3. Технологический маршрут изготовления микросхемы.

1. Подготовка поверхности

2. Термическое окисление кремния с целью получению пленки SiO₂, которая будет служить маской при диффузии.

3. Фотолиграфия для вскрытия окна под диффузией примеси n-типа.

4. Диффузия примесей n⁺ - типа. Формирование скрытого подколлекторного слоя.

5. Удаление оксидной пленки.

6. Эпитаксиальное наращивание кремния n-типа

7. Термическое окисление кремния для получения пленки SiO₂, которая будет служить маской при диффузии.

8. Фотолиграфия для вскрытия окон под изолирующую диффузию.

9. Диффузия примесей р – типа для формирования изолирующих областей.

10. Фотолиграфия для вскрытия окон под базовую диффузию и под диффузию области резистора.

11. Диффузия примесей р – типа для формирования обл. базы и резистора на основе базовой диффузии.

12. Осаждение оксидной пленки, которая будет служить маской при диффузии.

13. Фотолиграфия для вскрытия окон под диффузию примеси n⁺ - типа.

14. Диффузия примесей n – типа для формирования эмиттера и n⁺ области под контактом коллектора.

15. Осаждение оксидной пленки, которая будет выполнять изоляционную область.

16. Фотолитография для вскрытия окон под контактом.

17. Нанесение пленки металла

18. Фотолитография по металлической пленке для формирования проводников, контактов и внешних контактных площадок.

19. Нанесение защитной пленки диэлектрика.

20. Фотолитография по пленке диэлектрика для вскрытия окон с внешним контактным площадкам и удалением диэлектрика с разделительных полос.

21. Разделение пластин на кристаллы.

22. Установка кристалла на основание корпуса

23. Присоединение выводов корпуса к контактам площадок

24. Герметизация

25. Выборочный контроль герметичности.

26. Выходной контроль

27. Маркировка корпуса.