Уравнения модели opamp
О п р е д е л е н и я
T — температура кристалла в градусах Кельвина
BETA1 — прямое beta транзистора Q1
BETA2 — прямое beta транзистора Q2
BJT1IS — ток насыщения (IS) транзистора Q1
BJT2IS — ток насыщения (IS) транзистора Q2
V(A1) — напряжение в узле A1
V(A2) — напряжение в узле A2
V(CM) — напряжение в узле CM
I(VS1) — ток через источник VS1
I(VC) — ток через источник VC
I(VE) — ток через источник VE
I(VLP) — ток через источник VLP
I(VLN) — ток через источник VLN
V(VCC) — напряжение на источнике VCC
V(VEE) — напряжение на источнике VEE
I(VS2) — ток через источник VS2
I(GA) — ток через источник GA
I(GCM) — ток через источник GCM
I(F1) — ток источника F1
V(E1) — напряжение источника E1
V(H1) — напряжение источника H1
Т е м п е р а т у р н ы е э ф ф е к т ы
Температура влияет на поведение диодов, биполярных и полевых транзисторов обычным образом как описано в соответствующих разделах.
Уравнения для модели level 1
R
= ROUTAC+ROUTDC
Уравнения для модели level 2
R
= ROUTAC+ROUTDC
Частота 1-го
полюса
U = 0.5•A•Sin(PM)
Частота единичного
усиления
Частота 2-го
полюса
Уравнения для модели level 3
RC2
= RC1
U = 0.5•A•Sin(PM)
C2
= C
R2
= 1E5
VAF
= 200
N P N и P N P в х о д н ы е ч а с т и э к в и в а л е н т н о й с х е м ы
NPN входы
PNP входы
RE2
= RE1
BJT1IS
= 1E-16
Входы на полевых транзисторах JFET
IEE
= C2•SRN
RE1 = 1 RE2 = 1
BETA2
= BETA1
RO2
= ROUTDC - ROUTAC
VLP = IOSC•1000 VLN = VLP
VC = VCC - VPS
VE = -VEE + VNS
У р а в н е н и я д л я у п р а в л я е м ы х и с т о ч н и к о в
I(GA) = GA•(V(A1)-V(A2))
I(GCM)= GCM•V(CM)
I(F1) = GB•I(VS1)-GB•I(VC)+GB•I(VE)+GB•I(VLP)-GB•I(VLN)
V(H1) = 1000•(I(VS2))
V(VS1)= 0.0 (Используется только для измерения тока)
V(VS2)= 0.0 (Используется только для измерения тока)
Отметим, что модели LEVEL 2 и LEVEL 3 используют параметр площадь усиления (произведение полосы пропускания на коэффициент усиления Gain Bandwidth — GBW), а не частоту единичного усиления F0 как входной параметр. Они корректно представляют как запас по фазе, так и частоту единичного усиления F0. В общем случае F0 < GBW. Это — расширение стандартной модели Бойля, которая моделирует веденный запас по фазе, а не единичный коэффициент передачи на частоте F0.