4. Порядок виконання роботи

1. В системі схемотехнічного моделювання Micro-Cap8 (MC8) вибрати польовий транзистор з керувальним р-n–переходом J1 типу 2N5640 та ознайомитись з його параметрами.

2. Порівняти вихідні характеристики різних типів транзисторів та їх струми стоку.

3. За допомогою системи MC8 синтезувати схему для дослідження вольт-амперних характеристик польового транзистора з керувальним р-n–переходом (рис.5,а). Використати джерела постійної напруги типу Battery V1=4 В i V2=20 В.

4. Отримати стік-затворну характеристику транзистора I_С=f(U_ЗВ), якщо U_СВ=const, та сім’ю вихідних характеристик I_С=f(U_СВ), якщо U_ЗВ=const.

5. За допомогою системи MC8 синтезувати схему для дослідження ВАХ польового транзистора з ізольованим затвором М1 типу 2P912A (рис.5,б). Використати джерела постійної напруги типу Battery V1=5 В i V2=20 В.

6. Отримати стік-затворну характеристику транзистора I_С=f(U_ЗВ), якщо U_СВ=const, та сім’ю вихідних характеристик I_С=f(U_СВ), якщо U_ЗВ=const.

7. Порівняти вихідні характеристики та струми стоку для різних типів МОН-транзисторів

8. Визначити вихідний диференціальний опір, напругу відсікання та крутість характеристики польових транзисторів з керувальним р-n–переходом та з ізольованим затвором.

а) б)

Рис.5. Схеми дослідження ВАХ польового транзистора з керувальним р-n–переходом і каналом n-типу (а); та(польового транзистора з ізольованим затвором (МОН-транзистора) з індукованим каналом п-типу (б)

5. Методичні вказівки

5.1. Моделі польових транзисторів з керувальним р-n–переходом

Польові транзистори з керувальним р-n–переходом в системі МС8 вибираються за допомогою таких шляхів в меню: Компоненты/ Analog Primitives/Active Devices/NJFET (або PJFET) (рис.6), або Компоненты/ Analog Library/JFET. Далі в підменю потрібно вибрати потрібний тип транзистора.

Рис.6. Вікно вибору Компоненты для вибору польових транзисторів з керувальним р-п-переходом

В атрибуті Part задається ім’я транзистора у схемі, в атрибуті Model вказується ім’я моделі транзистора, яку можна вибрати з каталогу справа.

Список параметрів повної математичної моделі польового транзистора з керувальним р-n–переходом вказаний у табл..1.

Таблиця 1. Параметри моделі польового транзистора з керувальним р-n–переходом

Позначення	Параметр	Значення за замовчуванням	Одиницявимірю-вання
VTO	Порогова напруга	–2	В
BETA	Коефіцієнт пропорційності (питома передавальна провідність)	1E-4	А/В2
LAMBDA	Параметр модуляції довжини каналу	0	1/В
IS	Струм насичення р-n-переходу затвор-канал	1E-14	А
RD	Об’ємний опір області стоку	0	Ом
RS	Об’ємний опір області витоку	0	Ом
CGD	Ємність переходу затвор-стік при нульовому зміщенні	0	Ф
CGS	Ємність переходу затвор-витік при нульовому зміщенні	0	Ф
M	Коефіцієнт плавності переходу затвор- витік	0,5
FC	Коефіцієнт нелінійності ємностей переходів при прямому зміщенні	0,5	"
PB	Контактна різниця потенціалів р-n-переходу затвора	1	В
VTOTC	Температурний коефіцієнт VTO	0	В/°С
ВЕТАТСЕ	Температурний експоненціальний коефіцієнт BETA	0	%/°С
XTI	Температурний коефіцієнт струму IS	3	—
KF	Коефіцієнт, що визначає спектральну густину флікер-шуму	0
AF	Показаник ступеня, що визначає залежність спектральної густини флікер-шуму від струму	1
T_MEASURED	Температура вимірювання	—	°С
T_ABS	Абсолютна температура	—	°С
T_REL_GLOBAL	Відносна температура	—	°С
T_REL_LOCAL	Різниця між температурою транзистора і моделі-прототипу		°С