
- •13.Волновая функция частицы, волны и микрообъекта. Соотношения неопределенностей, их смысл
- •14.Фундаментальность неопределенности. Устойчивость атома с точки зрения принципа неопределенности.
- •15.Волновые свойства микрочастиц. Задание состояния микрочастиц. Волновая функция, ее смысл и свойства Корпускулярные и волновые свойства частиц. Принцип неопределенности
- •17 Простейшие квантовые модели – потенциальный порог, потенциальный барьер.
- •18. Туннельный эффект и его распространенность в природе. Химические реакции, автоэлектронная эмиссия. Механизм туннелирования с точки зрения принципа неопределенности.
- •23.Химическая связь.Межмолекулярное взаимодействие
- •30. Модель свободных электронов. Образование запрещенной зоны в сплошном энергетическом спектре свободных электронов под влиянием кристаллической решетки.
- •31. Уровень Ферми. Заполнение зон: металлы, диэлектрики и полупроводники.
- •32. Зонная структура различных материалов
- •33.Собственные и примесные полупроводники. P– и n-проводимость.
- •34. Понятие о p – n переходе. Вольтамперная характеристика.
- •35. Транзистор. Принцип работы, применения. Микроэлектроника, значение миниатюризации приборов.
- •37. Относительность пространства в теории относительности.
- •39 Динамика теории относительности. Масса и энергия
- •40 Стандартная модель элементарных частиц. Кварки, лептоны и кванты фундаментальных полей.
34. Понятие о p – n переходе. Вольтамперная характеристика.
Часть этого вопроса включена в 33 вопрос
Электронные полупроводники (n-типа). Полупроводник n-типа
Т
ермин «n-тип» происходит
от слова «negative», обозначающего
отрицательный заряд основных носителей.
Этот вид полупроводников имеет примесную
природу. В четырёхвалентный полупроводник
(например, кремний)
добавляют примесь пятивалентного
полупроводника (например,мышьяка).
В процессе взаимодействия каждый атом
примеси вступает в ковалентную
связь с
атомами кремния. Однако для пятого
электрона атома мышьяка нет места в
насыщенных валентных связях, и он
переходит на дальнюю электронную
оболочку. Там для отрыва электрона от
атома нужно меньшее количество энергии.
Электрон отрывается и превращается в
свободный. В данном случае перенос
заряда осуществляется электроном, а не
дыркой, то есть данный вид полупроводников
проводит электрический ток подобно
металлам. Примеси, которые добавляют в
полупроводники, вследствие чего они
превращаются в полупроводники n-типа,
называются донорными.
Проводимость N-полупроводников приблизительно равна:
Дырочные полупроводники (р-типа). Полупроводник p-типа
Т
ермин «p-тип» происходит
от слова «positive», обозначающего
положительный заряд основных носителей.
Этот вид полупроводников, кроме примесной
основы, характеризуется дырочной
природой проводимости. В четырёхвалентный
полупроводник (например, в кремний)
добавляют небольшое количество атомов
трехвалентного элемента (например, индия).
Каждый атом примеси устанавливает
ковалентную связь с тремя соседними
атомами кремния. Для установки связи с
четвёртым атомом кремния у атома индия
нет валентного электрона, поэтому он
захватывает валентный электрон из
ковалентной связи между соседними
атомами кремния и становится отрицательно
заряженным ионом, вследствие чего
образуется дырка. Примеси, которые
добавляют в этом случае, называются акцепторными.
Проводимость p-полупроводников приблизительно равна:
Вольт-амперная
характеристика (ВАХ)
— график зависимости тока через двухполюсник от напряжения на
этом двухполюснике. Вольт-амперная
характеристика описывает поведение
двухполюсника на постоянном
токе.
Чаще всего рассматривают ВАХ нелинейных
элементов (степень нелинейности
определяется коэффициентом нелинейности
),
поскольку для линейных элементов
ВАХ представляет собой прямую линию и
не представляет особого интереса.
Характерные примеры элементов, обладающих существенно нелинейной ВАХ: диод, тиристор, стабилитрон.
Для трехполюсных элементов (таких, как транзистор, тиристор или ламповый триод) часто строят семейства кривых, являющимися ВАХ для двухполюсника при так или иначе заданных параметрах на третьем выводе элемента.
Необходимо отметить, что в реальной схеме, особенно работающей с относительно высокими частотами (близкими к границам рабочего частотного диапазона) для данного устройства реальная зависимость напряжения от времени может пробегать по траекториям, весьма далёким от «идеальной» ВАХ. Чаще всего это связано с ёмкостью или другими инерционными свойствами элемента.
Преобразования ВАХ
Полезно отметить некоторые свойства вольтамперных характеристик составных элементов (схем, состоящих из нескольких двухполюсников)
П
араллельное
соединение — при параллельном соединении
двух двухполюсников, при каждом значении
напряжения складываются токи, текущие
через них, а при последовательном — для
каждого значения тока складываются
напряжения на элементах.
Другой источник
Понятие вольтамперной характеристики, ВАХ
Вольтамперная характеристика, (ВАХ) - частный случай передаточных характеристик, определяющих зависимость (функцию) выходной величины от входной для данного конкретного устройства или схемы. Вольтамперная характеристика - это график зависимости тока через двухполюсник от напряжения на этом двухполюснике. Вольтамперная характеристика описывает поведение двухполюсника на постоянном токе. Чаще всего рассматривают ВАХ нелинейных элементов (степень нелинейности определяется коэффициентом нелинейности K = UdI / IdU), поскольку для линейных элементов ВАХ представляет собой прямую линию и не представляет особого интереса.
Характерные примеры элементов, обладающих существенно нелинейной ВАХ: диод, динистор, стабилитрон.
Р
ис.
Пример вольтамперной характеристики
диода
Для трехполюсных элементов (таких, как транзистор, тиристор или ламповый триод) часто строят семейства кривых, являющихся ВАХ для двухполюсника при так или иначе заданных параметрах на третьем выводе элемента.
Необходимо отметить, что в реальной схеме, особенно работающей с относительно высокими частотами (близкими к границам рабочего частотного диапазона) для данного устройства реальная зависимость напряжения от времени может пробегать по траекториям, весьма далеким от “идеальной” ВАХ. Чаще всего это связано с емкостью или другими инертными свойствами элемента, то есть вольтамперная характеристика зависит от частоты и иных параметров. Именно поэтому строят семейства (наборы) ВАХ для последовательного ряда значений того или иного параметра.