9. Полупроводниковая rom память.

Основным режимом работы ПЗУ является считывание информации, которое мало отличается от аналогичной операции в ОЗУ как по организации, так и по длительности. Именно это обстоятельство подчеркивает общепризнанное название постоянных ЗУ - ROM (Read-Only Memory - память только для чтения). В то же время запись в ПЗУ по сравнению с чтением обычно сложнее и связана с большими затратами времени и энергии. Занесение информации в ПЗУ называют программированием или «прошивкой».

Современные ПЗУ реализуются в виде полупроводниковых микросхем, которые по возможностям и способу программирования разделяют на:

1. программируемые при изготовлении;

2. однократно программируемые после изготовления;

3. многократно программируемые.

ПЗУ, программируемые при изготовлении:

Эту группу образуют так называемые масочные устройства и именно к ним принято применять аббревиатуру ПЗУ. Занесение информации в масочные ПЗУ составляет часть производственного процесса.

Однократно программируемые ПЗУ:

Микросхемы PROM. В С типа PROM (Programmable ROM - программируемые ПЗУ) информация может быть записана только однократно.

Многократно программируемые ПЗУ:

Флэш-память. Относительно новый вид полупроводниковой памяти - это флэш-память (название flash можно перевести как «вспышка молнии», что подчеркивает относительно высокую скорость перепрограммирования).

10. Оперативная асинхронная память.

Асинхронные динамические ОЗУ. Микросхемы асинхронных динамических ОЗУ управляются сигналами RAS и СAS, и их работа в принципе не связана непосредственно тактовыми импульсами шины. Асинхронной памяти свойственны дополнительные затраты времени на взаимодействие микросхем памяти и контроллера. Так, в асинхронной схеме сигнал RAS будет сформирован только после поступления в контроллер тактирующего импульса и будет воспринят микросхемой памяти через некоторое время. После этого память выдаст данные, но контроллер сможет их считать только по приходу следующего тактирующего импульса, так как он должен работать синхронно с остальными устройствами ВМ. Таким образом, на протяжении цикла чтения/записи происходят небольшие задержки из-за ожидания памятью контроллера и контроллером памяти.

В11. Оперативная синхронная память.

Синхронная оперативная память (SDRAM) - это первая технология оперативной памяти со случайным доступом (DRAM) разработанная для синхронизации работы памяти с тактами работы центрального процессора с внешней шиной данных. SDRAM основана на основе стандартной DRAM и работает почти также, как стандартная DRAM, но она имеет несколько отличительных характеристик, которые и делают ее более прогрессивной

При синхронной работе с памятью SDRAM обеспечивается синхронизация всех входных и выход­ных сигналов с тактами системного генератора. Однако управление памятью усложняется, так как при­ходится вводить дополнительные регистры-защелки, которые хранят адреса, данные и управляющие сигналы. Кроме организации синхронного доступа к данным, память SDRAM имеет еще ряд принципи­альных отличий от асинхронной памяти.

Весь массив памяти SDRAM-модуля разделен на два независимых банка. Такое решение позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть иметь одновре­менно две открытые страницы. Доступ к этим страницам чередуется (bank interleaving), и соответствен­но устраняются задержки, что обеспечивает создание непрерывного потока данных.

В SDRAM-памяти, как и в BEDO-памяти, организована пакетная обработка данных, что позволяет производить обращение по новому адресу столбца ячейки памяти на каждом тактовом цикле. В микро­схеме SDRAM имеется счетчик для наращивания адресов столбцов ячеек памяти с целью обеспечения быстрого доступа к ним.

Наиболее распространенными типами SDRAM-памяти являлись до недавнего времени PC 100 и PC 133. Цифры 100 и 133 определяют частоту системной шины в мегагерцах (МГц), которую поддержи­вает эта память. По внутренней архитектуре, способам управления и внешнему дизайну модули памяти PC 100 и PC 133 полностью идентичны.