36 Топографический контраст в рэм

обусловлен изменением интенсивности эмиссии вторичных электронов и коэффициента отражения для отраженных электронов, угла наклона элемента поверхности к первичному пучку.Характерная черта– повышенная яркость изображения острых вершин и выступов рельефа (краевой эффект),вызванная увеличением выхода электронов с этих участков. Снижениеразрешающей способности и потеря отдельных деталей изображения усугубляются при этом за счет более эффективного улавливания коллектором электронов, вылетающих из выступов рельефа.

38 Контраст в режиме наведенного тока в рэм

связан с явлениями образования электронно-дырочных пар в полупроводниковых приборах;Электронный луч с большой энергией фокусируется на маленькой площади микросхемы и проникает через несколько слоев ее структуры, в результате в полупроводнике генерируются электронно-дырочные пары. При соответствующих внешних напряжениях, приложенных к ИМС, измеряются токи обусловленные вновь рожденны-ми носителями заряда. метод позволяет:- определить периметр р-n перехода. Форма периметра оказывает влияние на пробивные напряжения и токи утечки. По фотографиям р-n перехода можно определить искажения периметра р-n перехода- определить места локального пробоя р-n перехода. При образовании локального пробоя р-n перехода в месте пробоя образуется лавинное умножение носителей тока Если первичный пучок электронов попадает в эту область, то генерированные первичными электронами электронно-дырочные пары также умножаются в р-n переходе, в результате чего в данной точке будет зафиксировано увеличение сигнала и соответственно появление светлого пятна на изображении. Изменяя обратное смещение на р-n переходе, можно выявить момент образования пробоя, а проведя выявление структурных дефектов например с помощью селективного травления или с ПЭМ, можно сопоставить область пробоя с тем или иным дефектом. - наблюдать дефекты. 

40 Магнитный контраст 2 рода в рэм

Является результатом взаимодействия высокоэнергетических электронов зонда с внутренним полем образца. возникает за счет того, что магнитное поле, присущее некоторым материалам, может воздействовать на сам процесс взаимодействия первичного электронного пучка с этими материалами или на результат этого взаимодействия. В РЭМ эти магнитные эффекты могут быть использованы для создания контраста изображения областей с различным направлением намагниченности (магнитных доменов)

42 Оже-спектроскопия

При реализации этого процесса внешнее излучение (первичный или вторичный электрон, ион, рентгеновское излучение) создает на внутренней оболочке атома вакансию, которая затем заполняется либо электроном с соседней оболочки, либо валентным электроном. Механизм оже-перехода характеризуется заполнением дырки одним электроном и эмиссией второго электрона (оже-электрона). (В случае рентгеновской флуоресценции вместо второго электрона испускается квант рентгеновского излучения.)При этом энергия оже-электрона фиксирована для каждого электронного уровня каждого атома, поэтому, регистрируя пик оже-электронов данного элемента, можно получить распределение этого элемента по поверхности образца.Существует несколько подвидов оже-спектроскопии в зависимости от применяемого средства возбуждения атома мишени.Если это электромагнитное излучение, то соответственно РФЭС (рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) и УФЭС (ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия); если электроны, то ЭОС (электронная оже-спектроскопия); если ионы, то ИОС (ионная оже-спектроскопия)