
- •2. Определение и физические основы квантовой электроники. Основные классы квантовых электронных приборов (по принципу действия).
- •3. Определение и физические основы оптоэлектроники. Основные классы оптоэлектронных приборов (по принципу действия).
- •7 . Фоторезисторы. Назначение, устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
- •8. Фотодиоды. Назначение, устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
- •9 . Светодиоды. Назначение, устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
- •10. Оптроны. Назначение, устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
- •11. Полупроводниковые лазеры. Назначение, устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
- •12. Жидкие кристаллы. Основные электрооптические эффекты в жидких кристаллах и их практическое использование.
- •13. Приборы для регистрации теплового излучения. Пирометры, болометры, тепловизоры. Устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
- •15. Интегрально-оптические элементы (иоэ). Назначение, особенности
- •16. Приборы с зарядовой связью (пзс). Устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
- •1. М пзс с буферизацией кадра
- •2. М пзс с буферизацией столбцов
- •18. Волоконная оптика. Физические эффекты, используемые в волоконной оптике. Примеры реализации волоконно-оптических устройств и систем.
- •19. Оптические волокна и кабели. Назначение, принципы действия особенности конструктивной реализации, основные параметры и характеристики.
- •20. Элементы для согласования и управления параметрами световых лучей в волоконно-оптических системах. Примеры реализации таких элементов.
8. Фотодиоды. Назначение, устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
Простейший фотодиод представляет собой обычный полупроводниковый диод, в котором обеспечивается возможность воздействия оптического излучения на р–n-переход. При воздействии излучения в направлении, перпендикулярном плоскости p-n-перехода, в результате поглощения фотонов с энергией, большей, чем ширина запрещенной зоны, в n-области возникают электронно-дырочные пары. Эти электроны и дырки называют фотоносителями. При диффузии фотоносителей в глубь n-области основная доля электронов и дырок не успевает рекомбинировать и доходит до границы p–n-перехода. Здесь фотоносители разделяются электрическим полем p–n-перехода, причем дырки переходят в p-область, а электроны не могут преодолеть поле перехода и скапливаются у границы p–n-перехода и n-области.
Таким образом, ток через p–n-переход обусловлен дрейфом неосновных носителей – дырок. Дрейфовый ток фотоносителей называется фототоком.
Фотоносители – дырки заряжают p-область положительно относительно n-области, а фотоносители – электроны – n-область отрицательно по отношению к p-области. Возникающая разность потенциалов называется фотоЭДС Eф. Генерируемый ток в фотодиоде – обратный, он направлен от катода к аноду, причем его величина тем больше, чем больше освещенность.
Рассмотренный выше простейший фотодиод работает на сплавном или диффузионном n-р переходе. Существуют также диоды на многослойных структурах (p-i-n), гетероструктурах, поверхностно-барьерных структурах (диоды Шотки). с лавинным умножением фототока и др. Чувствительность лавинных фотодиодов может быть на несколько порядков больше, чем у обычных фотодиодов (у германиевых – в 200 – 300 раз, у кремниевых – в 104 – 106 раз).
Лавинные фотодиоды являются быстродействующими фотоэлектрическими приборами, их частотный диапазон может достигать 10 ГГц. Недостатком лавинных фотодиодов является более высокий уровень шумов по сравнению с обычными фотодиодами.
Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов – без внешнего источника электрической энергии (режим фотогенератора) либо с внешним источником электрической энергии (режим фотопреобразователя). При работе фотодиода в фотопреобразовательном режиме источник питания Е включается в цепь в запирающем направлении (рис. 1, а). Используются обратные ветви ВАХ фотодиода при различных освещенностях (рис. 1,б).
9 . Светодиоды. Назначение, устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики.
Светодиод является полупроводниковым излучающим прибором с одним или несколькими n-р переходами, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения. Излучение возникает в результате рекомбинации инжектированных носителей в одной из областей, прилегающих к n-р переходу. Рекомбинация происходит при переходе носителей с верхних уровней на нижние.
Длина волны излучаемого света зависит от ширины запрещенной полосы полупроводника, поэтому для получения излучения в видимой области используются широкозонные полупроводники.
Основным параметром светодиодов является внутренняя квантовая эффективность (отношение числа фотонов к количеству инжектированных в базу носителей) и внешняя эффективность (отношение потока фотонов из светодиода к потоку носителей заряда в нем). Внешняя эффективность в значительной мере определяется технологией и с ростом ее уровня может быть значительно увеличена.
Мощность оптического излучения светодиода может быть найдена из уравнения:
Р = hνηeηsI\e
где Р - излучаемая мощность, I/е - поток инжектированных носителей через переход. ηe- КПД вывода излучения. ηs - КПД светового излучения. Произведение ηeηs представляет собой внешнюю квантовую эффективность. Для светодиодов с поверхностными излучателями она составляет около 3%, а для приборов с торцевыми излучателями 0.5 - 1%.
Основные характеристики светодиодов - вольт-амперные, яркостные и спектральные. Основными параметрами светоизлучающих диодов являются длина волны, полуширина спектра излучения, мощность излучения, рабочая частота и диаграмма направленности излучения. Ширина спектральной полосы излучения светодиода может быть найдена из уравнения:
Λλ=3kTλ^2/hc
Светодиоды находят широкое применение в цифровых индикаторах, световых табло, устройствах опто электроники. Принципиально возможно формирование на их основе экрана цветного телевидения.