
- •Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов model
- •Общие сведения о программе model
- •Интерфейс программы model
- •Меню File
- •Меню Edit
- •Меню Windows
- •Меню Options
- •Меню View
- •Меню Run
- •Работа с программой model
- •Модели аналоговых компонентов и вычисление их параметров с помощью программы model
- •Диод и стабилитрон
- •Нахождение параметров модели д и о д а
- •Модель Диода (Diode) и стабилитрона (Zener)
- •Основные уравнения работы диода в программе mc7
- •Биполярные транзисторы bjt
- •Нахождение параметров модели б и п о л я р н о г о т р а н з и с т о р а
- •Модель биполярного транзистора (Bipolar Transistor) — bjt
- •Основные уравнения работы биполярного транзистора в mc7
- •Полевые транзисторы
- •Определение параметров модели полевого транзистора jfet
- •Модель полевого транзистора jfet
- •Основные уравнения математической модели jfet
- •Определение параметров модели моп-транзистора
- •Модель транзистора с изолированным затвором mosfet
- •Виды модельных сообщений
- •Основные уравнения модели mosfet
- •Операционные усилители
- •Определение параметров модели операционного усилителя
- •М одель операционного усилителя
- •Уравнения модели opamp
- •Уравнения для модели level 1
- •Уравнения для модели level 2
- •Уравнения для модели level 3
- •Ферромагнитные сердечники
- •Определение параметров модели ферромагнитного сердечника
- •Модель взаимной индуктивности и магнитного сердечника (к)
- •Основные уравнения варианта модели Джилса-Аттертона microcap-7
- •М одель арсенид-галлиевого полевого транзистора (GaAsFet)
- •Уравнения, заложенные в математическую модель gaasfet
Основные уравнения работы диода в программе mc7
Модельные параметры IS, ISR, IKF, IBV, IBVL, и CJO умножаются на [area] а модельный параметр RS делится на [area] перед их использованием в модельных уравнениях диода, приведенных ниже.
T — это температура работы прибора, а TNOM — это температура, при которой измерены модельные параметры. Обе температуры измеряются в градусах Кельвина. Температура при которой происходит анализ T устанавливается в диалоговом окне Analysis Limits для соответствующего вида анализа. TNOM определяется глобальными установками Global Settings в позиции TNOM. Установка TNOM также может быть изменена локально для конкретной схемы с помощью директивы .OPTIONS. Также T и TNOM могут быть изменены для каждой конкретной модели указанием численных значений параметров модели T_MEASURED, T_ABS, T_REL_GLOBAL, и T_REL_LOCAL (см. главу 12 руководства.Command Statements).
Т е м п е р а т у р н ы е э ф ф е к т ы д и о д а
IKF(T) = IKF • (1+TIKF•(T - Tnom))
BV(T) = BV • (1+TBV1•(T-Tnom)+TBV2•(T-Tnom)2)
RS(T) =RS • (1+TRS1•(T-Tnom)+TRS2•(T-Tnom)2)
где
У р а в н е н и я д л я и с т о ч н и к о в т о к а д и о д а
I = Ifwd - Irev
Если
IKF > 0
Иначе Kinj = 1
Ifwd = Kinj • Inrm + Kgen • Irec
У р а в н е н и я д л я е м к о с т е й д и о д а
Емкость характеризующая время пролета (Transit Time capacitance)
Gd = проводимость диода на постоянном токе
CT = TT•Gd
Если V
≤ FC•VJ(T)
то
Иначе
C = CT + CJ
У р а в н е н и я д л я ш у м о в д и о д а
Источники тока диода генерируют дробовой и фликкер шумы. Резисторы RS and RL генерируют тепловой шум. Шумовые токи могут быть рассчитаны следующим образом: