Содержание

Введение 2

1. Исходные данные 3

2. Статический режим или режим покоя. 4

3. Графическая часть: входных и выходных ВАХ транзистора. 6

4. Динамический режим. 9

5. Итог расчета. 11

6. Практическая реализация проекта. 12

7. Подготовка и изготовление печатной платы, монтаж деталей. 14

8. Перечень элементов к схеме. 15

9. Список использованных источников. 16

Список использованных источников.

1. Степаненко И.П., Основы теории транзисторов и транзисторных схем: «Энергия» Москва 1973 год.

2. Горбачёв Г.Н., Чапалыгин Е.Е., Промышленная электроника: учебное пособие 1988 год.

3. Нефедов В.И., Основы радиоэлектроники: Учебник для вузов Москва Высшая школа, 2000 год.

4. Фишер Дж.Э., Гетланд Х.Б., Электроника от теории к практике, 1976год., перевод на русский язык, «Энергия» 1980 год.

5. Терещук Р.М., Седов С.А. Малогабаритная радиоаппаратура, Справочник, Киев 1971 год.

Рисунок 6

Таблица №1. Перечень элементов к схеме рис. 6

Наименование.	Обозначение.	Номинал.	Примечание.
Резисторы		1,2 кОм.
		160 Ом.
		470 Ом.	Переменный
		280 Ом.
		50 Ом.
		270 Ом.
Конденсаторы		33 мкФ.	10 В.
		15 мкФ.	10 В.
		100 мкФ.	10 В.
		220 мкФ.	10 В.
		2,2 мкФ.	10 В.
Полупроводниковые приборы		МП 42 Б	p-n-p, германиевый
		КД 522
		КД 522
Прочее			1 планка на два контакта для перемычки
		1 перемычка
			3 клеммные колодки на 2 контакта

Введение

Обычно к полупроводниковым материалам относят вещества, которые при комнатной температуре имеют удельное сопротивление в пределах от Омсм.. Вещества со значительно меньшим сопротивлением (Омсм.) причисляют к проводникам (металлам), а со значительно большим (Омсм.)- к непроводникам (диэлектрикам). Количество полупроводниковых материалов, далеко превышает число металлов и диэлектриков. К полупроводникам относятся некоторые химические элементы (Ge, Si, Se), интерметаллические соединения (InSb, GaAs), окислы (O, ZnO), сульфиды, карбиды и множество других химических соединений.

В отличие от металлов сопротивление полупроводников сильно зависит от температуры и, кроме того, с ростом температуры не увеличивается, а уменьшается. Так, для большинства металлов температурный коэффициент сопротивления составляет +(0,4-0,6) % на 1˚С, а для полупроводников он может достигать –(5-6)% на 1˚С и более.

При добавлении примеси в чистый полупроводник его удельное сопротивление сильно уменьшается: например, мышьяка в германий снижает сопротивление в 200 раз.

Транзистор (от английских слов transfer – «переносить» и resistor – «сопротивление») – это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний различных частот.

Транзисторы делятся по мощности и рабочей частоте (зашифровано в порядковом номере ).

	Малой мощности до 0,3 Вт.	Средней мощности до 1,5 Вт.	Большой мощности более 1,5 Вт.
Низкочастотные	От 100 до 199	От 400 до 499	От 700 до 799
Среднечастотные	От 200 до 299	От 500 до 599	От 800 до 899
Высокочастотные	От 300 до 399	От 600 до 699	От 900 до 999

Например: КТ 608 – кремниевый транзистор, высокочастотный, средней мощности.

Биполярный транзистор – это трехслойный прибор, состоящий из двух p-n-переходов, расположенных на одной линии вплотную друг к другу. Его структура может быть либо p-n-p либо n-p-n. Три области, которые образуют транзистор, называются эмиттер, база, коллектор.

Заключение

В данной работе был произведен расчет усилительного каскада по схеме с «Общим Эмиттером», при выполнении которой было закреплено знание, полученные при изучении теоретического материала, приобретены навыки по выбору, анализу и расчёту схем электронных устройств, а также для практической работы по изготовлению и монтажу электронного устройства.