Министерство образования Российской Федерации

Казанский Государственный Технический Университет

им. А.Н. Туполева

__________________________________________________________

Кафедра Теоретической радиотехники и электроники

Д.В. Погодин

ИССЛЕДОВАНИЕ полупроводниковых диодов

(EWB)

Методические указания к лабораторной работе N 416 (EWB)

по курсу “Электротехника и электроника”

Казань 2005

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: изучить основные свойства, характеристики и параметры полупроводниковых диодов, экспериментально исследовать их вольтамперные характеристики (ВАХ) и возможности применения диодов в электронных схемах.

1. Основные понятия и расчетные формулы

1.1. Физические процессы в р-n-переходе

Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход (р-n-переход), представляющий собой переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную электропроводность, а другая — дырочную.

1.1.1. Образование p-n перехода. P-n переход в равновесном состояние

Р ассмотрим подробнее процесс образования p-n перехода. Равновесным называют такое состояние перехода, когда отсутствует внешнее напряжение. Напомним, что в р-области имеются два вида основных носителей заряда: неподвижные отрицательно заряженные ионы атомов акцепторной примеси и свободные положительно заряженные дырки ; а в n-области имеются также два вида основных носителей заряда: неподвижные положительно заряженные ионы атомов донорной примеси и свободные отрицательно заряженные электроны.

До соприкосновения p и n областей электроны дырки и ионы примесей распределены равномерно, а потому в целом каждая из областей электрически нейтральна.

При идеальном контакте этих областей на их границе возникает градиент концентрации свободных носителей заряда и диффузия. Под действием диффузии электроны из n области переходит в p и рекомбинирует там с дырками. Дырки из р области переходят в n-область и рекомбинируют там с электронами. В результате такого движения в приграничной области концентрация свободных носителей заряда убывает почти до нуля, но в тоже время в р-области остается отрицательный пространственный заряд, создаваемый неподвижными ионами акцепторной примеси, а в n-области положительный пространственный заряд, создаваемый неподвижными ионами донорной примеси. Между этими зарядами возникает контактная разность потенциалов φ_к и электрическое поле Е_к, которое препятствует диффузии свободных носителей заряда из глубины р- и n-областей через р-n переход. Таким образом приграничная область, обеднённая свободными носителями заряда со своим электрическим полем, которое препятствует диффузии и называется р-n переходом.

P-n-переход характеризуется двумя основными параметрами:

1. контактной разности потенциалов φ_к, ее называют высотой потенциального барьера.. Это энергия, которой должен обладать свободный заряд, чтобы преодолеть потенциальный барьер:

где k — постоянная Больцмана; е — заряд электрона; Т — температура; N_а и N_Д — концентрации акцепторов и доноров в дырочной и электронной областях соответственно; р_р и р_n — концентрации дырок в р- и n-областях соответственно; n_i — собственная концентрация носителей заряда в нелигированном полупроводнике, _т=кТ/е - температурный потенциал. При температуре Т=27⁰С _т=0.025В, для германиевого перехода _к=0,3В, для кремниевого перехода _к=0,6В.

2. ширина p-n-перехода (рис.1) – это приграничная область, обеднённая носителями заряда, которая располагается в p и n областях: l_p-n = l_p + l_n:

, отсюда ,

где ε — относительная диэлектрическая проницаемость материала полупроводника; ε₀ — диэлектрическая постоянная свободного пространства.

Толщина электронно-дырочных переходов имеет порядок (0,1-10)мкм.

Если , то и p-n переход называется симметричным, если , то и p-n переход называется несимметричным, причём он в основном располагается в области полупроводника с меньшей концентрацией примеси.

В равновесном состоянии (без внешнего напряжения на р и n областях) через р-n-переход движутся два встречных потока зарядов (протекают два тока). Это дрейфовый ток неосновных носителей заряда и диффузионный ток, который связан с основными носителями заряда. Так как внешнее напряжение отсутствует, и тока во внешней цепи нет, то дрейфовый ток и диффузионный ток взаимно уравновешиваются и результирующий ток равен нулю

I_р-n= I_др + I_диф = 0.

Это соотношение называют условие динамического равновесия процессов диффузии и дрейфа в изолированном (равновесном) p-n- переходе.

Поверхность, по которой контактируют p и n области называется металлургической границей. Реально она имеет конечную толщину - δ_м. Если δ_м<< l_p-n, то p-n-переход называют резким. Если δ_м>>l_p-n, то p-n-переход называют плавным.

1.1.2. Р-n переход при внешнем напряжении, приложенном к нему

В нешнее напряжение нарушает динамическое равновесие токов в p-n-переходе. p-n переход переходит в неравновесное состояние. В зависимости от полярности напряжения приложенного к областям в p-n-перехода возможно два режима работы.

1) Прямое смещение p-n перехода. Р-n переход считается смещённым в прямом направлении, если положительный полюс источника питания подсоединен к р-области, а отрицательный к n-области (рис.1.2.). Такое внешнее напряжение на областях прикладывается к p-n- переходу и направлено встречно _к. Результирующее напряжение на p-n переходе убывает до величины _к - U. Это приводит к тому, что напряженность электрического поля убывает и возобновляется диффузии основных носителей заряда. Кроме того, прямое смещении уменьшает ширину p-n перехода, т.к. l_p-n≈(_к – U)^1/2. Ток диффузии, это ток основных носителей заряда, он становится много больше дрейфового. Этот ток называют прямым током p-n перехода. При прямом смещение ток p-n перехода равен

I_р-n =I_диф+I_др I_диф =I_пр

При протекании прямого тока основные носители заряда р-области переходят в n-область, где становятся неосновными. Диффузионный процесс введения основных носителей заряда в область, где они становятся неосновными, называется инжекцией, а прямой ток – диффузионным током или током инжекции. Для компенсации неосновных носителей заряда накапливающихся в p и n-областях во внешней цепи возникает электронный ток от источника напряжения, т.е. принцип электронейтральности сохраняется.

При увеличении U ток резко возрастает, - температурный потенциал, и может достигать больших величин т.к. связан с основными носителями концентрация которых велика.

2 ) Обратное смещение, возникает когда к р- области приложен минус, а к n-области плюс, внешнего источника напряжения (рис. 1.3). Такое внешнее напряжение U включено согласно _к и увеличивает высоту потенциального барьера до величины _к + U. Напряженность электрического поля возрастает, процесс диффузии полностью прекращается и через p-n переход протекает лишь дрейфовый ток - ток неосновных носителей заряда. Такой ток p-n-перехода называют обратным I_обр или тепловым током I₀, поскольку он связан с неосновными носителями заряда, которые возникают за счет термогенерации, т.е:.

I_р-n= I_диф+I_др I_др= I_обр = I_0.

При обратном смещение ширина p-n перехода при возрастает, т.к. l_p-n≈(_к + U)^1/2.

Обратный ток мал по величине т.к. связан с неосновными носителями заряда, концентрация которых мала.

Таким образом, для p-n перехода выполняется условие I_пр >> I_обр , т.е. p-n переход обладает односторонней проводимостью.

При обратном смещении концентрация неосновных носителей заряда на границе перехода несколько снижается по сравнению с равновесной. Это приводит к диффузии неосновных носителей заряда из глубины p и n-областей к границе p-n перехода. Достигнув ее неосновные носители попадают в сильное электрическое поле и переносятся через p-n переход, где становятся основными носителями заряда. Диффузия неосновных носителей заряда к границе p-n перехода и дрейф через него в область, где они становятся основными носителями заряда, называется экстракцией. Экстракция и создает обратный ток p-n перехода - это ток неосновных носителей заряда.

Величина обратного тока сильно зависит: от температуры окружающей среды, материала полупроводника и площади p-n перехода.

Температурная зависимость обратного тока определяется выражением , где - номинальная температура, - фактическая температура, - температура удвоения теплового тока .

Тепловой ток кремниевого перехода много меньше теплового тока перехода на основе германия (на 3-4 порядка). Это связано с _к материала.

С увеличением площади перехода возрастает его обьем, а следовательно возрастает число неосновных носителей появляющихся в результате термогенерации и тепловой ток.

Итак, главное свойство p-n-перехода – это его односторонняя проводимость. Его ВАХ приведена на рис.1.4.