- •Вопрос 6: Полупроводниковые диоды, виды, типы диодов. Выпрямительные диоды.
- •Вопрос 7: Полупроводниковые диоды, виды, типы диодов. Импульсные диоды, кремневые стабилитроны.
- •Вопрос 8: Полупроводниковые диоды, виды, типы диодов. Туннельные и обращенные диоды. Варикапы.
- •Вопрос 9: Физические процессы в биполярных транзисторах. Основные конструкции и типы. Коэффициенты инжекции и переносы.
- •Вопрос 10: Эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Инерционные свойства транзисторов.
- •Вопрос 11: Схемы включения транзисторов.
- •Вопрос 12: Основные параметры транзисторов и их обозначения.
- •Вопрос 13: Полевые транзисторы. Транзисторы с управляющим p – n – переходом, его принцип работы, входные и выходные характеристики и параметры.
- •Вопрос 14: мдп-транзисторы. Основные типы и принцип действия. Характеристики и параметры.
- •Вопрос 15: Элементы оптоэлектроники. Назначения, преимущества, типы оптронов.
- •Вопрос 16: Управляемые источники света. Физические эффекты и приборы на их основе.
- •Вопрос 17: Фотоприемники. Фотоэлектрические явления.
- •Вопрос 18: Назначение, основные параметры и характеристики усилителей
- •Вопрос 19: ос в усилителях. Виды, способы введения, влияние ос на коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление
- •Вопрос 20: Статический режим работы усилительного каскада (a, b, c, d). Выбор рабочей точки
- •Вопрос 21: Виды цепей смещения транзисторов в усилительном каскаде, способы термокомпенсации.
- •Вопрос 23: Дифференциальные усилительные каскады. Принцип действия, каскады.
- •Вопрос 24: Каскодное включение транзисторов, управляемые источники тока, бестрансформаторные выходные каскады
- •Вопрос 25: оу. Определения, назначение, обозначения, входные и выходные параметры, характеристики передач.
- •Вопрос 26: Линейные усилители на основе оу (масштабирующие усилители, сумматоры, вычитатели, преобразователи тока в напряжение и напряжение в ток).
- •Вопрос 27: Линейные усилители на основе оу (усилители, не меняющие фазы, частотно-зависимой ос, с единичным усилением).
- •Вопрос 28: Источники стабилизации напряжения на оу.
- •Вопрос 29: Усилители на оу с избирательными свойствами (активные фильтры).
- •Вопрос 30: Логарифмические и антилогарифмические усилители.
- •Вопрос 31: Схема амплитудного модулятора.
- •Вопрос 32: Генераторы sin-х колебаний (назначение, состав, режимы самовозбуждения, генераторы типа lc).
- •Вопрос 33: Генераторы типа rc.
- •Вопрос 34: Автогенераторы с кварцевой стабилизацией.
- •Вопрос 35: Импульсные процессы и импульсные устройства. Назначение, параметры импульсов, спектр импульсной последовательности.
- •Вопрос 36: Линейные интегрирующие цепи.
- •Вопрос 37: Дифференцирующие цепи (пассивные rc и на оу (активные)).
- •Вопрос 38: Диодные ключи. Назначение, параметры. Схемы ключа, переходные процессы.
- •Вопрос 39: Транзисторные ключи. Характеристики, принципы работы. Ненасыщенные ключи.
- •Вопрос 40: Ключи на полевых транзисторах (мдп-транзисторы).
- •Вопрос 41: Основные характеристики лэ. Классификация и т.Д.
- •Тема 1.6.2: Основные характеристики лэ
- •Вопрос 42: Элементы ттл – логики («и - не» с многоэммитерными транзисторами).
- •Вопрос 43: ос Элементы логики с эммитерной связью (эл эс). Характеристики.
- •Вопрос 44: к – мдп - логика
- •Вопрос 45: Триггеры Назначение, классификация, принцип построения.
- •Вопрос 46: Триггер Шмидта
- •Вопрос 47: Преобразователь напряжения прямоугольной формы на оу. Компараторы напряжения (схемы сравнения).
- •Вопрос 48: Одновибраторы на лэ.
- •Вопрос 49: Мультивибраторы на лэ.
- •Вопрос 50: Генераторы пилообразного напряжения (гпн) (Генераторы линейно-изменяющегося напряжения (глин)).
- •Вопрос 51: ацп и цап.
Вопрос 21: Виды цепей смещения транзисторов в усилительном каскаде, способы термокомпенсации.
После выбора рабочей точки находят параметры цепей для обеспечения требуемого статического режима работы, т.е. задают смещения в цепях базы (схема с ОЭ) или эмиттера (схема с ОБ).
У транзисторов от образца к образцу параметры нестабильны. Они меняются при изменении температуры. Поэтому применяются специальные меры для стабилизации коэффициента усиления, рабочей точки путем введения ОС или термосопротивления.
Есть общее выражение коэффициента температурной нестабильности:
S1 = ∆Ik T / ∆ IT = h21э / (1 + h21э * γб)
где γб показывает, какая часть коллекторного тока ответвляется в цепь базы:
γб = (rэ + Rэ) / (rэ + Rэ + rб + Rб)
rэ и rб – сопротивления слоев (из справочника).
γб показывает, во сколько раз приращение коллекторного тока больше, чем приращение теплового неуправляемого тока , вызванного изменением параметров транзистора.
S1 достигает максимума при γб = 1 (максимальная температурная стабильность статического режима).
Этому удовлетворяет условие:
rэ + >> rб + Rб (лучше ↑ Rэ, ↓ Rб).
Температурная стабильность каскада тем выше, чем больше Rэ, и меньше эквивалентное сопротивление базы делителя:
Rб = R1R2 / R1 + R2
Увеличение Rэ приводит к уменьшению коэффициента усиления, а уменьшение Rб снижает входное сопротивление усилителя. Для уменьшения S1 применяют либо термисторы в цепи базы (1 способ термостабилизации), либо применяют ООС по напряжению (2 способ термостабилизации). – Е к
R1 Rк
С1
R2 С2
Rэ
Выбирают десятки кОм. Обычно выбирают R1 ||R2 ≈ Rэ → S1 = 2 ÷ 5 (нормальный рассчитанный каскад).
Вопрос 22: Эммитерный (стоковый) повторитель (+Гусев).
Усилительный каскад с ОЭ:
позволяют получить наиболее высокий коэффициент усиления по напряжению.
имеют невысокое входное сопротивление и относительно высокое выходное сопротивление.
имеет узкий диапазон рабочих частот.
вносит фазовый сдвиг в 1800 в середине диапазона частот.
Каскад с ОБ характеризуется:
малые нелинейные искажения
хорошие частотные характеристики
низкое входное сопротивление, высокое выходное сопротивление
коэффициент усиления по напряжению зависит от нагрузки.
здесь эмитерный ток приблизительно равен коллекторному току, поэтому коэффициент усиления по току меньше 1.
R1 Rk
–
Ek
R2
У силительный каскад с ОК: – Ек
R1
Uвх
Uвых
R2
Rэ
Это эмитерный повторитель (ЭП)
Характеристика:
значения входного сопротивления Rвх ≈ 200 ÷ 300 кОм, т.е. достаточно высокое. Значения выходного сопротивления при большом h21э и низкоомном источнике сигнала при токе Iк ≈ 1 мА Rвых = 20 ÷ 25 Ом. Если возрастает рабочий ток, то Rвых = 0.2 ÷ 2 Ом.
kI ≈ h21э, kI ≈ 1 (в зависимости от источника питания)
при необходимости получения более высокого входного сопротивления применятся составная схема ИП.
Для этого используют схему составного транзистора (схема Дарлинтона):
VT2
VT1 к
б
Iк1 Ir2 = h21э Iб2 = h 221э Iб1
э
Iк1 = Iб2 = h21э Iб1
Входной ток в квадрат раз больше, чем базовый ток.
Т огда,
–
Ek
R1
R2
Rэ
Усиливает в квадрат раз. Этот ЭП лучше.
Пусть мы хотим в схеме с ОЭ построить такой усилительный каскад (здесь max k):
ОЭ
ОЭ
ОЭ
Rвх << Rвых >>
В таком каскаде будет потеря мощности. k3 не получается за счет потерь при согласовании, а получается вообще меньше первоначального k.
Более предпочтительная схема выглядит следующим образом:
Rвх
>> Rвых
<<
ОЭ
ЭП
ОЭ
Rвх >> Rвых <<
Это согласующий каскад. Здесь нет потерь. Имеет гораздо лучшие характеристики.
Характеристика усилительных каскадов с ОК:
Высокое Rвх, значение стабильно.
Большой коэффициент усиления по току.
Стабильный коэффициент усиления ku → 0.
Малое выходное сопротивление.
Никакого фазового сдвига между входными и выходными сигналами.
Если n – p – n – переход, то схемы те же, только не «– E», «+Е», т.е. изменяется лишь полярность.
к
U
= 20 В
токи
б
Uкэ = 10 В
10 В
э
Есть новый класс схем, использующий 2 транзистора. Будет 2 входа и 1 выход. Это дифференциальные усилительные каскады.
