
- •1)Химическая стехиометрия. Постоянная Авогадро. Количество вещества. Моль. Эквивалент вещества. Эквивалентная масса. Закон эквивалентов. Расчёт эквивалентных масс кислот и оснований.
- •2)Расчет эквивалентов и эквивалентных масс различных классов неорганических соединений
- •3)Химическая термодинамика. Термодинамическая система. Типы термодинамических систем. Параметры, уравнения и функции состояния. Изобарные, изохорные, изотермические процессы.
- •4) Первое начало термодинамики. Расчет теплового эффекта для изобарного процесса. Энтальпия. Стандартная энтальпия.
- •5)Термохимия(тх). Термохимические уравнения(ту). Закон Лавуазье-Лапласа. Закон Гесса. Теплота сгорания топлива(тст).
- •7)Энтропия. Второе и третье начала тд. Зависимость энтропии от температуры. Оценка изменения энтропии в ходе реакций, протекающих с участием газообразных веществ.
- •8)Энергия Гиббса как критерий самопроизвольности протекания х.Р. Оценка влияния энтропийного и энергетического факторов на энергию Гиббса при высоких и низких температурах.
- •10)Зависимость скорости реакции от концентрации и парциального давления реагирующих веществ. Здм для простых и сложных реакций. Константа схр.
- •11)Зависимость V реакции от температуры. Правило Вант-Гоффа
- •12)Теория переходного состояния. Понятие о переходном состоянии. Координата реакции. Энергетические диаграммы для эндотермических и экзотермических реакций.
- •14)Химическое равновесие. Изменение концентрации реагирующих веществ и продуктов реакции с течением времени в обратимых реакциях.
- •15)Константа равновесия реакции и факторы, её определяющие Константа реакции, идущей с участием газообразных веществ. Связь константы равновесия с изменением энергии Гиббса х.Р.
- •16)Смещение химического равновесия(хр). Правило Ле-Шателье. Влияние температуры, давления и концентрации на хр.
- •17)Растворы. Растворитель и растворённое в-во. Различные способы выражения состава раствора. Молярная, эквивалентная и моляльная с. Массовая и молярная доля.
- •18)Растворимость веществ. Насыщенные растворы. Произведение растворимости(пр). Условие образования осадка малорастворимого соединения.
- •21) Электролитическая диссоциация. Равновесия в растворах электролитов. Степень диссоциации. Сильные и слабые электролиты.
- •22)Константа диссоциации. Факторы её определяющий. Закон разбавления Оствальда.
- •24) Гидролиз солей. Классификация солей по их отношению к гидролизу.
- •25) Сущность процесса гидролиза солей разного типа.
- •23) Фазовая диаграмма воды. Ионное произведение воды. Водородный и гидроксильный показатели. Способы измерения и расчета рН и рОн.
- •27)Электролитическая диссоциация комплексных соединений. Константа нестойкости.
- •28)Окислительно-восстановительные реакции. Электроотрицательность, степень окисления. Важнейшие окислители и восстановители.
- •29)Типы овр. Метод электронного баланса.
- •30)Электрохимия. Строение гальванического элемента Даниеля, катодные и анодные реакции, функция солевого мостика.
- •31)Стандартный электродный потенциал(сэп). Электрохимический ряд напряжений металлов.
- •32)Уравнение Нернста. Вывод уравнения Нернста для металлического и водородного электродов.
- •33) Основные типы гальванических элементов, применяемых в технике. Аккумуляторы. Топливные элементы.
- •34)Коррозия металлов. Классификация процессов коррозии по характеру поражения поверхности и по механизму.
- •35) Электрохимическая коррозия. Водородная и кислородная деполяризация,
- •37)Электролиз. Электролиз расплавов солей.
- •38)Особенность электролиза водных р-в. Участие воды в реакциях окисления и восстановления.
- •38)Последовательность катодных процессов при электролизе водных растворов неорганических соединений.
- •39) Последовательность разрядки ионов на электродах при электролизе. Электролиз с использованием различных видов электродов.
- •40)Законы электролиза(Фарадея). Выход по току. Применение электролиза.
- •41) Строение атома. Квантово-механическое описание атома. Понятие о волновой функции.
- •42) Строение многоэлектронных атомов. Принцип минимума энергии. Принцип Паули. Правило Хунда.
- •43)Атомные орбитали(ао). Квантовые числа: главное, орбитальное, магнитное, спиновое. Интерпретация квантовых чисел.
- •44)Периодические свойства. Потенциал ионизации. Сродство к е. Радиус атома
- •45)Химическая связь. Ковалентная (обменная и донорно-акцепторная), ионная и металлическая связь.
- •46)Метод молекулярных орбиталей(мо). Строение молекулы н с позиции теории (мо).
- •47)Основы зонной теории. Проводники, полупроводники и диэлектрики с позиции зонной теории. Понятие о примесной проводимости проводников.
- •48)Химия металлов. Свойства металлов. Классификация металлов и их распространенность в природе.
- •49… Металлургия. Типы восстановления металлов из руд.
- •50… Алюминий» титан. Свойства и применение
47)Основы зонной теории. Проводники, полупроводники и диэлектрики с позиции зонной теории. Понятие о примесной проводимости проводников.
В основе зонной теории лежит так называемое адиабатическое приближение. Кван-тово-механическая система разделяется на тяжелые и легкие частицы - ядра и электроны. Поскольку массы и скорости этих частиц значительно различаются, можно считать, что движение электронов происходит в поле неподвижных ядер, а медленно движущиеся ядра находятся в усредненном поле всех электронов. Принимая, что ядра в узлах кристаллической решетки неподвижны, движение электрона рассматривается в постоянном периодическом поле ядер.
Далее используется приближение самосогласованного поля. Взаимодействие данного электрона со всеми другими электронами заменяется действием на него стационарного электрического поля, обладающего периодичностью кристаллической решетки. Это поле создается усредненным в пространстве зарядом всех других электронов и всех ядер. Таким образом, в рамках зонной теории многоэлектронная задача сводится к задаче о движении одного электрона во внешнем периодическом поле - усредненном и согласованном поле всех ядер и электронов. Рассмотрим мысленно «процесс образования» твердого тела из изолированных атомов. Пока атомы изолированы, т. е. находятся друг от друга на макроскопических расстояниях, они имеют совпадающие схемы энергетических уровней. По мере «сжатия» нашей модели до кристаллической решетки, т. е. когда расстояния между атомами станут равными межатомным расстояниям в твердых телах, взаимодействие между атомами приводит к тому, что энергетические уровни атомов смещаются, расщепляются и расширяются в зоны, образуется зонный энергетический спектр. Также возможно перераспределение электронов между зонами, возникающими из уровней различных атомов, которое может привести к тому, что вместо двух частично заполненных зон в кристалле окажутся одна полностью заполненная (валентная) зона и одна свободная зона (зона проводимости). Твердые тела, у которых энергетический спектр электронных состояний состоит только из валентной зоны и зоны проводимости, являются диэлектриками или полупроводниками в зависимости от ширины запрещенной зоны DE. Если ширина запрещенной зоны кристалла порядка нескольких электрон-вольт, то тепловое движение не может перебросить электроны из валентной зоны в зону проводимости и кристалл является диэлектриком, оставаясь им при всех реальных температурах (рис. 314, в). Если запрещенная зона достаточно узка (DЕ порядка 1 эВ), то переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости может быть осуществлен сравнительно легко либо путем теплового возбуждения, либо за счет внешнего источ ника, способного передать электронам энергию DЕ, и кристалл является полупроводником. На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей, чем у кристалла, валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуются дополнительные свободные электроны. Именно поэтому примесь называется донорной. Преобладает электронная проводимость, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью n = 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.
Акцепторная примесь — это примесь с меньшей чем у кристалла валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Преобладает «дырочная» проводимость, а полупроводник называют полупроводником p-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки»..