
- •Оглавление
- •Введение
- •Лекция 1 особенности оптоэлектроники и области ее применения
- •1.1. Зарождение и развитие оптоэлектроники
- •1.2. Достоинства оптоэлектроники
- •1.3. Области применения оптоэлектроники
- •1.4. Оптоэлектронные приборы и их классификация
- •Контрольные вопросы
- •Физические эффекты, лежащие в основе работы оптоэлектронных приборов (часть 1)
- •2.1. Поглощение и рассеяние света
- •2.2. Рекомбинация и излучение света. Вынужденное излучение
- •2.3. Показатель преломления и диэлектрическая проницаемость
- •2.4. Показатель преломления и двойное лучепреломление в диэлектрике
- •2.5. Коэффициент отражения
- •2.6. Полное внутреннее отражение
- •2.7. Фотопроводимость и фотогальванический эффект (внутренний и внешний фотоэффект)
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 3 физические эффекты, лежащие в основе работы оптоэлектронных приборов (часть 2)
- •3.1. Электрооптические эффекты
- •3.2. Нелинейные оптические эффекты
- •Генерация второй гармоники
- •3.4. Акустооптический эффект
- •3.5. Другие эффекты
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 4 компоненты оптоэлектронных приборов (часть 1)
- •4.1. Основные элементы оптоэлектронного прибора
- •4.2. Источники излучения
- •4.3. Тепловые источники
- •4.4. Светодиоды (электролюминесцентные источники)
- •Светодиоды с антистоксовыми люминофорами
- •4.4. Источники света с электролюминофорами (электролюминесцентные ячейки, конденсаторы)
- •4.5. Лазеры (оптические квантовые генераторы)
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 5 компоненты оптоэлектронных приборов (часть 2)
- •5.1. Приемники излучения
- •5.2. Тепловые приемники
- •Термоэлемент
- •Болометр
- •Пироэлектрический приемник
- •Оптико-акустические приемники
- •5.3. Фотоэлектрические приемники
- •Внешний фотоэффект (фотоэлектронная эмиссия)
- •Внутренний фотоэффект
- •Фоторезисторы
- •Фотогальванические элементы
- •Фотовольтаический режим
- •Фотодиодный режим
- •Лавинный фотодиод (лфд)
- •Фотодиоды с поверхностными барьерами
- •Гетерофотодиод
- •Биполярные фототранзисторы, фототиристоры
- •Многоэлементные фотоприемники (матрицы фотоприемников).
- •Лекция 6 компоненты оптоэлектронных приборов (часть 3)
- •6.1. Оптроны
- •Устройство и основные параметры оптронов
- •Резисторные оптопары
- •Диодные оптопары
- •Транзисторные и тиристорные оптопары
- •Применение оптронов
- •6.2. Оптические системы оптоэлектронных приборов
- •Объективы
- •Телескопические системы
- •Конденсор
- •Прожекторные системы
- •Линзовые и зеркальные системы для освещения входной щели в спектральных приборах
- •Оптические системы для преобразования лазерных пучков
- •Направляющие оптические системы
- •6.3. Электронные элементы
- •6.4. Средства вычислительной техники в оптоэлектронных приборах
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 7 оптоэлектронные системы с лазерами (часть 1)
- •7.1. Лазеры со сверхкороткими импульсами
- •7.2. Применение лазеров в промышленности
- •Лазерная технология в микроэлектронной промышленности
- •Лазерная закалка
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 8 оптоэлектронные системы с лазерами (часть 2)
- •8.1. Лазерные измерительные системы
- •Лазерные системы для измерения скорости потока жидкости или газа
- •Измерение угловой скорости
- •8.2. Лазерные измерительные системы для определения линейных размеров Измерение размеров изделий
- •Измерение расстояний
- •Интерферометрический метод
- •Фазовый метод
- •Импульсный метод
- •8.3. Исследование окружающей среды лазерными методами Лазерное зондирование атмосферы
- •Исследование океана
- •Определение глубины
- •Обнаружение нефтяных загрязнений
- •Обнаружение скоплений фитопланктона
- •8.4. Лазерный управляемый термоядерный синтез (лутс)
- •8.5. Лазеры в военном деле Лазерные дальномеры, высотомеры
- •Целеуказатели, локаторы, навигационные системы
- •Лазерное оружие
- •Использование химических и рентгеновских лазеров
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 9 голография и ее применение в оптоэлектронных системах (часть 1)
- •9.1. История развития голографии. Особенности голографии.
- •9.2. Запись голограммы плоской волны и восстановление изображения Запись изображения плоской волны
- •Восстановление изображения плоской волны:
- •9.3. Запись голограммы точечного объекта и восстановление изображения Запись изображения точечного объекта
- •Восстановление изображения точечного объекта
- •Особенности голограммы.
- •Цифровая голограмма
- •9.4. Схемы получения голограмм Двулучевая схема э. Лейта и ю. Упатниекса
- •Запись голограммы при двустороннем освещении предмета
- •Запись габоровой голограммы непрозрачного рассеивающего объекта
- •Запись голограммы изображений предметов
- •Запись голограммы прозрачного объекта
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 10 голография и ее применение в оптоэлектронных системах (часть 2)
- •10.1 Толстослойная голограмма
- •10.2. Применение голографии
- •Голографическая интерферометрия
- •Голографическая микроскопия.
- •Голографические оптические элементы
- •Видовые голограммы
- •Контрольные вопросы
- •Волоконно-оптические системы передачи (часть 1)
- •11.1. История развития
- •11.2. Достоинства и применение оптических линий связи
- •11.3. Построение волоконно-оптических систем передачи
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 12 волоконно-оптические системы передачи (часть 2)
- •12.1. Структура волоконного световода
- •12.2. Моды в волоконных световодах
- •12.3. Компоненты волоконно-оптических линейных трактов
- •Контрольные вопросы
- •Интегрально-оптические системы
- •13.1. Классификация и применение интегрально-оптических систем
- •13.2. Оптические волноводы
- •Планарный волновод
- •Трехмерные волноводы
- •13.3. Устройства ввода и вывода излучения из волновода
- •Поперечная связь
- •Продольная связь
- •13.4. Направленные ответвители и пассивные элементы Направленные ответвители
- •Интегрально-оптические пассивные элементы - линзы, призмы
- •Интегрально-оптические фокусирующие элементы
- •13.5. Интегрально-оптические модуляторы
- •Акустооптический модулятор
- •Электрооптический модулятор
- •Магнитооптический модулятор
- •13.6. Активные элементы интегрально-оптических систем
- •Интегрально-оптические фотоприемники
- •Интегрально-оптические источники излучения
- •13.7. Применение интегрально-оптических систем
- •Контрольные вопросы
- •Оптоэлектронные системы передачи, обработки и хранения информации (часть 1)
- •14.1. Оптический процессор
- •14.2. Транспоранты Транспаранты переменной прозрачности
- •Фотохромные материалы.
- •Халькогенидные стекла.
- •Управляемые транспаранты
- •Электрически управляемые транспаранты.
- •Оптически управляемые транспаранты.
- •Транспаранты с фазовой модуляцией (голограммы)
- •14.3. Оптическое преобразование Фурье
- •14.4. Пространственная фильтрация оптических сигналов
- •14.5. Оптические методы распознавания образов
- •Применение оптических систем распознавания образов
- •Контрольные вопросы
- •Оптоэлектронные системы передачи, обработки и хранения информации (часть 2)
- •15.1. Оптоэлектронные запоминающие устройства
- •15.2. Бинарные запоминающие устройства
- •15.3. Голографические запоминающие устройства
- •Голографические зу с последовательной записью
- •Голографическое устройство записи страницы двоичных данных
- •Зу с запоминающей голографической матрицей
- •Запись информации на голограмму в двоичном коде
- •15.4. Перспективы применения оптических методов в вычислительной технике
- •Контрольные вопросы:
- •Заключение
- •Библиографический список
Исследование океана
И
сследование
океана включает определение
глубины
(батиметрические исследования),
обнаружение
нефтяных загрязнений,
обнаружение
скоплений фитопланктона
и т.п.
Определение глубины
Рассмотрим измерение глубины моря с помощью лазерного зондирования (рис. 8.6).
При определении глубины лазерный импульс S0 посылается к поверхности моря с самолета, частично отражается от поверхности (S1), частично проникает в воду и отражается от дна (S2). Импульс S2 попадает на приемник, также установленный в самолете, через интервал времени t после S1. По времени t определяют глубину.
Пролетев над заданным районом моря по выбранной соответствующим образом трассе, можно получить информацию о глубинах и составить топографическую карту морского дна. Такой метод измерения глубин особенно перспективен при исследовании шельфовых (прибрежных) зон океанов и морей. При этом используют излучение импульсного неонового лазера с λ = 0,54 мкм, т.к. такое излучение слабо поглощается и рассеивается морской водой.
Т
аким
методом возможно измерение глубины до
20 м с точностью ±0,25 м. Метод можно
использовать для обнаружения подводных,
в том числе и плавающих, объектов.
Обнаружение нефтяных загрязнений
Нефть относится к наиболее опасным загрязнениям водоемов. Эффективность борьбы с такими загрязнениями зависит от оперативности их обнаружения. Наиболее перспективны дистанционные методы, к которым относится и лазерное зондирование (рис.8.7).
Загрязненная пленкой нефти водная поверхность облучается лазером, установленным на самолете. Лазерное излучение частично отражается от поверхности пленки (лучи 1), частично поглощается пленкой, остальная часть попадает в воду. Длину волны излучения подбирают так, чтобы появилось флуоресценция нефтяного пятна (лучи 2) и комбинационное рассеяние на молекулах нефти (лучи 3) и воды (лучи 4). Регистрируя интенсивность и спектр флуоресцентного излучения, можно установить наличие нефтяного загрязнения и определить его состав. Исследуя спектр комбинационного рассеяния, можно определить толщину пленки.
Обнаружение скоплений фитопланктона
Метод флуоресцентного лазерного анализа можно использовать для обнаружения областей скопления фитопланктона и определения концентрации хлорофилла в нем. Если флуоресценция происходит при λ = 0,68 мкм, то в данном месте у поверхности океана – жизнеспособный фитопланктон. Фитопланктон, утративший способность к фотосинтезу, флуоресцирует на других длинах волн. Сканируя поверхность, можно определить границы участка, богатого планктоном, по интенсивности излучения флуоресценции можно судить о плотности слоя.
8.4. Лазерный управляемый термоядерный синтез (лутс)
Исследования в области лазерного управляемого термоядерного синтеза (ЛУТС) начались в 60-х годах ХХ века. В основе ЛУТС лежит реакция взаимодействия ядер дейтерия и трития, в результате которой образуется ядро гелия ( - частица) и свободный нейтрон и выделяется большое количество энергии (17,6 Мэв). Взаимодействие происходит при сближении ядер на расстояние, на котором начинают действовать ядерные силы. При этом кинетическая энергия ядер должна быть достаточной для преодоления сил электростатического отталкивания. Следовательно, реакция синтеза в дейтерий-тритиевой плазме возможна лишь при температурах порядка 108 К. Нагрев можно осуществить с помощью сфокусированного лазерного излучения.
Д
ля
СО2-лазера
непрерывного действия мощностью 100 Вт
с яркостью пучка 108
Вт/(см2∙ср)
температура Тэф=86000
К. Импульсный неодимовый лазер с
длительностью импульса 10 нс дает яркость
1016...1017
Вт/(см2∙ср),
при этом эффективная температура
составляет 7∙107
К, что в десятки тысяч раз превышает
температуру поверхности Солнца, равную
приблизительно 6∙103
К. Таким образом, с помощью лазерного
излучения можно нагреть вещество до
очень высоких температур, вплоть до
термоядерных.
Плотность энергии, достигаемая при фокусировке мощного лазерного излучения, сравнима лишь с реализуемой при ядерном взрыве. Плотность световой энергии, необходимая для ядерного синтеза, может быть получена за счет концентрации излучения в очень малом объеме (10-6...10-7 см3), и за счет выделения энергии 103...105 Дж за очень малый промежуток времени (10-8...10-11 с).
Реализация ЛУТС возможна на сферической мишени, роль которой выполняет стеклянный или металлический шарик диметром 0,1...1,0 мм, наполненный газовой смесью из дейтерия и трития под давлением в несколько десятков атмосфер. На мишень фокусируют направляемое с разных сторон импульсное лазерное излучение (длительность импульса 1…10 нс, суммарная энергия 105 Дж). Лазерная усилительная установка (рис. 8.8, а) за счет концентрации повышает плотность потока с 105 Вт/см2 до 1010 Вт/см2. Фокусировка лазерного пучка увеличивает плотность до 1015 Вт/см2. В многоканальной лазерной установке имеется несколько (до 100) каналов, обеспечивающих облучение мишени с разных сторон (рис. 8.8, б). Слой горячего газа вокруг мишени действует как тепловая линза, дополнительно фокусирующая лазерное излучение на поверхности мишени. Плотность потока при этом возрастает до 1016 Вт/см2. Испарение вещества с поверхности мишени вызывает адиабатическое сжатие, сопровождаемое нагревом сверхпрочного вещества. При сжатии вещества в 104 раз плотность потока достигает 1019 Вт/см2, а температура – несколько десятков миллионов градусов.