Тесты по "Электронике"

1. Выпрямительные диоды это

   1. полупроводниковые диоды, основным свойством которых является односторонняя проводимость и эффект выпрямления тока;

   2. диоды плоскостной конструкции;

   3. диоды, изготовленные из кремния;

   4. диоды, изготовленные из германия.

2. Преимуществом германиевых выпрямительных диодов перед кремниевыми является

   1. более высокое обратное напряжение;

   2. минимальный обратный ток;

   3. более высокая допустимая температура;

   4. небольшое падение напряжения на переходе при прямом включении.

3. Величина допустимого обратного напряжения на переходе кремниевых диодов составляет

   1. 100-400 В;

   2. 400-1000 В;

   3. 1000-1500 В;

   4. 1500-2000 В.

4. Падение напряжения на переходе у кремниевых выпрямительных диодов при прямом включении составляет

   1. 0,4 В;

   2. 1 В;

   3. 1,5 В;

   4. 2 В.

5. Допустимая температура на переходе кремниевых диодов составляет

   1. 50  С;

   2. 100  С;

   3. 150  С;

   4. 200  С.

6. Допустимая температура на переходе германиевых диодов составляет

   1. 50  С;

   2. 100  С;

   3. 150  С;

   4. 200  С.

7. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметры

   1. средний выпрямленный ток;

   2. материал, из которого изготовлен диод;

   3. плоскостная конструкция;

   4. способ охлаждения перехода.

8. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметрами

   1. среднее прямое напряжение ;

   2. плоскостная конструкция;

   3. способ охлаждения перехода;

   4. материал, из которого изготовлен диод.

9. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметрами

   1. материал, из которого изготовлен диод;

   2. способ охлаждения перехода;

   3. средний обратный ток ;

   4. плоскостная конструкция.

10. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметрами

    1. способ охлаждения перехода;

    2. максимально допустимое обратное напряжение ;

    3. материал, из которого изготовлен диод;

    4. плоскостная конструкция.

11. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризую параметрами

    1. максимально допустимая рассеиваемая мощность диода ;

    2. материал, из которого изготовлен диод;

    3. плоскостная конструкция;

    4. способ охлаждения перехода.

12. Высокочастотные диоды – это

    1. полупроводниковые диоды, работающие на частотах несколько десятков мегагерц и выше;

    2. диоды, имеющие точечную конструкцию;

    3. диоды, обладающие небольшой барьерной емкостью;

    4. диоды, имеющие малое время жизни неосновных носителей.

13. Емкость высокочастотных диодов составляет величину

    1. десятые доли пикофарад;

    2. единицы пикофарад;

    3. десятки пикофарад;

    4. сотни пикофарад.

14. Импульсные диоды – это

    1. диоды, отличающиеся высоким быстродействием;

    2. диоды, имеющие точечную конструкцию;

    3. диоды, изготовленные из германия;

    4. диоды, имеющие малую барьерную емкость.

15. Для оценки инерционных свойств импульсных диодов используются специфические параметры

    1. дифференциальные сопротивления;

    2. время восстановления обратного сопротивления ;

    3. максимальная рабочая температура;

    4. максимальное значение обратного напряжения.

16. Диоды с накоплением заряда (ДНЗ) обладают особенностью

    1. у них в базе создано тормозящее поле и происходит накопление у границы перехода неосновных носителей;

    2. у них малая площадь перехода;

    3. имеют малую барьерную емкость;

    4. имеют высокое допустимое обратное напряжение.

17. Диод Шоттки, применяемый в импульсных схемах, это

    1. диод, основой которого является выпрямляющий контакт металла с полупроводником;

    2. диод с малой площадью перехода;

    3. диод с малой барьерной емкостью;

    4. диод с низким обратным напряжением.

18. Импульсные диоды обладают специфическими параметрами

    1. время восстановления обратного сопротивления ;

    2. время жизни неосновных носителей;

    3. время пролета носителей через область базы.

19. Импульсные диоды обладают специфическими параметрами

    1. время жизни неосновных носителей;

    2. время пролета носителей через область базы;

    3. время рассасывания носителей .

20. Импульсные диоды обладают специфическими параметрами

    1. время пролета носителей через область базы;

    2. время установления прямого напряжения ;

    3. время жизни неосновных носителей.

21. Туннельный диод – это диод

    1. обладающий высокой концентрацией примесей (10¹⁸÷10¹⁹ );

    2. обладающий малой толщиной запирающего слоя;

    3. имеющий малую площадь перехода;

    4. имеющий малую барьерную емкость.

22. Что определяет отношение ?

    1. усилительные свойства туннельного диода;

    2. переключательные свойства туннельного диода;

    3. генераторные свойства туннельного диода.

23. Использование туннельного диода в качестве генератора объясняется

    1. наличием емкости p-n перехода;

    2. наличием отрицательного дифференциального сопротивления на участке характеристики;

    3. наличием малого постоянного сопротивления перехода.

24. Туннельные диоды обладают чрезвычайно малой инерционностью, так как

    1. имеют малую диффузионную емкость;

    2. перенос тока осуществляется основными носителями;

    3. имеют малую толщину p-n перехода;

    4. имеют малую площадь перехода.

25. Стабилитрон – это

    1. полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя;

    2. полупроводниковый диод, обладающий высокой концентрацией примесей;

    3. полупроводниковый диод, имеющий малое значение барьерной емкости;

    4. полупроводниковый диод, обладающий малым дифференциальным сопротивлением.

26. Стабилитроны изготавливаются из

    1. германия;

    2. арсенида галлия;

    3. кремния;

    4. кремния и германия.

27. Напряжение стабилизации стабилитрона зависит от

    1. концентрации примесей в областях диода;

    2. дифференциального сопротивления диода;

    3. емкости перехода.

28. Наименьшее напряжение стабилизации стабилитронов составляет

    1. десятые доли вольт;

    2. единицы вольт;

    3. десятки вольт;

    4. сотни вольт.

29. Максимальное напряжение стабилизации у кремниевого стабилитрона составляет

    1. единицы вольт;

    2. десятки вольт;

    3. сотни вольт;

    4. тысячи вольт.

30. Варикап – это

    1. полупроводниковый диод, напряжение стабилизации которого меняется в широких пределах;

    2. полупроводниковый диод, который используется для генерации и усиления электрических колебаний;

    3. полупроводниковый диод, барьерная емкость которого меняется в широких пределах при изменении приложенного напряжения.

31. В режиме обратного включения работают полупроводниковые диоды

    1. выпрямительные и варикапы;

    2. стабилитроны и варикапы;

    3. стабилитроны и детекторы;

    4. варикапы и туннельные.

32. Минимальная температура, при которой могут работать полупроводниковые приборы, составляет

    1. 0  С;

    2. –60  С;

    3. –100  С;

    4. –150  С.

33. Максимальная рабочая температура для германиевых полупроводниковых приборов составляет

    1. +50  С;

    2. +110  С;

    3. +150  С;

    4. +200  С.

34. Максимальная рабочая температура для кремниевых полупроводниковых приборов составляет

    1. +50  С;

    2. +100  С;

    3. +200  С;

    4. +300  С.

35. Величина напряжения стабилизации кремниевых стабилитронов определяется

    1. концентрацией примесей доноров и акцепторов;

    2. площадью перехода;

    3. шириной базовой области;

    4. шириной области эмиттера.

36. После прекращения воздействия p-n переход восстанавливает свои свойства

    1. при тепловом пробое;

    2. при электрическом туннельном и лавинном пробое;

    3. при электрическом и тепловом пробое;

    4. в любом случае.

37. При одинаково высокой концентрации акцепторной и донорной примесей в полупроводнике он превращается в

    1. диэлектрик;

    2. проводник;

    3. линейный полупроводниковый резистор.

38. Какая емкость перехода (барьерная или диффузионная) имеет большую величину

    1. барьерная емкость;

    2. диффузионная емкость;

    3. емкости имеют одинаковую величину.

39. Какова должна быть толщина базы полупроводникового прибора по сравнению с диффузионной длиной неосновных носителей?

    1. толщина базы меньше диффузионной длины;

    2. толщина базы больше диффузионной длины;

    3. толщина базы равна диффузионной длине.

40. Диод Шоттки – это

    1. полупроводниковый диод с выпрямляющим контактом металл-полупроводник;

    2. диод с накоплением заряда;

    3. обычный полупроводниковый диод с малой барьерной емкостью;

    4. туннельный диод.

41. Транзистором биполярным называется

    1. полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда;

    2. трехслойный полупроводниковый прибор с двумя выводами;

    3. структура p-n-p-n;

    4. структура n-p-n-p.

42. Бездрейфовые транзисторы – это

    1. биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в области базы;

    2. биполярные транзисторы с равномерным распределением примесей в области базы и отсутствием электрического поля в области базы;

    3. биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области эмиттера;

    4. биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области коллектора.