.62 |
15.98 |
163.41 |
3.4 | |
21 |
С7 |
40.23 |
10.30 |
13.23 |
114.35 |
3.3 | |
22 |
С6 |
40.22 |
13.94 |
12.27 |
118.71 |
3.3 | |
23 |
С5 |
40.22 |
9.76 |
10.50 |
100.14 |
1.5 | |
Группа диоды 2Д212А |
| ||||||
24 |
VD2 |
42.86 |
8.12 |
12.41 |
114.87 |
1.5 | |
Группа интегральные микросхемы 142ЕН8А |
| ||||||
25 |
DA1 |
42.36 |
6.41 |
11.60 |
120.69 |
1.5 | |
Группа интегральные микросхемы 142ЕН5А |
| ||||||
26 |
DA2 |
43.31 |
7.98 |
11.01 |
65.07 |
1.4 | |
Группа резисторы С2-33Н-1.0 |
| ||||||
27 |
R6 |
40.89 |
6.22 |
11.16 |
112.86 |
1.5 |
4.2 Проведение расчета в подсистеме асоника-к
ЭРИ, входящие в состав ПУ необходимо выбрать из базы данных подсистемы АСОНИКА-К, задать температуру и группу аппаратуры. Результат расчета в подсистеме АСОНИКА-К приведен на Рис. 22 и в таблице (Таблица 6).
Рис. 22 Результаты расчета ПУ в подсистеме АСОНИКА-К
Таблица 6 Результаты расчета ПУ в подсистеме АСОНИКА-К
№ |
Обозначение ЭРИ |
Эксплуатационная интенсивность отказов |
Интенсивность отказов в режиме ожидания |
|
|
[ 1/ч ] |
[ 1/ч ] |
Группа диоды 2Д213Б | |||
1 |
VD5 |
3,86∙10-7 |
6,73∙10-10 |
2 |
VD3 |
3,73∙10-7 |
5,62∙10-10 |
3 |
VD6 |
3,79∙10-7 |
6,73∙10-10 |
4 |
VD4 |
3,79∙10-7 |
6,73∙10-10 |
Группа резисторы С2-33Н-0.125 | |||
5 |
R9 |
7,38∙10-7 |
5,91∙10-11 |
6 |
R13 |
3,69∙10-7 |
5,91∙10-11 |
7 |
R12 |
3,69∙10-7 |
5,91∙10-11 |
8 |
R11 |
3,69∙10-7 |
5,91∙10-11 |
9 |
R10 |
7,28∙10-7 |
5,87∙10-11 |
10 |
R17 |
3,69∙10-7 |
5,91∙10-11 |
11 |
R16 |
3,69∙10-7 |
5,91∙10-11 |
12 |
R15 |
3,69∙10-7 |
5,91∙10-11 |
13 |
R14 |
7,35∙10-7 |
5,90∙10-11 |
14 |
R18 |
7,38∙10-7 |
5,91∙10-11 |
15 |
R7 |
3,64∙10-7 |
5,87∙10-11 |
16 |
R8 |
3,64∙10-7 |
5,87∙10-11 |
Группа конденсаторы К10-47А 50В 6.8 мкФ Н90 | |||
17 |
С1 |
4,76∙10-9 |
4,54∙10-10 |
18 |
С3 |
7,62∙10-9 |
4,54∙10-10 |
19 |
С2 |
4,94∙10-9 |
4,71∙10-10 |
Группа конденсаторы К10-47А 50В 1 мкФ Н30 | |||
20 |
С4 |
7,99∙10-9 |
4,54∙10-10 |
21 |
С7 |
7,99∙10-9 |
4,54∙10-10 |
22 |
С6 |
7,99∙10-9 |
4,54∙10-10 |
23 |
С5 |
4,99∙10-9 |
4,54∙10-10 |
Группа диоды 2Д212А | |||
24 |
VD2 |
3,43∙10-7 |
8,41∙10-10 |
Группа интегральные микросхемы 142ЕН8А | |||
25 |
DA1 |
6,24∙10-8 |
1,87∙10-9 |
Группа интегральные микросхемы 142ЕН5А | |||
26 |
DA2 |
6,38∙10-8 |
1,91∙10-9 |
Группа резисторы С2-33Н-1.0 | |||
27 |
R6 |
4,50∙10-7 |
5,83∙10-11 |
По результатам расчетов (Рис. 22 и Таблица 6) подсистемы АСОНИКА-К составим таблицу (Таблица 7), в которой проведем группировку значений таблицы результатов расчета подсистемы АСОНИКА-К (Таблица 6). Для этого – для групп компонентов, имеющих одинаковые типономиналы ЭРИ, рассчитаем средние значения интенсивностей отказов в режимах эксплуатации и ожидания.
Таблица 7 средние значения интенсивностей отказов
№ |
Типономинал ЭРИ |
Обозначения ЭРИ данного типономинала |
Средняя эксплуатационная интенсивность отказов |
Средняя интенсивность отказов в режиме ожидания (хранения) |
|
|
|
[ 1/ч ] |
[ 1/ч ] |
1 |
диоды 2Д213Б |
VD5, VD3, VD6, VD4 |
3,7925∙10-7 |
6,4525∙10-10 |
2 |
резисторы С2-33Н-0.125 |
R9, R13, R12, R11, R10, R17, R16 , R15, R14, R18, R7, R8 |
4,9008∙10-7
|
5,8992∙10-11
|
3 |
конденсаторы К10-47А 50В 6.8 мкФ Н90 |
C1,C3,C2 |
5,7733∙10-9
|
4,5967∙10-10
|
4 |
конденсаторы К10-47А 50В 1 мкФ Н30 |
C4,C7,C6,C5 |
7,2400∙10-9
|
4,5400∙10-10
|
5 |
диоды 2Д212А |
VD2 |
3,43∙10-7 |
8,41∙10-10 |
6 |
интегральные микросхемы 142ЕН8А |
DA1 |
6,24∙10-8 |
1,87∙10-9 |
7 |
интегральные микросхемы 142ЕН5А |
DA2 |
6,38∙10-8 |
1,∙10-9 |
8 |
резисторы С2-33Н-1.0 |
R6 |
4,50∙10-7 |
5,83∙10-11 |