
- •Микроэлектронные структуры и их строение
- •2. Тепловые свойства структур
- •3. Ионные процессы в диэлектриках
- •4. Электропроводность металлов
- •Распределение Ферми – Дирака
- •Коэффициент пропорциональности между скоростью дрейфа и напряжённостью электрического поля получил название подвижности носителей
- •4.2. Пример решения задач.
- •4.3. Задачи.
- •4.4. Контрольные вопросы.
- •5. Физика полупроводников
- •5.1. Теоретические сведения
- •5.1.1. Собственные полупроводники
- •5.1.2. Примесные полупроводники
- •5.2. Пример решения задач
- •5.3. Задачи
- •Электрона у дна зоны проводимости;
- •Вероятность появления дырки на верхнем уровне валентной зоны при 300к и 50к;
- •5.4. Контрольные вопросы.
- •6. Контактные явления.
- •6.1. Краткие теоретические сведения.
- •6.2. Пример решения задач
- •6.3. Задачи.
- •6.4. Контрольные вопросы.
- •7. Физические эффекты
- •7.1. Теоретические сведения
- •7.1.1. Фотопроводимость полупроводников
- •7.1.2. Эффект Холла
- •7.1.3. Эффекты сильного поля
- •7.1.4. Эффект Ганна
- •7.1.5. Термоэлектронная ионизация Френкеля
- •7.1.6. Ударная ионизация
- •7.1.7. Эффект Зенера
- •7.2. Пример решения задач
- •7.3. Задачи
- •7.4 Контрольные вопросы.
7.1.7. Эффект Зенера
В сильных электрических полях может наблюдаться также туннельное прохождение электронов из валентной зоны в зону проводимости. Этот процесс представляет собой электростатическую ионизацию атомов решётки и называется эффектом Зенера. Из рис. 7.13 видно, что запрещённая зона представляет для электронов потенциальный барьер высотой Eд и шириной d, имеющей форму треугольника. Чем сильнее электрическое поле, тем меньше ширина барьера d.
Зона проводимости
ΔΕ
d Валентная зона
|
Рис. 7.13 |
При некоторой величине напряжённости электрического поля, при которой ширина потенциального барьера оказывается достаточно малой, большое число валентных электронов, преодолев потенциальный барьер, окажется в зоне проводимости.
Вероятность проникновения сквозь такой барьер описывается следующей зависимостью:
|
(7.35) |
Электропроводность полупроводника при этом исключительно быстро возрастает. Оценка по формуле (7.35) показывает, что при Еg = 1эВ процесс электростатической ионизации интенсивно развивается, начиная с E =109 В/м.
Следует иметь в виду, что эффект Зенера может быть маскирован лавинным пробоем. Действительно, поскольку в полупроводниках всегда имеется определённое количество свободных носителей, то до возникновения эффекта Зенера при напряжённости поля порядка 106–108 В/м разовьется лавинный пробой, который настолько увеличит электропроводность, что дальнейшее повышение напряжённости поля будет невозможным. Для наблюдения эффекта Зенера необходимо ширину образца, в котором создаётся сильное поле, взять меньше, чем путь r (рис. 7.12), проходимый электроном в поле до ударной ионизации. В этом случае лавинный процесс развиваться не будет, и напряжённость поля можно увеличивать до появления эффекта Зенера.
7.2. Пример решения задач
Задача. Найти постоянную Холла в германии, содержащем донорную примесь в концентрации ΝД=4·1022 м -3 при Т=ЗООК. Коэффициент рассеяния А=1,27. Концентрация дырок р=21022м-3. Считать, что атомы примеси полностью ионизированы.
Решение.
Для полупроводников со смешанной проводимостью, когда концентрации электронов и дырок сравнимы друг с другом
Подвижность электронов и дырок при Т=ЗООК определяем из справочной таблицы р=1820 см3/Вс, n=3800 см3/Вс.
Поскольку доноры полностью ионизированы, то n=ΝД=4·1022 м-3. Подставляя числовые данные в выражение для rH, получим:
RH=1,17/1,610 -19 [(0,001822 21022 - 0,00382 · 41022) / ( 0,00182 · 2·1022-0,0038 · 4·1022)2] = -1,3· 10-3 м3/Kл.