
- •13.Волновая функция частицы, волны и микрообъекта. Соотношения неопределенностей, их смысл
- •14.Фундаментальность неопределенности. Устойчивость атома с точки зрения принципа неопределенности.
- •15.Волновые свойства микрочастиц. Задание состояния микрочастиц. Волновая функция, ее смысл и свойства Корпускулярные и волновые свойства частиц. Принцип неопределенности
- •17 Простейшие квантовые модели – потенциальный порог, потенциальный барьер.
- •18. Туннельный эффект и его распространенность в природе. Химические реакции, автоэлектронная эмиссия. Механизм туннелирования с точки зрения принципа неопределенности.
- •23.Химическая связь.Межмолекулярное взаимодействие
- •30. Модель свободных электронов. Образование запрещенной зоны в сплошном энергетическом спектре свободных электронов под влиянием кристаллической решетки.
- •31. Уровень Ферми. Заполнение зон: металлы, диэлектрики и полупроводники.
- •32. Зонная структура различных материалов
- •33.Собственные и примесные полупроводники. P– и n-проводимость.
- •34. Понятие о p – n переходе. Вольтамперная характеристика.
- •35. Транзистор. Принцип работы, применения. Микроэлектроника, значение миниатюризации приборов.
- •37. Относительность пространства в теории относительности.
- •39 Динамика теории относительности. Масса и энергия
- •40 Стандартная модель элементарных частиц. Кварки, лептоны и кванты фундаментальных полей.
35. Транзистор. Принцип работы, применения. Микроэлектроника, значение миниатюризации приборов.
Транзистор - преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, предназначенный для усиления мощности электрического сигнала.
Наиболее распространенные - биполярные и полевые транзисторы.
Независимо от внутренней структуры транзистора его пластинку исходного полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область меньшего объема — эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема — коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный.
Ток в цепи эмиттер-коллектор возникнет, если концентрация неосновных носителей заряда гораздо меньше концентрации основных. В этом случае ток неосновных носителей настолько мал, что его можно не учитывать. Однако ток коллекторного перехода ЭК можно резко увеличить, повысив концентрацию неосновных носителей в базе, если их туда инжектировать (впрыснуть) из эмиттера. Для этого необходимо движение носителей зарядов через эмиттерный переход. Для начала инжекции зарядов нужно подключить положительный полюс к n-области базы (npn) и отрицательный - к p-области эмиттера.
При прохождении базы электроны могут разрываться, в следствие чего создается ток "эмиттер-база". С этой целью толщина базы делается меньше длины дрейфа носителей заряда за время жизни. Таким образом большая часть инжектированных носителей успевает достичь перехода "коллектор-база" и втягивается электрическим полем в коллектор. Через транзистор начинает течь ток.
Е
сли
напряжение с пары база-эмиттер снимается,
электроны перестают втягиваться в
область между коллектором и эмиттером,
проводящий канал разрушается и транзистор
перестает пропускать ток - "выключается".
Таким образом, транзистор может находиться
в двух состояниях - "включено" и
"выключено". Такое "двоичное"
поведение транзистора используется
при обработке информации в компьютере.
Движущихся частей в транзисторах нет, переключение из выключенного состояния во включенное и обратно происходит с помощью управляющего тока на эмиттере - электрических сигналов. Включение и выключение транзисторов лежит в основе работы процессоров.
Миниатюризация - направление в конструировании приборов, механизмов со значительным уменьшением габаритных размеров, массы и потребления энергии при одноврем. повышении их надёжности и степени автоматизации процессов проектирования и произ-ва. Осуществляется уменьшением размеров узлов и элементов устройств и повышением плотности их упаковки; сокращением числа и размеров межэлементных соединений, применением новых конструктивно-технологич. решений с целью уменьшения числа деталей и их габаритных размеров. Необходимость М. обусловлена расширением ф-ций и сферы применения электронных средств автоматизации произ-ва, вычислит. техники, радиотехники, измерит. техники, мед. аппаратуры и т. д., что связано с усложнением электронных устройств и увеличением числа составляющих их элементов.
36. Элементы теории относительности. Экспериментальные основы. Постулаты Эйнштейна.
Релятивистская механика изучает законы движения при скоростях, близких к скорости света. |
Специальная теория относительности (СТО) - теория, созданная Эйнштейном на основе двух постулатов. |
I постулат (принцип относительности Эйнштейна): никакими физическими опытами (механическими, электрическими, оптическими), произведенными в инерциальной системе отсчета, невозможно установить, покоится эта система или движется равномерно и прямолинейно => равноправность всех инерциальных систем. |
II постулат (принцип постоянства скорости света): скорость света в вакууме с одинакова во всех инерциальных системах отсчета по всем направлениям. Она не зависит от движения источника света и наблюдателя. |
Энергия покоя частицы |
E0 = m0c2 |
Закон взаимосвязи массы и энергии |
E = mc2 |
Длина в движущейся системе отсчета |
|
Время в движущейся системе отсчета |
|
Импульс в движущейся системе отсчета |
|
Релятивистский закон сложения скоростей |
|
Масса в движущейся системе отсчета |
|