Определение нагрузочных способностей элементов по входным и выходным характеристикам.
Характеристика передачи лэ. Вид характеристики и требования к ней.
Это зависимость выходных напряжений от входных. Uвых = f(Uвх). В случае не инвертирующего логического элемента:
П
ростейшим
элементом который имеет характеристику
передачи является резистор.
Е
го
хар-ка на рисунке. Что на входе – то и
на выходе. ЛЭ на резисторе не обладает
формирующими свойствами, т.е. не
восстанавливает цифровой сигнал при
воздействие помех. ЛЭ обладающий
формирующими свойствами имеет следующую
характеристику передачи:
Характеристика передачи ЛЭ должна иметь два участка с дифференциальным приращением < 1 и один участок с приращением >> 1.
По характеристики передачи можно определить помехоустойчивость ЛЭ, выходное напряжение и пороговое напряжение.
Параметры лэ, определяемые с помощью характеристики передачи.
По характеристике передачи можно определить помехоустойчивость ЛЭ, выходное напряжение и пороговое напряжение.
Помехоустойчивость лэ. Как определить помехоустойчивость лэ.
Помехоустойчивость или, как ее еще называют, шумовой иммунитет определяет допустимое напряжение помех на входах МС и непосредственно связана с ее передаточной характеристикой. В общем случае этот параметр оценивается по нескольким показателям.
В зависимости от продолжительности помех различают статическую и динамическую помехоустойчивость.
Если длительность помехи больше времени переходных процессов – это статическая помехоустойчивость.
Если помехи импульсные, кратковременные – динамическая помехоустойчивость.
Для обоих видов помехоустойчивости учитывают воздействие напряжения низкого и высокого уровней.
Статическая помехоустойчивость по низкому уровню:
U0пом= |U0выхmax – U0вхmax|
где: U0выхmax – максимальное допустимое напряжение низкого уровня на выходе нагруженной МС
U0вхmax – максимальное допустимое напряжение низкого уровня на входе нагружающей МС
Статическая помехоустойчивость по высокому уровню:
U1пом= |U1выхmin – U1вхmin|
где: U1выхmin – минимальное напряжение высокого уровня на выходе нагруженной МС
U1вхmin – минимальное допустимое напряжение высокого уровня на нагружающем входе.
В справочниках приводят одну величину, U0пом или U1пом, ту, что меньше.
Динамическая помехоустойчивость выше статической, т.к. при кратковременных помехах сказываются паразитные емкости и инерционные процессы в МС. Она зависит и от типа МС и от условий ее работы. В справочниках не указывается.
Диодные лэ. Функции, реализуемые диодными лэ.
Способность диодов проводить электрический ток только в одном направлении может быть использована в различных устройствах коммутации и логических цепях.
Примеры простейших диодных логических элементов приведены на рис.
ИЛИ
И
Конечно, в обычных цифровых устройствах подобные диодные узлы не распространены. Но в аналоговых и в комбинированных аналого-цифровых схемах такие цепи могут использоваться в первую очередь для упрощения конструкции. Например, схема на рис. 3.1-5 позволяет генерировать управляющий сигнал для какого-либо исполнительного механизма при условии одновременного поступления сигналов определенного уровня от двух датчиков.
Характеристика передачи ЛЭ (диодного) И, логические уровни на входе и выходе.
Характеристика передачи ЛЭ (диодного) ИЛИ, логические уровни на входе и выходе.
Формирующие свойства характеристики передачи ЛЭ.
Формирующие свойства – способность ЛЭ восстанавливать сигнал при помехах. ЛЭ обладающий формирующими свойствами имеет следующую характеристику передачи:
Характеристика передачи ЛЭ должна иметь два участка с дифференциальным приращением < 1 и один участок с приращением >> 1.
Диодно-транзисторные ЛЭ.
Диодно-транзисторная логика (ДТЛ), англ. Diode–transistor logic (DTL) — технология построения цифровых схем на основе биполярных транзисторов, диодов и резисторов. Своё название технология получила благодаря реализации логических функций (например, 2И) с помощью диодных цепей, а усиления и инверсии сигнала — с помощью транзистора (для сравнения см.резисторно-транзисторная логика и транзисторно-транзисторная логика).
