Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Робочий зошит _Електротехніка_МБ_Тема_10.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
97.81 Кб
Скачать

Тема 10 основи електроніки

10.1 Електронно-дірковий перехід

Тести інформаційно-репродуктивного характеру

Таблиця 10.1

Номер

запитання, завдання

Запитання, завдання

Номер

вірної відповіді

Які речовини називають напівпровідниками?

Якими властивостями володіють напівпровідники?

Як утворюються напівпровідники?

Що є носіями зарядів у напівпровідниках n-типу?

Як утворюються напівпровідники n-типу?

Що є носіями зарядів у напівпровідниках р-типу?

Як утворюються напівпровідники р-типу?

Як утворюються напівпровідники р-n-типу?

Що розуміється під р-n-переходом?

Що розуміється під замикаючим шаром?

Що розуміється під прямим струмом і прямою напругою напівпровідника?

Опишіть роботу напівпровідника р-n-типу при прямій напрузі.

Що розуміється під зворотним струмом і зворотною напругою напівпровідника?

Опишіть роботу напівпровідника р-n-типу при зворотній напрузі.

У разі вірного виконання тестів Σнепарних – Σпарних = 9.

Таблиця 10.1а

Номер

відповіді

Відповіді

Електрони під дією прикладеної напруги з n-шару надходять до джерела, з якого проникають в р-шар, заповнюючи дірки, що припиняється, коли товщина замикаючого шару стане пропорційною прикладеній напрузі джерела.

Місце з'єднання р-шару та n-шару, у якому електрони n-шару заповнюють дірки р-шару.

Місце з'єднання р-шару та n-шару, у якому утворюється шар речовини, який не має вільних зарядів.

Різниця потенціалів і електричний струм напівпровідника, якщо від джерела постійної е.р.с. до р-шару прикласти позитивний потенціал, а до n-шару – негативний потенціал.

Якщо з'єднати напівпровідник р-типу з напівпровідником n-типу.

Електрони під дією прикладеної напруги з n-шару проникають в р-шар, заповнюючи дірки. Нестача електронів в n-шарі та дірок у р-шарі компенсується за рахунок джерела е.р.с.

Різниця потенціалів і електричний струм, якщо від джерела постійної е.р.с. до р-шару напівпровідника прикласти негативний потенціал, а до n-шару – позитивний потенціал.

Речовини, у яких валентна зона та зона провідності розділені забороненою зоною, ширина якої набагато менше, ніж у діелектриків; при цьому їх електропровідність знаходиться між провідниками та діелектриками.

Електрони.

При прямій напрузі проводять електричний струм в одному напряму, а при зворотній напрузі практично не проводять; при збільшенні температури їх питомий опір знижується.

У результаті хімічного донорно-акцепторного зв'язку.

Внесенням в хімічний елемент IV групи як домішки хімічного елементу III групи.

Внесенням в хімічний елемент IV групи як домішки хімічного елементу V групи.

Дірки (тобто відсутності електронів в атомах напівпровідника), які мають позитивний заряд, що дорівнює за модулем заряду електрона.