
- •1.Биполярные транзисторы. Основные характеристики: входные, выходные, проходные. Электрические и экспоненциальные параметры.
- •2. Каскад с оэ: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства и применение.
- •3. Каскад с ок: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства и применение. (эмитерный повторитель).
- •4. Каскад с об: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства, недостатки и применение.
- •5. Статические характеристики биполярных транзисторов, h- параметры, схемы замещения транзисторов.
- •6.Транзисторный источник тока. Транзисторный источник тока с заземленной нагрузкой.
- •7.Схема расщепления фазы(фазоинвертор)с единичным коэффициентом усиления. Применение.
- •12. Режимы работы транзисторов: активный (усилительный), инверсный, насыщения.
- •13. Классы усиления: a, b, ab, c, d. Достоинства и недостатки. Применение.
- •14. Усилители мощности. Однотактные и двухтактные усилители. Схемы включения.
- •15. Составные транзисторы: схемы Дарлингтона и Шиклаи. Применение.
- •17. Следящая связь (пос). Схема. Применение.
- •1 8.Эффект Миллера.
- •19. Полевые транзисторы (мдп (моп) – транзисторы). По способу создания канала (с p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом). Входные и выходные характеристики.
- •20.Достоинства полевого транзистора по сравнению с биполярным транзистором. Недостатки. Достоинства полевого транзистора с p-n переходом. Недостатки.
- •21. Схемы включения полевых транзисторов: общий исток, общий сток, общий затвор
- •22. Бтиз (igbt) – биполярный транзистор с изолированным затвором. Достоинства по сравнению с моп.
- •29. Дифференциальные усилители (ду). Схема включения. Ду в режиме покоя, в режиме усиления противофазного сигнала, в режиме усиления синфазного сигнала. Способ улучшения свойств усилителя (схема).
- •Ду в режиме усиления противофазного сигнала
- •Способы компенсации начального напряжения смещения. Схема.
- •Ду с динамической нагрузкой. Схема.
- •Операционные усилители (оу). Графическое изображение. Упрощенная схема оу.
- •Классификация оу по типам входных каскадов: бпт, пт, супер - бпт, с гальванической изоляцией входа от выхода, варикап.
- •34.Динамическое питание оу. Недостаток
- •35.Параметры оу(входные,выходные,динамические)
- •3 6 Инвертирующий усилитель.
- •37.Неинвертирующий усилитель, преобразователь тока в напряжение.
- •38.Сумматоры и вычитатели.
- •39.Интергратор и дифференциатор
- •40.Компанатор.Схемы,недостатки.
- •4 2. Генераторы синусоидальных колебаний. Условия для работы схемы в режиме генерации.
- •43. Генераторы гармонических сигналов. Схема. Достоинства и недостатки.
- •45.Кварцевый генератор. Схема. Достоинства и недостатки.
- •46.Мультивибраторы (генераторы прямоугольных колебаний). Схема.
- •47. Электронные схемы на оу
- •48.Компенсационные. Параметрические. Достоинства и недостатки.
- •49.Компенсационные источники питания. Параметрические. Достоинства и недостатки.
- •5 0. Повышающий стабилизатор. Схема. Принцип работы.
- •51.Функциональная схема ключевого источника питания (принципиальная схема). Принцип работы.
- •52.Последовательный компенсационный стабилизатор напряжения на транзисторе. Схема и принцип работы.
- •54.Тепловое сопротивление.
- •55.Параллельное и последовательное включения транзисторов. Схемы и их назначение.
- •56.Источники опорного напряжения. Задание рабочего тока стабилитрона, источника тока на оу. Стабилитронные интегральные микросхемы.
- •Задание рабочего тока стабилитрона
- •Регулируемый стабилизатор
52.Последовательный компенсационный стабилизатор напряжения на транзисторе. Схема и принцип работы.
VT2 открывается/закрывается таким образом, чтобы поддерживать на выходе напряжение, кот. задаст на базе 5,3В.
Если напряжение на выходе увеличилось, то и напряжение база-эмиттер увеличивается (Uэ=const); это вызывает приоткрывание VT2 и увеличение тока через него, увеличение UR1, а, следовательно, уменьшение UVT1 и UВЫХ.
Изменяя часть подаваемого на базу напряжения с помощью R3, мы изменяем Uвых.
R4 и VT3 –– для защиты от к.з.
При увеличении выходного тока увеличивается UR4. При достижении им 0,6В VT3 открывается, что препятствует увеличению выходного тока, т.к. Uбэ1 не увеличивается.
54.Тепловое сопротивление.
Тепловое сопротивление показывает, на сколько градусов по Цельсию увеличится температура при рассеивании мощности в 1 Вт.
Определяется конструкцией прибора (площадью, способом присоединения кристалла к внутренней теплопроводящей пластине, материалом пластины, наличием или отсутствием электрической изоляции между кристаллом и охладителем) – указывается в справочнике на силовые приборы.
Зависит от качества обработки и плоскостности силового прибора и радиатора, а также от наличия между ними теплопроводящих прокладок либо паст. Зависит от площади соприкосновения и усилия прижатия. Также может указываться в справочнике и составляет 0,1-1 ºС/Вт.
Зависит от конструкции, площади поверхности, материала охладителя и степени его черноты, расположения в пространстве, наличия воздушного или водяного охлажения, разницы температур. Указывается в справочниках на радиаторы.
55.Параллельное и последовательное включения транзисторов. Схемы и их назначение.
Параллельное соединение исп., если недостаточно тока или мощности. При параллельном соединении транзисторов (без их предварительного подбора, но из одной пачки) обязательно включение RЭ , которое вводит ООС и делает практическими одинаковыми коллекторные токи транзисторов. При использовании транзисторов партий при режимах, близких к max, желательно также включение Rб (в базе после точки), выравнивающее входное сопротивление и точки баз.
Последовательное соединение используется при напряжениях, превышающих max для 1 транзистора.
Область безопасной работы
О
граничение
не по мощности, а по
Pк max
идеал.
max току при данном напряжении из-за
вторичного пробоя. Зависит от Pк max реал.
длительности импульсов.
сть безопасной работы.
56.Источники опорного напряжения. Задание рабочего тока стабилитрона, источника тока на оу. Стабилитронные интегральные микросхемы.
Источники опорного напряжения
От качества источника опорного напряжения зависит выходное напряжение изделия.
При выборе источника опорного напряжения необходимо учитывать:
Температурную и временную стабильность и точность, лежащую в их основе физического эффекта;
Величину тока и напряжения стабилизации, при которых температурная и временная нестабильность имеет минимальное значение (ТКИ→0, ТКС→0).
Минимальное динамическое сопротивление зависит от напряжения и тока стабилизации. Минимальный разброс напряжений стабилизации – 6 В, мин ТКН – 3-5 В (3 В – для 10 mA, 5 В – для 10 мкА).