 
        
        - •Отчёт по курсовой работе
- •Содержание:
- •Аннотация
- •1. Постановка задачи, описание способа её выполнения
- •2. Описание программного модуля асоника-к-зип, подсистем асоника-тм, асоника-к
- •2.1 Описание подсистемы асоника-тм
- •2.1.1 Исходные данные для расчета в подсистеме асоника-тм
- •2.1.2 Результаты расчета подсистемы асоника-тм
- •2.2 Описание подсистемы асоника-к
- •2.2.1 Исходные данные для расчета в подсистеме асоника-к
- •2.2.2 Результаты расчета подсистемы асоника-к
- •2.3 Описание программного модуля асоника-к-зип
- •2.3.1 Исходные данные для расчета в программном модуле асоника-к-зип
- •2.3.2 Результаты расчета программного модуля асоника-к-зип
- •3. Формирование исходных данных для расчета
- •4. Проведение расчетов
- •4.1 Проведение расчета в подсистеме асоника-тм
- •4.2 Проведение расчета в подсистеме асоника-к
- •4.3 Проведение расчета в программном модуле асоника-к-зип
- •5. Анализ результатов расчета
- •Заключение
- •Список используемой литературы:
4. Проведение расчетов
4.1 Проведение расчета в подсистеме асоника-тм
В соответствии с исходными данными, приведенными в пункте 3, – были получены результаты расчета, представленные на Рис. 21 и в таблице (Таблица 5). В последнем столбце таблицы приведена группа аппаратуры для данного ЭРИ, в соответствии с государственным стандартом (источник [4]).

Рис. 21АСОНИКА-ТМ, результат расчета стационарного теплового воздействия
Таблица 5 Результаты расчета ПУ в подсистеме АСОНИКА-ТМ
| № | Обозначение ЭРИ | Температура ЭРИ | Максимальное ускорение при гармонической вибрации с учетом температуры | Эквивалентное ускорение при случайной вибрации с учетом температуры | Максимальное ускорение при одиночном ударном воздействии с учетом температуры | Группа аппаратуры по источнику [4] | |
| 
 | 
 | [ °C ] | [ g ] | [ g ] | [ g ] | 
 | |
| Группа диоды 2Д213Б | 
 | ||||||
| 1 | VD5 | 43.95 | 5.71 | 11.05 | 79.10 | 1.5 | |
| 2 | VD3 | 42.04 | 9.78 | 11.46 | 89.22 | 1.5 | |
| 3 | VD6 | 42.83 | 4.83 | 11.23 | 73.54 | 1.4 | |
| 4 | VD4 | 42.95 | 9.51 | 11.89 | 89.07 | 1.5 | |
| Группа резисторы С2-33Н-0.125 | 
 | ||||||
| 5 | R9 | 42.75 | 10.35 | 11.38 | 91.36 | 3.3 | |
| 6 | R13 | 42.76 | 6.54 | 9.64 | 71.34 | 1.4 | |
| 7 | R12 | 42.76 | 5.19 | 8.45 | 85.84 | 1.5 | |
| 8 | R11 | 42.76 | 6.42 | 12.03 | 117.35 | 1.5 | |
| 9 | R10 | 42.52 | 18.07 | 12.77 | 127.95 | 3.4 | |
| 10 | R17 | 42.76 | 6.54 | 9.64 | 71.34 | 1.4 | |
| 11 | R16 | 42.76 | 5.19 | 8.45 | 85.84 | 1.5 | |
| 12 | R15 | 42.76 | 6.42 | 12.03 | 117.35 | 1.5 | |
| 13 | R14 | 42.73 | 10.43 | 11.56 | 90.76 | 3.3 | |
| 14 | R18 | 42.73 | 10.43 | 11.56 | 90.76 | 3.3 | |
| 15 | R7 | 42.53 | 7.75 | 12.44 | 116.10 | 1.5 | |
| 16 | R8 | 42.54 | 7.85 | 10.83 | 77.80 | 1.5 | |
| Группа конденсаторы К10-47А 50В 6.8 мкФ Н90 | 
 | ||||||
| 17 | С1 | 40.18 | 5.51 | 9.37 | 86.22 | 1.5 | |
| 18 | С3 | 40.24 | 11.74 | 14.41 | 102.99 | 3.3 | |
| 19 | С2 | 40.77 | 4.31 | 9.32 | 62.61 | 1.7 | |
| Группа конденсаторы К10-47А 50В 1 мкФ Н30 | 
 | ||||||
| 20 | С4 | 40.31 | 12.62 | 15.98 | 163.41 | 3.4 | |
| 21 | С7 | 40.23 | 10.30 | 13.23 | 114.35 | 3.3 | |
| 22 | С6 | 40.22 | 13.94 | 12.27 | 118.71 | 3.3 | |
| 23 | С5 | 40.22 | 9.76 | 10.50 | 100.14 | 1.5 | |
| Группа диоды 2Д212А | 
 | ||||||
| 24 | VD2 | 42.86 | 8.12 | 12.41 | 114.87 | 1.5 | |
| Группа интегральные микросхемы 142ЕН8А | 
 | ||||||
| 25 | DA1 | 42.36 | 6.41 | 11.60 | 120.69 | 1.5 | |
| Группа интегральные микросхемы 142ЕН5А | 
 | ||||||
| 26 | DA2 | 43.31 | 7.98 | 11.01 | 65.07 | 1.4 | |
| Группа резисторы С2-33Н-1.0 | 
 | ||||||
| 27 | R6 | 40.89 | 6.22 | 11.16 | 112.86 | 1.5 | |
4.2 Проведение расчета в подсистеме асоника-к
ЭРИ, входящие в состав ПУ необходимо выбрать из базы данных подсистемы АСОНИКА-К, задать температуру и группу аппаратуры. Результат расчета в подсистеме АСОНИКА-К приведен на Рис. 22 и в таблице (Таблица 6).

Рис. 22 Результаты расчета ПУ в подсистеме АСОНИКА-К
Таблица 6 Результаты расчета ПУ в подсистеме АСОНИКА-К
| № | Обозначение ЭРИ | Эксплуатационная интенсивность отказов | Интенсивность отказов в режиме ожидания | 
| 
 | 
 | [ 1/ч ] | [ 1/ч ] | 
| Группа диоды 2Д213Б | |||
| 1 | VD5 | 3,86∙10-7 | 6,73∙10-10 | 
| 2 | VD3 | 3,73∙10-7 | 5,62∙10-10 | 
| 3 | VD6 | 3,79∙10-7 | 6,73∙10-10 | 
| 4 | VD4 | 3,79∙10-7 | 6,73∙10-10 | 
| Группа резисторы С2-33Н-0.125 | |||
| 5 | R9 | 7,38∙10-7 | 5,91∙10-11 | 
| 6 | R13 | 3,69∙10-7 | 5,91∙10-11 | 
| 7 | R12 | 3,69∙10-7 | 5,91∙10-11 | 
| 8 | R11 | 3,69∙10-7 | 5,91∙10-11 | 
| 9 | R10 | 7,28∙10-7 | 5,87∙10-11 | 
| 10 | R17 | 3,69∙10-7 | 5,91∙10-11 | 
| 11 | R16 | 3,69∙10-7 | 5,91∙10-11 | 
| 12 | R15 | 3,69∙10-7 | 5,91∙10-11 | 
| 13 | R14 | 7,35∙10-7 | 5,90∙10-11 | 
| 14 | R18 | 7,38∙10-7 | 5,91∙10-11 | 
| 15 | R7 | 3,64∙10-7 | 5,87∙10-11 | 
| 16 | R8 | 3,64∙10-7 | 5,87∙10-11 | 
| Группа конденсаторы К10-47А 50В 6.8 мкФ Н90 | |||
| 17 | С1 | 4,76∙10-9 | 4,54∙10-10 | 
| 18 | С3 | 7,62∙10-9 | 4,54∙10-10 | 
| 19 | С2 | 4,94∙10-9 | 4,71∙10-10 | 
| Группа конденсаторы К10-47А 50В 1 мкФ Н30 | |||
| 20 | С4 | 7,99∙10-9 | 4,54∙10-10 | 
| 21 | С7 | 7,99∙10-9 | 4,54∙10-10 | 
| 22 | С6 | 7,99∙10-9 | 4,54∙10-10 | 
| 23 | С5 | 4,99∙10-9 | 4,54∙10-10 | 
| Группа диоды 2Д212А | |||
| 24 | VD2 | 3,43∙10-7 | 8,41∙10-10 | 
| Группа интегральные микросхемы 142ЕН8А | |||
| 25 | DA1 | 6,24∙10-8 | 1,87∙10-9 | 
| Группа интегральные микросхемы 142ЕН5А | |||
| 26 | DA2 | 6,38∙10-8 | 1,91∙10-9 | 
| Группа резисторы С2-33Н-1.0 | |||
| 27 | R6 | 4,50∙10-7 | 5,83∙10-11 | 
По результатам расчетов (Рис. 22 и Таблица 6) подсистемы АСОНИКА-К составим таблицу (Таблица 7), в которой проведем группировку значений таблицы результатов расчета подсистемы АСОНИКА-К (Таблица 6). Для этого – для групп компонентов, имеющих одинаковые типономиналы ЭРИ, рассчитаем средние значения интенсивностей отказов в режимах эксплуатации и ожидания.
Таблица 7 средние значения интенсивностей отказов
| № | Типономинал ЭРИ | Обозначения ЭРИ данного типономинала | Средняя эксплуатационная интенсивность отказов | Средняя интенсивность отказов в режиме ожидания (хранения) | 
| 
 | 
 | 
 | [ 1/ч ] | [ 1/ч ] | 
| 1 | диоды 2Д213Б | VD5, VD3, VD6, VD4 | 3,7925∙10-7 | 6,4525∙10-10 | 
| 2 | резисторы С2-33Н-0.125 | R9, R13, R12, R11, R10, R17, R16 , R15, R14, R18, R7, R8 | 4,9008∙10-7 
 | 5,8992∙10-11 
 | 
| 3 | конденсаторы К10-47А 50В 6.8 мкФ Н90 | C1,C3,C2 | 5,7733∙10-9 
 | 4,5967∙10-10 
 | 
| 4 | конденсаторы К10-47А 50В 1 мкФ Н30 | C4,C7,C6,C5 | 7,2400∙10-9 
 | 4,5400∙10-10 
 | 
| 5 | диоды 2Д212А | VD2 | 3,43∙10-7 | 8,41∙10-10 | 
| 6 | интегральные микросхемы 142ЕН8А | DA1 | 6,24∙10-8 | 1,87∙10-9 | 
| 7 | интегральные микросхемы 142ЕН5А | DA2 | 6,38∙10-8 | 1,∙10-9 | 
| 8 | резисторы С2-33Н-1.0 | R6 | 4,50∙10-7 | 5,83∙10-11 | 
