- •1. Оценка производительности вычислительных систем. Основные требования, предъявляемые к вычислительным системам.
- •2. Конвейерная обработка. Организация. Конфликты и основные пути их минимизации.
- •3. Суперскалярная обработка. Процессоры vliw-типа.
- •4. Архитектура вычислительных систем. Эволюция развития архитектуры пэвм.
- •5. Организация системы памяти. Иерархия памяти современного компьютера.
- •6. Принципы построения кэш-памяти. Виртуальная память.
- •1. Полностью ассоциативный кэш.
- •2 . Кэш с прямым отображением:
- •3 . Множественно-ассоциативный кэш.
- •7. Основная память. Методы повышения производительности. Типы динамической памяти.
- •8. Организация внешней памяти. Параметры нжд. Пути повышения производительности внешней памяти. Интерфейсы внешней памяти ide, eide, scsi, sata.
- •9. Системные шины. Назначение, технические характеристики. Реализация функции «горячей» замены в системных шинах.
- •10. Параллельные интерфейсы. Centronics, коп. Беспроводные интерфейсы Bluetooth IrDa.
- •11. Последовательные интерфейсы. Интерфейсы rs-232, rs-485, usb и ieee-1394.
- •12. Периферийные устройства. Клавиатура, мышь.
- •13. Параллельные вс. Основные архитектуры параллельной обработки
- •14. Параллельные вс. Архитектура с общей памятью. Архитектура с распределенной памятью.
- •15. Системы высокой готовности. Классификация. Модели оус. Обнаружение сбоев и отказов.
7. Основная память. Методы повышения производительности. Типы динамической памяти.
Является единственным вид памяти, к которой процессор может обращаться непосредственно. Основная память делится на ОЗУ и ПЗУ. ОЗУ – Random Access Memory (RAM), ПЗУ – Read Only Memory (ROM).
Емкость основной памяти достаточно велика, чтобы её реализовать на одной микросхеме. Несколько микросхем используются так же для обеспечения необходимой разрядности памяти. Объединяют информационные входы микросхем и получают требуемую разрядность. Объединение микросхем называется модулем памяти, которые объединяются в банки памяти.
Для обеспечения достоверности часто используют дополнительные микросхемы памяти. В первых видах памяти использовали бит паритета, сейчас используют различные коды.
Расслоение памяти.
Д
ля
увеличения производительности памяти
используют память с расслоением.
Имеем N последовательных адресов, находящихся в N различных банках памяти, причем в i-том банке памяти располагаются только адреса, имеющие следующий вид:
,
где
,
а
– количество слов в банке.
Специфические свойства памяти.
Организ-я основной памяти предлагает наличие некоторой организации – матрицы.
Контроллер памяти генерирует (мультиплексирует) данный адрес на адрес строки и адрес столбца, причем обращение к строке осуществляется по импульсу –RAS, обращение к столбцу по импульсу –CAS.
Используя данное свойство, можно однократно выставлять адрес строки, затем менять адрес столбца и читать последовательно ячейки памяти, увеличив тем самым скорость доступа.
На данном принципе основана блочная и страничная организация памяти.
При блочной организации памяти на одно обращение к строке выдается 4 обращения к столбцам. При страничной организации после выдачи адреса строки память работает как статический буфер. Значения столбцов обновляются после получения нового адреса строки.
Память бывает двух видов:
- Динамическая – менее быстродействующая, требует регенерации (транзистор + емкость).
- Статическая – не требует регенерации, но более дорогостоящая, так как требует больше транзисторов.
Типы динамической памяти.
Микросхемы памяти, где используется страничный режим и его модификации принято обозначать формулой: X-Y-Y-Y, где: X – количество тактов системной шины, необходимое для доступа к первой ячейке последовательности, Y – количество тактов шины необходимое для доступа к последующим ячейкам последовательности.
1
.
Память
типа
FPM (Fast Page Mode): 5-3-3-3. Режим
быстрого страничного доступа.
Данный тип динамической памяти может быть описан следующей временной диаграммой:
Полный адрес выдается только при обращении к первому элементу последовательности. Импульс –RAS активен при всем режиме обмена. Данные появляются на выходе по активности –CAS.
2
.
EDO – Extended Data Out. Формула
5-2-2-2.
Отличие – использование специального регистра-защелки. Он позволяет сохранять данные на выходах микросхем даже при отсутствии активности –CAS.
3. BEDO: 5-1-1-1.
Кроме регистра защелки используется внутренний счетчик адреса колонок, для пакетного режима работы.
Реализация позволяет выставлять адрес в начале, а далее счетчик сам инкрементирует адрес столбца.
4. SDRAM: 5-1-1-1.
Главное отличие – синхронная память, то есть в данной памяти присутствует тактовый импульс. Частота равна частоте системной шины без тактов ожидания.
В этой памяти так же есть импульсы –RAS и –CAS, но работа синхронизируется по тактовому импульсу. Синхронизация позволяет получить 3-х кратный выигрыш в производительности. На этой памяти возможна организация конвейера.
5. RDRAM: память фирмы Rambus.
Данная память построена по закрытому стандарту фирмы Rambus и основное отличие заключается в том, что память является последовательной. Управляющие и информационные сигналы передаются по одним и тем же линиям. Так как интерфейс последовательный, то это позволило увеличить интерфейс до 400 МГц и пропускную способность до 1.6 Гб/с.
6. DDR. Похожа на SDRAM – память параллельного способа обмена, основное отличие от SDRAM в том, что она работает по обоим фронтам тактового импульса.
DDR2, DDR3 – увеличивается только тактовая частота, остальные изменения незначительны.
