
- •9. Элементы электронной техники
- •9.1. Общие сведения о полупроводниках
- •9.2. Контактные явления в полупроводниках
- •9.3. Полупроводниковые диоды
- •9.4. Биполярные транзисторы
- •9.5. Полевые транзисторы
- •9.6. Тиристоры
- •9.7. Классификация полупроводниковых устройств
- •9.8. Неуправляемые выпрямители
- •9.9. Управляемые выпрямители
- •9.10. Инверторы
- •9.11. Преобразователи постоянного напряжения и частоты
- •9.12. Классификация усилителей
- •9.13. Усилительные каскады на биполярных транзисторах
- •9.14. Дифференциальный усилитель
- •9.15. Операционные усилители
- •10. Основы цифровой техники
- •10.1. Классификация импульсных и цифровых устройств
- •10.2. Логические элементы
- •10.3. Импульсные устройства с временно устойчивыми
- •10. 4. Импульсные устройства с устойчивыми состояниями. Триггеры
- •10. 5. Логические автоматы с памятью
- •10. 6. Логические автоматы без памяти
- •10. 7. Аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи
- •10. 8. Оптоэлектронные устройства
- •10. 9. Программируемые устройства. Микропроцессоры
- •11. Электрические измерения
- •11.1 Общие сведения
- •11.2. Меры, измерительные приборы и методы измерения
- •11.3. Погрешности измерения и классы точности
- •11.4. Потребление энергии электроизмерительными
- •11.5. Механические узлы показывающих приборов
- •11.6. Системы показывающих приборов
- •11.7. Логометры
- •11.8. Счетчики электрической энергии
- •11.9. Электронные измерительные приборы. Электронный вольтметр
- •11.10. Цифровые измерительные приборы. Цифровой вольтметр
- •11.12. Измерительные системы
- •11.13. Преобразователи неэлектрических величин
9.6. Тиристоры
Тиристор — полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями и тремя или более последовательно включенными p-n-переходами. Наиболее распространена структура тиристора с четырьмя чередующимися слоями полупроводников р- и п- типов (рис. 9.16).
Рис.
9.16
Диодный тиристор (динистор) имеет два вывода — анодный А и катодный К. Его переключение из одного устойчивого состояния в другое в цепи переменного тока (см. рис. 5.10) определяется методом нагрузочной характеристики (см. рис. 5.11). Здесь и в дальнейшем примем, что ВАХ тиристоров безынерционные, т.е. I(U) = i(u). При плавном увеличении от нулевого значения ЭДС еэк диодный тиристор сначала будет закрыт и ток в цепи мал (точка 1 на ВАХ по рис. 9.16). В точке 2 ВАХ диодного тиристора напряжение на нем достигнет напряжения включения U = Uвкл. Дальнейшее даже незначительное увеличение ЭДС еэк приведет к резкому изменению режима работы цепи (точка3 на ВАХ), т.е. открыванию диодного тиристора. При уменьшении ЭДС еэк процессы в цепи протекают в обратном порядке. В точке 4 ВАХ напряжение достигнет напряжения выключения. Дальнейшее уменьшение ЭДС еэк приводит к закрыванию диодного тиристора.
Находят применение также симметричные диодные тиристоры (симисторы), условное обозначение которых и их ВАХ приведены на
рис. 9.17.
Рис.
9.17
Рис.
9.19
Рис.
9.18
Рис.
9.20
рис. 9.18. При изменении напряжения управления Uyn изменяется и напряжение включения тиристора Uвкл. Следовательно, его можно использовать как управляемый ключ.
Для запирания триодного тиристора необходимо уменьшить ток практически до нуля.
Типовая конструкция триодного тиристора большой мощности приведена на рис. 9.19, где 1 — основание из меди; 2 — трубка из стали со стеклоизолятором 3;4 — четырехслойная структура р-п-р-п с припаянными к ней вольфрамовыми дисками 5 и 6; 7, 8 — стержневые выводы катода и управляющего электрода соответственно, которые через переходные втулки 9 соединяются с гибкими наружными выводами.
Разновидностью управляемых тиристоров являются запираемые триодные тиристоры, в которых запирание возможно с помощью коротких по длительности импульсов напряжения Uyn обратной полярности. Их условное изображение приведено на рис. 9.20, a и б для катодного и анодного управлений соответственно.
Основная область применения тиристоров — преобразовательная техника. Номинальные значения токов у некоторых типов тиристоров в открытом состоянии достигают 5000 А, а номинальные значения напряжений в закрытом состоянии — до 5000 В.