Вольтамперные характеристики транзистора в схеме с оэ

Входная ВАХ :

1. Если , то (смещённого в прямом направлении).

2. Если , ВАХ смещается вправо, это связанно с тем, что через переход база-эмиттер протекает ток коллектора, создающий на нём напряжение.

3. Если Uбэ0, то I_б0= -I*_к0. Т.к. I*_к0 I_к0 поэтому его показывают на ВАХ.

Выходная ВАХ: I_К=f(U_КЭ)|_Iб=const. Выходные характеристики транзистора включенного по схеме с ОЭ имеют ряд отличий по сравнению с транзистором, включенным по схеме с ОБ.

1. За счёт U_кэ=U_кб+U_бэ ВАХ с ОЭ смещаются вправо.

2. Наклон рассматриваемых характеристик значительно больше чем прежде. Это связано с тем, что U_бэ, зависит от тока Iк протекающего через эмиттерный переход.

3. При U_кэ>U_кэmax, происходит пробой коллекторного перехода, причём, U_{кэ max}(ОЭ) < U_кбmax(ОБ).

4. При J_б=0, J_кэ=J^*_ко>>J_ко

У становим взаимосвязь между Iб и Iк. Учитывая, что:

I_к =I_э+I_к0+U_кб/r_{к диф к} =(I_к+I_б)+I_к0+U_кб/r_{к диф}

Разрешим последнее относительно Iк. Получим

I_к= I_б /(1-) +I_к0/(1-) +U_кб/r_{к диф}(1-) или I_к =I_б+I^*_к0+U_кб/r^*_{к диф к}

Где =I_к/I_б=/(1-) - коэффициент передачи тока базы, если , то ; если , то , I^*_к0= I_к0/(1 - ) – обратный ток колекторного перехода в схеме с ОЭ. I^*_к0  I_к0 – это связано с усилением транзистором своего теплового тока – тока базы; r^*_{к диф к} =r_{к диф}(1-) - дифференциальное сопротивление запертого коллекторного перехода в схеме с ОЭ. r^*_{к диф к} r_{к диф} этим и обьясняется заметный наклон выходных ВАХ.

У силительные свойства транзистора, включённого с ОЭ, характеризуются параметром  - коэффициент передачи тока базы. Различают три коэффициента передачи тока базы:

1. Статический коэффициент передачи β=I_к/I_б|_{Uкэ = const}.

2. Дифференциальный коэффициент передачи тока базы: β=∆I_к/∆I_б|_{Uкэ = const}

3. Динамический коэффициент передачи

_ - постоянная времени транзистора включенного по схеме с ОЭ

Амплитудно и фазо-частотные характеристики (j) имеют вид

, _() = arctg(-_),

где _=(_)^-1 – граничная частота транзистора по схеме с ОЭ, __,

_ = (1 - )_.

1.6. Схемы замещения и параметры транзистора Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры

Д ля аналитического расчета цепей с транзисторами широко используют схемы замещения. Получили распространение физические и формализованные модели транзистора. В физической схеме замещения ее параметры связаны с физическими (собственными) параметрами транзистора. На рис. 2.6, а, б показаны Т-образные схемы замещения для переменных токов и напряжений для схем с ОБ и ОЭ соответственно. Они справедливы для линейных участков входных и выходных ВАХ транзистора, на которых параметры транзистора можно считать неизменными.

Рассмотрим параметры транзистора по схеме с ОБ:

- r_э=dU_эб/ dI_б|_Uкэ=const - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода (включенного в прямом направлении). Оно зависят от постоянной составляющей тока Iэ:

г_э ≈φ_т/I_э = 0,026 /I_э. (2.20)

Числовое значение г_э лежит в пределах от единиц до десятков Ом. г_б –обьемное сопротивление области базы . Обычно г_б >> г_э и состовляет 100-500 Ом.

- αI_э - эквивалентный источник тока, учитывает передачу эмиттерного тока, через базу в коллектор. α=∆Iк/∆Iэ│_Uкб=const. -дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока. Коэффициент α имеет порядок 0,9 — 0,999.

- r_к=∆U_кб/∆I_к│_Iэ=соnst — дифференциальное сопротивление коллекторного перехода (включенного в обратном направлении); учитывает зависимость коллекторного тока от напряжения U_кб. Значения r_к лежат в пределах 0,5—1 МОм.

- С_э и С_к — это емкости эмиттерного и коллекторного переходов. Каждая из них равна сумме барьерной и диффузионной емкостей соответствующего перехода.

В Т-образной схеме замещения транзистора ОЭ (рис. 2.6,6) сопротивления r_э и r_к, имеют тот же физический смысл и тот же порядок величин, что и в схеме ОБ. Поскольку входной ток в схеме ОЭ — ток базы, в выходную цепь введен источник тока βI_{б ,} где β =∆Iк/∆Iб|_{Uкэ = const} - дифференциальный коэффициент передачи тока базы в схеме ОЭ.

Сопротивление r^*_к = г_к/(1 + β), учитывает изменение коллекторного тока с изменением напряжения U_кб. Так как входным в схеме ОЭ является ток базы, который в 1 + β раз меньше тока эмиттера, то при переходе от схемы ОБ к схеме ОЭ в 1 + β раз уменьшается не только активное, но и емкостное сопротивление коллекторного перехода. В схеме ОЭ С*_к = (1 + β) С_к. Увеличение емкости С^*_к приводит к еще большему ее влиянию на высоких частотах, чем влияние емкости С_э. В связи с этим емкость С_э в схеме ОЭ можно не учитывать.

Поскольку на высоких частотах емкость С^*_к шунтирует большое сопротивление г_к, она сильно влияет на работу транзистора, а емкость С_э шунтирует малое сопротивление г_э и ее влияние незначительно. Емкость С_к учитывают при частотах, составляющих десятки килогерц, а емкость С_э — при частотах, превышающих единицы и десятки мегагерц. При работе на средних частотах (от десятков герц до единиц килогерц) емкости переходов не учитывают и в схему замещения не вводят.

Так как в транзисторе существует положительная обратная связь, обусловленная эффектом модуляции ширины базы, то во входные цепи схем замещения следовало бы ввести источник напряжения, учитывающий это явление. Но т.к. числовое значение коэффициента обратной связи мало (~10^-3-~10^-4), то обычно этот источник в схему замещения не вводят.