Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
КАСЭУ_Амелина_02.DOC
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
1.42 Mб
Скачать
    1. Полевые транзисторы

      1. Определение параметров модели полевого транзистора jfet

        Проходная характеристика

        Входные данные

        Таблица зависимости тока стока Id от напряжения затвор-исток Vgs

        Оцениваемые параметры

        BETA, VTO, RS

        Уравнения

        Выходная проводимость

        Входные данные

        Таблица зависимости статической проводимости сток-исток Gos от тока стока Id

        Оцениваемые параметры

        LAMBDA

        Уравнения

        Проходная емкость

        Входные данные

        Таблица зависимости проходной емкости Crss от напряжения затвор-исток Vgs

        Условия

        Напряжение сток-исток Vds

        Оцениваемые параметры

        CGD, РВ, FC

        Уравнения

        Входная емкость

        Входные данные

        Таблица зависимости входной емкости Ciss от напряжения затвор-исток Vgs

        Условия

        Напряжение сток-исток Vds

        Оцениваемые параметры

        CGS

        Уравнения

        ,

        Фликкер-шум

        Входные данные

        Таблица зависимости корня квадратного из спектральной плотности выходного напряжения шума En от частоты f

        Оцениваемые параметры

        KF, AF

        Уравнения

      2. Модель полевого транзистора jfet

n-channel p-channel

Таблица 6.3. Параметры модели полевого транзистора

Обозначение

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

VTO

Пороговое напряжение

–2

В

BETA

Коэффициент пропорциональности (удельная передаточная проводимость

1E-4

А/В2

LAMBDA

Параметр модуляции длины канала

0

1/В

IS

Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал

1E-14

А

RD

Объемное сопротивление области стока

0

Ом

RS

Объемное сопротивление области истока

0

Ом

CGD

Емкость перехода затвор-сток при нулевом смещении

0

Ф

CGS

Емкость перехода затвор-исток при нулевом смещении

0

Ф

M

Коэффициент плавности перехода затвор-исток

0,5

FC

Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении

0,5

"

PB

Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора

1

В

VTOTC

Температурный коэффициент VTO

0

В/°С

ВЕТАТСЕ

Температурный экспоненциальный коэффициент BETA

0

%/°С

XTI

Температурный коэффициент тока IS

3

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума

0

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока

1

T_MEASURED

Температура измерения

°С

T_ABS

Абсолютная температура

°С

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

°С

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

°С

Рис. 6.3. Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом