Основные уравнения варианта модели Джилса-Аттертона microcap-7
N — количество витков выбранной обмотки сердечника
Ma(H) — зависимость безгистерезисной намагниченности от напряженности магнитного поля H (безгистерезисная кривая намагничивания)
H — напряженность магнитного поля
HE — эффективная напряженность магнитного поля
B — магнитная индукция в сердечнике
M — намагниченность ферромагнетика сердечника
I — ток, протекающий через выбранную обмотку сердечника
V — напряжение на клеммах катушки сердечника
Следует отметить, что расчеты нелинейных магнитных элементов программе MICROCAP-7 осуществляются не в системе СИ. В программе принята следующая система единиц: намагниченность М — [A/м], магнитная индукция B — [Гаусс], напряженность магнитного поля H — [Эрстед]. Расчеты в программе осуществляются по формулам:
(****
Отметим, что в следующей версии программы
MICROCAP-8 безгистерезисная кривая
намагничивания находится по формуле
и отсутствует параметр модели магнитного
сердечника ALPHA,
учитывающий эффективную напряженность
магнитного поля в сердечнике. Остальные
формулы модели остались без изменений.)
Основное дифференциальное уравнение Джилса-Атертона, связывающее изменение намагниченности с величиной напряженности Н и предысторией системы:
;
;
.
М одель арсенид-галлиевого полевого транзистора (GaAsFet)
Таблица 6.7. Параметры модели арсенид-галлиевого полевого транзистора
Обозначение |
Параметр |
Значение по умолчанию |
Единица измерения |
LEVEL |
Тип модели: 1 — модель Куртиса, 2 — модель Рэйтеона, 3 — модель TriQuint |
1 |
|
VTO |
Барьерный потенциал перехода Шоттки или пороговое напряжение |
-2,5 |
В |
ALPHA |
Коэффициент для напряжения насыщения тока стока |
2,0 |
1/В |
В |
Параметр легирования (Level=2) |
0,3 |
1/В |
BETA |
Удельная крутизна (удельная передаточная проводимость) |
0,1 |
А/В2 |
LAMBDA |
Параметр модуляции длины канала |
0 |
1/В |
GAMMA |
Параметр статической обратной связи (для Level=3) |
0 |
|
DELTA |
Параметр выходной обратной связи (для Level=3) |
0 |
(АВ)-1 |
Q |
Показатель степени (для Level=3) |
2 |
— |
RG |
Объемное сопротивление области затвора |
0 |
Ом |
RD |
Объемное сопротивление области стока |
0 |
Ом |
RS |
Объемное сопротивление области истока |
0 |
Ом |
CGD |
Емкость затвор-сток при нулевом смещении |
0 |
Ф |
CGS |
Емкость затвор-исток при нулевом смещении |
0 |
Ф |
CDS |
Емкость сток-исток фиксированная |
0 |
Ф |
IS |
Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал |
1E-14 |
А |
M |
Коэффициент плавности p-n-перехода затвора |
0,5 |
|
N |
Коэффициент эмиссии p-n-перехода затвор-канал |
1 |
— |
FC |
Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного p-n-перехода затвора |
0,5 |
|
VBI |
Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора |
1 |
В |
EG |
Ширина запрещенной зоны |
1,11 |
эВ |
XTI |
Температурный коэффициент тока IS |
0 |
|
VDELTA |
Напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3) |
0,2 |
В |
VMAX |
Максимальное напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3) |
0,5 |
В |
VTOTC |
Температурный коэффициент VTO |
0 |
В/°С |
ВЕТАТСЕ |
Температурный экспоненциальный коэффициент BETA |
0 |
%/C |
TRG1 |
Линейный температурный коэффициент RG |
0 |
1/°С |
TRD1 |
Линейный температурный коэффициент RD |
0 |
1/°С |
TRS1 |
Линейный температурный коэффициент RS |
0 |
1/°С |
KF |
Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума |
0 |
|
AF |
Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход |
1 |
|
T_MEASURED |
Температура измерения |
— |
°С |
T_ABS |
Абсолютная температура |
— |
°С |
T_REL_GLOBAL |
Относительная температура |
— |
°С |
T_REL_LOCAL |
Разность между температурой транзистора и модели-прототипа |
|
°С |
Рис. 6.7. Модель арсенидгаллиевого полевого транзистора