35. Усилительный каскад на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером.

Рассмотрим усилитель, в котором транзистор включен по схеме с общим эмиттером, а для стабилизации рабочей точки используется отрицательная обратная связь по току.

Конденсаторы С1 и С2 являя.ются разделительными: С1 препятствует связи по постоянному току источника входного сигнала и усилителя, а С2 служит для разделения по постоянному току коллекторной цепи и нагрузки.Емкости С1

и С2 выбирают такими, что на частоте переменной составляющей их сопротивлением можно было пренебречь. Резистор Rг учитывает внутреннее сопротивление источника сигнала. Резисторы R1 и R2образуют делитель напряжения, определяющий положение рабочей точки эмиттерного перехода. Резистор в цепи коллектора преобразует изменение тока коллектора в выходное напряжение. На выходе цепи включен резистор нагрузки Rн

, с которого снимается усиленный сигнал. Резистор Rэ является цепью отрицательной обратной связи. Конденсаор в цепи эмиттера шунтирует резистор Rэ. Поскольку в схеме действуют источники переменного (источник сигнала на входе) и постоянного напряжения, для расчета используем метод наложения.

Анализ для постоянной составляющей. заменим источник переменного сигнала eвх

коротким замыканием, а конденсаторы – разрывом.

определим постоянные составляющие тока коллектора Iк и напряжения Uкэ, следовательно, и режим работы транзистора. Делитель напряжения, образованный резисторами R1, R2, заменен эквивалентной схемой Тевенина.

Анализ по переменной составляющей.

Исключим из схемы источник постоянного напряжения Ек заменив его коротким замыканием. Верхние зажимы резисторов R1 и Rк окажутся заземленными, поэтому R1и R2, Rк и Rн соединены параллельно. Резистор в цепи эмиттера зашунтирован малым сопротивлением конденсатора Сэ, поэтому отрицательная обратная связь по переменной составляющей отсутствует. Схема с общим эмиттером обеспечивает усиление как по напряжению, так и по току. Она имеет невысокое входное и относительно большое выходное сопротивления. В многокаскадных усилителях схему с общим эмиттером используют для получения требуемого коэффициента усиления напряжения.

36. Классификация полевых транзисторов.

Полевой транзистор (ПТ) – полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического поля. В отличие от биполярного ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей. Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и затвором (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и истоком. От напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала, следовательно, и величина тока. Таким образом, полевой транзистор можноирассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвор-исток.

По конструкции: с управляющим p–n-переходом;

с металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком.

Транзисторы второго вида называют МДП-транзисторами (металл –диэлектрик – полупроводник). В большинстве случаев диэлектриком является двуокись кремния SiO2, поэтому обычно используется название МОП- транзисторы (металл – окисел – полупроводник). Проводимость канала полевого транзистора может быть электронной

или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор называют n-канальным. Транзисторы с каналами, имеющими дырочную проводимость, называют p-канальными. В МОП- транзисторах канал может быть обеднён носителями или обогащён ими. Таким образом, понятие «полевой транзистор» объединяет шесть различных видов полупроводниковых приборов.