
- •Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов model
- •Общие сведения о программе model
- •Интерфейс программы model
- •Меню File
- •Меню Edit
- •Меню Windows
- •Меню Options
- •Меню View
- •Меню Run
- •Работа с программой model
- •Модели аналоговых компонентов и вычисление их параметров с помощью программы model
- •Диод и стабилитрон
- •Нахождение параметров модели д и о д а
- •Модель Диода (Diode) и стабилитрона (Zener)
- •Основные уравнения работы диода в программе mc7
- •Биполярные транзисторы bjt
- •Нахождение параметров модели б и п о л я р н о г о т р а н з и с т о р а
- •Модель биполярного транзистора (Bipolar Transistor) — bjt
- •Основные уравнения работы биполярного транзистора в mc7
- •Полевые транзисторы
- •Определение параметров модели полевого транзистора jfet
- •Модель полевого транзистора jfet
- •Основные уравнения математической модели jfet
- •Определение параметров модели моп-транзистора
- •Модель транзистора с изолированным затвором mosfet
- •Виды модельных сообщений
- •Основные уравнения модели mosfet
- •Операционные усилители
- •Определение параметров модели операционного усилителя
- •М одель операционного усилителя
- •Уравнения модели opamp
- •Уравнения для модели level 1
- •Уравнения для модели level 2
- •Уравнения для модели level 3
- •Ферромагнитные сердечники
- •Определение параметров модели ферромагнитного сердечника
- •Модель взаимной индуктивности и магнитного сердечника (к)
- •Основные уравнения варианта модели Джилса-Аттертона microcap-7
- •М одель арсенид-галлиевого полевого транзистора (GaAsFet)
- •Уравнения, заложенные в математическую модель gaasfet
Полевые транзисторы
Определение параметров модели полевого транзистора jfet
Проходная характеристика
Входные данные
Таблица зависимости тока стока Id от напряжения затвор-исток Vgs
Оцениваемые параметры
BETA, VTO, RS
Уравнения
Выходная проводимость
Входные данные
Таблица зависимости статической проводимости сток-исток Gos от тока стока Id
Оцениваемые параметры
LAMBDA
Уравнения
Проходная емкость
Входные данные
Таблица зависимости проходной емкости Crss от напряжения затвор-исток Vgs
Условия
Напряжение сток-исток Vds
Оцениваемые параметры
CGD, РВ, FC
Уравнения
Входная емкость
Входные данные
Таблица зависимости входной емкости Ciss от напряжения затвор-исток Vgs
Условия
Напряжение сток-исток Vds
Оцениваемые параметры
CGS
Уравнения
,
Фликкер-шум
Входные данные
Таблица зависимости корня квадратного из спектральной плотности выходного напряжения шума En от частоты f
Оцениваемые параметры
KF, AF
Уравнения
Модель полевого транзистора jfet
n-channel p-channel
Таблица 6.3. Параметры модели полевого транзистора
Обозначение |
Параметр |
Значение по умолчанию |
Единица измерения |
VTO |
Пороговое напряжение |
–2 |
В |
BETA |
Коэффициент пропорциональности (удельная передаточная проводимость |
1E-4 |
А/В2 |
LAMBDA |
Параметр модуляции длины канала |
0 |
1/В |
IS |
Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал |
1E-14 |
А |
RD |
Объемное сопротивление области стока |
0 |
Ом |
RS |
Объемное сопротивление области истока |
0 |
Ом |
CGD |
Емкость перехода затвор-сток при нулевом смещении |
0 |
Ф |
CGS |
Емкость перехода затвор-исток при нулевом смещении |
0 |
Ф |
M |
Коэффициент плавности перехода затвор-исток |
0,5 |
|
FC |
Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении |
0,5 |
" |
PB |
Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора |
1 |
В |
VTOTC |
Температурный коэффициент VTO |
0 |
В/°С |
ВЕТАТСЕ |
Температурный экспоненциальный коэффициент BETA |
0 |
%/°С |
XTI |
Температурный коэффициент тока IS |
3 |
— |
KF |
Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума |
0 |
|
AF |
Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока |
1 |
|
T_MEASURED |
Температура измерения |
— |
°С |
T_ABS |
Абсолютная температура |
— |
°С |
T_REL_GLOBAL |
Относительная температура |
— |
°С |
T_REL_LOCAL |
Разность между температурой транзистора и модели-прототипа |
|
°С |
Рис. 6.3. Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом