- •Тема 10
- •Тема 10 основи електроніки
- •10.1 Електронно-дірковий перехід
- •10.2 Напівпровідниковий випрямний діод
- •10.3 Випрямлення змінного струму
- •10.4 Тиристор
- •10.5 Транзистор, посилення електричного сигналу
- •Лабораторна робота № 10
- •1. Опис експериментальної установки
- •2. Завдання з виконання експериментального дослідження
Тема 10 основи електроніки
10.1 Електронно-дірковий перехід
Тести інформаційно-репродуктивного характеру
Таблиця 10.1
Номер запитання, завдання |
Запитання, завдання |
Номер вірної відповіді |
|
|
Які речовини називають напівпровідниками? |
|
|
|
Якими властивостями володіють напівпровідники? |
|
|
|
Як утворюються напівпровідники? |
|
|
|
Що є носіями зарядів у напівпровідниках n-типу? |
|
|
|
Як утворюються напівпровідники n-типу? |
|
|
|
Що є носіями зарядів у напівпровідниках р-типу? |
|
|
|
Як утворюються напівпровідники р-типу? |
|
|
|
Як утворюються напівпровідники р-n-типу? |
|
|
|
Що розуміється під р-n-переходом? |
|
|
|
Що розуміється під замикаючим шаром? |
|
|
|
Що розуміється під прямим струмом і прямою напругою напівпровідника? |
|
|
|
Опишіть роботу напівпровідника р-n-типу при прямій напрузі. |
|
|
|
Що розуміється під зворотним струмом і зворотною напругою напівпровідника? |
|
|
|
Опишіть роботу напівпровідника р-n-типу при зворотній напрузі. |
|
У разі вірного виконання тестів Σнепарних – Σпарних = 9.
Таблиця 10.1а
Номер відповіді |
Відповіді |
|
|
Електрони під дією прикладеної напруги з n-шару надходять до джерела, з якого проникають в р-шар, заповнюючи дірки, що припиняється, коли товщина замикаючого шару стане пропорційною прикладеній напрузі джерела. |
|
|
Місце з'єднання р-шару та n-шару, у якому електрони n-шару заповнюють дірки р-шару. |
|
|
Місце з'єднання р-шару та n-шару, у якому утворюється шар речовини, який не має вільних зарядів. |
|
|
Різниця потенціалів і електричний струм напівпровідника, якщо від джерела постійної е.р.с. до р-шару прикласти позитивний потенціал, а до n-шару – негативний потенціал. |
|
|
Якщо з'єднати напівпровідник р-типу з напівпровідником n-типу. |
|
|
Електрони під дією прикладеної напруги з n-шару проникають в р-шар, заповнюючи дірки. Нестача електронів в n-шарі та дірок у р-шарі компенсується за рахунок джерела е.р.с. |
|
|
Різниця потенціалів і електричний струм, якщо від джерела постійної е.р.с. до р-шару напівпровідника прикласти негативний потенціал, а до n-шару – позитивний потенціал. |
|
|
Речовини, у яких валентна зона та зона провідності розділені забороненою зоною, ширина якої набагато менше, ніж у діелектриків; при цьому їх електропровідність знаходиться між провідниками та діелектриками. |
|
|
Електрони. |
|
|
При прямій напрузі проводять електричний струм в одному напряму, а при зворотній напрузі практично не проводять; при збільшенні температури їх питомий опір знижується. |
|
|
У результаті хімічного донорно-акцепторного зв'язку. |
|
|
Внесенням в хімічний елемент IV групи як домішки хімічного елементу III групи. |
|
|
Внесенням в хімічний елемент IV групи як домішки хімічного елементу V групи. |
|
|
Дірки (тобто відсутності електронів в атомах напівпровідника), які мають позитивний заряд, що дорівнює за модулем заряду електрона. |
