V2: Приёмники оптического излучения
I: К=А
S: Фоторезистор – это
-: фотоэлектрический источник радиоволн
+: фотоэлектрический приемник видимого излучения
-: фотоэлектрический приемник рентгеновского излучения
-: фотоэлектрический источник видимого излучения
I: К=В
S: Электросопротивление фоторезисторов с ростом температуры уменьшается
-: линейно
+: экспоненциально
-: по степенному закону
-: по логарифмическому закону
I: К=В
S: Вольт-амперные характеристики фоторезисторов в широком диапазоне напряжений представляют собой … зависимость
+: линейную
-: экспоненциальную
-: логарифмическую
-: степенную
I: К=С
S: Оптимальная толщина фоточувствительного слоя фоторезистора численно близка к
-: величине коэффициента поглощения
+: обратной величине коэффициента поглощения
-: обратной величине коэффициента отражения
-: величине коэффициента отражения
I: К=А
S: Темновым током фоторезистора называется
-: ток, протекающий через фоторезистор при незначительном освещении
+: ток, протекающий через неосвещенный фоторезистор
-: максимально допустимый ток для фоторезистора
-: ток, протекающий через фоторезистор при приложении максимально допустимого напряжения
I: К=А
S: Достоинством фоторезисторов является
-: наличие темнового тока
+: широкий диапазон номиналов сопротивлений
-: инерционность
-: температурная зависимость
I: К=А
S: К достоинствам фоторезисторов можно отнести
-: наличие темнового тока
+: возможность изготовления светочувствительных элементов сложной конфигурации
-: инерционность
-: наличие температурной зависимости
I: К=А
S: Достоинством фоторезисторов можно считать
-: наличие темнового тока
+: относительную простоту и дешевизну изготовления
-: инерционность
-: температурная зависимость
I: К=А
S: К основным недостаткам фоторезисторов относится
-: сложность изготовления
+: температурная нестабильность параметров
-: невозможность изготовления светочувствительных элементов сложной конфигурации
-: узкий диапазон номиналов сопротивлений
I: К=В
S: Одним из недостатков фоторезисторов является
-: сложность изготовления
+: значительная инерционность
-: невозможность изготовления светочувствительных элементов сложной конфигурации
-: узкий диапазон номиналов сопротивлений
I: К=В
S: Недостатком фоторезисторов является
-: сложность изготовления
+: нестабильность параметров во времени
-: невозможность изготовления светочувствительных элементов сложной конфигурации
-: узкий диапазон номиналов сопротивлений
I: К=А
S: Оптрон – это
-: устройство усиления оптических сигналов
+: устройство гальванической развязки электрических схем
-: устройство индикации
-: устройство хранения информации
I: К=А
S: Фотодиод – это
-: источник оптического излучения, который преобразует электрический ток в световое излучение за счёт процессов в p-n переходе
+: приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов в p-n переходе
-: приёмник оптического излучения, который усиливает фототок за счёт процессов в p-n переходе
-: приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет во вторичное световое излучение за счёт процессов в p-n переходе
I: К=В
S: Фотодиод – это n-p переход,
-: на который подано прямое напряжение и ток через структуру является функцией интенсивности освещения
+: на который подано обратное напряжение и ток через структуру является функцией интенсивности освещения
-: на который подано прямое напряжение и ток через структуру не зависит от интенсивности освещения
-: на который подано обратное напряжение и ток через структуру не зависит от интенсивности освещения
I: К=В
S: В p-i-n фотодиоде высокоомной областью является
-: р - область
+: i - слой
-: n - область
-: р - область и n - область одновременно
I: К=В
S: В p-i-n фотодиоде поглощение светового потока происходит преимущественно в
-: р - области
+: i - слое
-: n - области
-: р - области и n - области одновременно
I: К=В
S: У фотодиодов зависимость тока от интенсивности освещения близка к
-: экспоненциальной
+: линейной
-: логарифмической
-: степенной
I: К=С
S: Лавинный фотодиод – это
-: источник оптического излучения, который преобразует электрический ток в световое излучение за счёт процессов в p-n переходе
-: приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов в p-n переходе
+: приёмник оптического излучения, который усиливает фототок за счёт процессов в p-n переходе
-: приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет во вторичное световое излучение за счёт процессов в p-n переходе
I: К=В
S: Недостатком лавинных фотодиодов является
-: высокое питающее напряжение
+: сильная зависимость коэффициента усиления от температуры
-: высокая стоимость
-: сложность изготовления
I: К=А
S: Спектральной чувствительностью оптических датчиков называется зависимость чувствительности прибора от
-: интенсивности освещения
+: длины волны
-: длительности освещения
-: температуры
I: К=В
S: Пороговая чувствительность оптического датчика - это
-: максимально возможное отношение уровня выходного сигнала к уровню шума
+: предельно допустимое отношение уровня выходного сигнала к уровню шума
-: минимально возможное отношение уровня шума к уровню выходного сигнала
-: предельно допустимое отношение уровня шума к уровню выходного сигнала
I: К=А
S: Фототранзистор представляет собой
-: два фотодиода, включенных последовательно
+: вариант биполярного транзистора
-: три фотодиода, включенных звездой
-: три фотодиода, включенных треугольником
I: К=В
S: В фототранзисторе облучается
-: область эмиттера
+: область базы
-: область коллектора
-: область истока
I: К=В
S: Фототранзистор может иметь структуру
-: n-n-p
+: n-p-n
-: p-p-n
-: n-n-n
-: p-p-p
I: К=В
S: Фототранзистор может иметь структуру
-: n-p-n-p
+: p-n-p
-: p-n-n-n
-: p-p-p-n
I: К=А
S: Может ли фототранзистор работать в качестве обычного биполярного транзистора?
-: не может
+: может
-: может только при наличии освещения
-: может только при подаче повышенного напряжения питания
I: К=А
S: Недостатком фототранзисторов является
-: большой габаритный размер
+: большая инерционность
-: очень высокая стоимость
-: маленький срок службы
I: К=А
S: Чувствительность фототранзисторов по сравнению с фотодиодами
-: ниже
+: выше
-: примерно одинакова
-: зависит от марки прибора
I: К=А
S: Ток коллектора фототранзистора
-: равен фототоку
+: существенно превышает фототок
-: существенно ниже фототока
-: не зависит от фототока
I: К=А
S: Фототиристор представляет собой
-: два фототранзистора, включенных последовательно
+: структуру, аналогичную обычному тиристору
-: три фотодиода, включенных звездой
-: три фотодиода, включенных треугольником
I: К=А
S: Фототиристор включается
-: при одновременной подаче управляющего напряжения и освещения
+: светом, падающим на тиристорную структуру
-: управляющим напряжением
-: подачей питающего напряжения
I: К=В
S: Оптотиристор – это
-: фототранзистор, размещенный в одном светонепроницаемом корпусе с тиристорной структурой
+: светодиод, размещенный в одном светонепроницаемом корпусе с тиристорной структурой
-: фототиристор, размещенный в одном светонепроницаемом корпусе с тиристорной структурой
-: светодиод, размещенный в одном светонепроницаемом корпусе с фототранзистором
I: К=В
S: Фототиристор может иметь структуру
+: n-p-n-p
-: p-n-p
-: p-n-n-n
-: p-p-p-n
I: К=А
S: Оптрон представляет собой
-: комбинацию фотоприемников, связанных оптическим каналом и размещенных в общем корпусе
+: излучатель света и фотоприёмник, связанные оптическим каналом и размещенные в общем корпусе
-: комбинацию излучателей света, связанных оптическим каналом и размещенных в общем корпусе
-: источников когерентного электромагнитного излучения, связанных оптическим каналом и размещенных в общем корпусе
I: К=А
S: В оптроне осуществляется
-: преобразование светового излучения в электрический сигнал, его передача по каналу связи и последующее преобразовании обратно в световое излучение
+: преобразование электрического сигнала в световое излучение, его передача по оптическому каналу и последующее преобразовании обратно в электрический сигнал
-: преобразование электрического сигнала в световое излучение и его передача по оптическому каналу
-: преобразование светового излучения электрический сигнал и его передача по каналу связи
I: К=А
S: Оптрон не может состоять из
-: фотодиода и светодиода
+: двух светодиодов
-: светодиода и фототранзистора
-: фоторезистора и светодиода
I: К=А
S: В оптронах не используется
-: лампа накаливания
+: дроссель
-: фототиристор
-: полевой фототранзистор
I: К=А
S: Оптопара используется, как правило, для
-: коммутации электрических цепей
+: передачи информации
-: усиления оптических сигналов
-: коммутации оптических сигналов
I: К=А
S: Оптореле используется, как правило, для
+: коммутации электрических цепей
-: передачи информации
-: усиления оптических сигналов
-: коммутации оптических сигналов
I: К=А
S: Оптроны не используются для
-: гальванической развязки цепей
-: передачи сигнала без передачи напряжения
+: фазовой модуляции сигналов
-: бесконтактного управления
I: К=В
S: Оптрон не может использоваться
-: в цепях постоянного тока
-: в качестве частотного фильтра
+: в резонансном режиме
-: в импульсных схемах
I: К=А
S: Фототиристор работает в … режиме
-: усилительном
+: ключевом
-: импульсном
-: резонансном
I: К=В
S: Фотоэффект – это
-: испускание фотонов веществом под действием электромагнитного излучения
+: испускание электронов веществом под действием электромагнитного излучения
-: испускание ионов веществом под действием электромагнитного излучения
-: испускание протонов веществом под действием электромагнитного излучения
I: К=А
S: Зависимость количества электронов, выбиваемых светом с поверхности металла от интенсивности освещения является
-: экспоненциальной
+: линейной
-: логарифмической
-: степенной
I: К=В
S: Максимальная кинетическая энергия вырываемых светом электронов зависит от
-: интенсивности освещения
+: частоты светового излучения
-: угла между направлением светового потока и нормалью к освещаемой поверхности
-: цвета освещаемой поверхности
I: К=В
S: Зависимость максимальной кинетической энергии вырываемых светом электронов от частоты света является
-: экспоненциальной
+: линейной
-: логарифмической
-: степенной
I: К=С
S: Существует … возможен фотоэффект
-: фиксированный диапазон частот электромагнитного излучения, для которого
+: минимальная частота электромагнитного излучения, для которой
-: дискретный набор частот электромагнитного излучения, для которых
-: минимальная плотность потока фотонов, для которой
I: К=В
S: Внутренний фотоэффект - это
-: перераспределение ионов по энергетическим состояниям в веществе, происходящее под действием электромагнитных излучений
+: перераспределение электронов по энергетическим состояниям в веществе, происходящее под действием электромагнитных излучений
-: перераспределение протонов по энергетическим состояниям в веществе, происходящее под действием электромагнитных излучений
-: перераспределение нейтронов по энергетическим состояниям в веществе, происходящее под действием электромагнитных излучений
I: К=В
S: Внутренний фотоэффект не наблюдается в
-: твердых полупроводниках
+: твердых проводниках
-: твердых диэлектриках
-: жидких полупроводниках
-: жидких диэлектриках
I: К=А
S: Фотопроводимостью называется … электрической проводимости вещества под действием электромагнитного излучения
-: появление
+: увеличение
-: уменьшение
-: исчезновение
I: К=А
S: Фотоэлемент — электронный прибор, который преобразует
-: энергию фотонов во внутреннюю энергию
+: энергию фотонов в электрическую энергию
-: энергию фотонов в кинетическую энергию
-: энергию фотонов в потенциальную энергию
I: К=А
S: Солнечная батарея – это бытовой термин, обозначающий
-: полупроводниковый фотоэлемент, преобразующий солнечную энергию в электрический ток
+: группу полупроводниковых фотоэлементов, прямо преобразующих солнечную энергию в постоянный электрический ток
-: группу полупроводниковых фотоэлементов, прямо преобразующих солнечную энергию в переменный электрический ток
-: группу полупроводниковых фотоэлементов, прямо преобразующих солнечную энергию в импульсный электрический ток
I: К=В
S: При повышении температуры производительность фотоэлементов
-: возрастает
+: снижается
-: остается неизменной
-: изменяется немонотонно
I: К=В
S: Пироэлектрический эффект – это явление
-: возникновения магнитного поля в кристаллах при изменении их температуры
+: возникновения электрического поля в кристаллах при изменении их температуры
-: возникновения магнитного поля в аморфных веществах при изменении их температуры
-: возникновения электрического поля в аморфных веществах при изменении их температуры
I: К=А
S: Показатель преломления среды – это отношение
-: скоростей распространения электромагнитных волн в данной среде и в вакууме
+: скоростей распространения электромагнитных волн в вакууме и в данной среде
-: амплитуд электромагнитных колебаний в данной среде и в вакууме
-: амплитуд электромагнитных колебаний в вакууме и в данной среде
I: К=В
S: Показатель преломления вещества зависит от
-: амплитуды электромагнитных колебаний
+: длины волны электромагнитного излучения
-: мощности электромагнитного излучения
-: угла между направлением распространения электромагнитного излучения и нормалью к облучаемой поверхности
I: К=С
S: Электрооптический Эффект Поккельса - это явление
+: возникновения двойного лучепреломления в оптических средах при наложении постоянного или переменного электрического поля
-: вращения плоскости поляризации света при распространении линейно поляризованного света через оптически неактивное вещество, находящееся в магнитном поле
-: расщепления линий атомных спектров в магнитном поле
-: изменения значения показателя преломления оптического материала пропорционально второй степени напряженности приложенного электрического поля
I: К=С
S: Эффект Фарадея – это явление
-: возникновения двойного лучепреломления в оптических средах при наложении постоянного или переменного электрического поля
+: вращения плоскости поляризации света при распространении линейно поляризованного света через оптически неактивное вещество, находящееся в магнитном поле
-: расщепления линий атомных спектров в магнитном поле
-: изменения значения показателя преломления оптического материала пропорционально второй степени напряженности приложенного электрического поля
I: К=С
S: Эффект Зеемана – это явление
-: возникновения двойного лучепреломления в оптических средах при наложении постоянного или переменного электрического поля
-: вращения плоскости поляризации света при распространении линейно поляризованного света через оптически неактивное вещество, находящееся в магнитном поле
+: расщепления линий атомных спектров в магнитном поле
-: изменения значения показателя преломления оптического материала пропорционально второй степени напряженности приложенного электрического поля
I: К=С
S: Эффект Керра – это явление
-: возникновения двойного лучепреломления в оптических средах при наложении постоянного или переменного электрического поля
-: вращения плоскости поляризации света при распространении линейно поляризованного света через оптически неактивное вещество, находящееся в магнитном поле
-: расщепления линий атомных спектров в магнитном поле
+: изменения значения показателя преломления оптического материала пропорционально второй степени напряженности приложенного электрического поля
I: К=В
S: По структуре жидкие кристаллы представляют собой
-: кристаллы, образованные молекулами вытянутой или дискообразной формы
+: вязкие жидкости, состоящие из молекул вытянутой или дискообразной формы
-: твердые вещества, состоящие из молекул вытянутой или дискообразной формы
-: текучие жидкости, состоящие из молекул вытянутой или дискообразной формы
I: К=В
S: Наиболее характерным свойством жидких кристаллов является их способность
-: изменять ориентацию молекул под воздействием магнитных полей
+: изменять ориентацию молекул под воздействием электрических полей
-: изменять размеры молекул под воздействием электрических полей
-: изменять размеры молекул под воздействием магнитных полей
I: К=В
S: Наиболее важной особенностью жидких кристаллов с точки зрения оптоэлектроники является
-: оптическая и электрическая изотропия
+: оптическая и электрическая анизотропия
-: анизотропия механических характеристик
-: изотропия механических характеристик
I: К=В
S: Использование жидких кристаллов в качестве индикаторов основано на их способности
-: генерировать световое излучение под действием электрического поля
+: модулировать световой поток при изменении оптических свойств
-: изменять длину волны собственного светового излучения под действием электрического поля
-: изменять интенсивность собственного светового излучения под действием электрического поля
I: К=А
S: Недостатком жидкокристаллических индикаторов является
-: высокое питающее напряжение
+: низкое быстродействие
-: высокая стоимость
-: сложность управляющих схем
I: К=В
S: Жидкокристаллические индикаторы работают на … токе
-: постоянном
+: переменном
-: знакопостоянном импульсном
-: знакопеременном импульсном
I: К=А
S: К достоинствам жидкокристаллических индикаторов относится
-: высокая контрастность изображения
-: высокое быстродействие
+: низкая потребляемая мощность
-: широкий диапазон рабочих температур
I: К=В
S: Жидкокристаллические индикаторы работают с … световым излучением
-: монохроматическим
+: поляризованным
-: когерентным
-: неполяризованным
I: К=В
S: Принцип действия электрохромных индикаторов основан на изменении
-: коэффициента отражения вещества при пропускании через него электрического тока
+: окраски вещества при пропускании через него электрического тока
-: коэффициента поглощения вещества при пропускании через него электрического тока
-: степени прозрачности вещества при пропускании через него электрического тока
V1: Элементы передачи, преобразования и обработки оптического излучения
V2: Оптическое волокно
I: К=В
S: В оптоэлектронике используется диапазон волн электромагнитного излучения, включающий
-: только видимую область спектра
-: видимую и инфракрасную области спектра
-: видимую и ультрафиолетовую области спектра
+: видимую, ультрафиолетовую и инфракрасную области спектра
I: К=А
S: Какой из приборов не является оптоэлектронным?
-: светодиод
-: фоторезистор
+: симистор
-: оптрон
-: оптоволоконная линия
I: К=А
S: Оптоволокно – это нить из … материала
-: электропроводящего
-: полупроводникового
+: оптически прозрачного
-: отражающего
I: К=С
S: Оптоволокно представляет собой
-: канал из вещества с низким показателем преломления, окруженный веществом с высоким показателем преломления
+: канал из вещества с высоким показателем преломления, окруженный веществом с низким показателем преломления
-: канал из вещества с высоким показателем преломления, окруженный веществом с высоким показателем преломления
-: канал из вещества с низким показателем преломления, окруженный веществом с низким показателем преломления
I: К=А
S: Волоконно-оптическая связь - это
-: вид беспроводной электросвязи, использующий в качестве носителя информационного сигнала электромагнитное излучение оптического диапазона
-: вид проводной электросвязи, использующий в качестве носителя информационного сигнала электромагнитное излучение оптического диапазона, а в качестве направляющих систем – проволочные кабели
+: вид проводной электросвязи, использующий в качестве носителя информационного сигнала электромагнитное излучение оптического диапазона, а в качестве направляющих систем – волоконно-оптические кабели
-: вид беспроводной электросвязи, использующий в качестве носителя информационного сигнала электромагнитное излучение ультрафиолетового диапазона, а в качестве направляющих систем – волоконно-оптические кабели
I: К=В
S: В основе волоконно-оптической связи лежит явление
-: частичного внутреннего отражения электромагнитных волн на границе раздела диэлектриков с разными показателями преломления
+: полного внутреннего отражения электромагнитных волн на границе раздела диэлектриков с разными показателями преломления
-: частичного внутреннего отражения электромагнитных волн на границе раздела полупроводников с разными показателями преломления
-: полного внутреннего отражения электромагнитных волн на границе раздела полупроводников с разными показателями преломления
I: К=В
S: Волоконно-оптическая связь не используется
-: в системах шифровки данных
+: в оптических дисководах
-: в системах телефонной связи
-: межконтинентальных линиях связи
I: К=А
S: Достоинством волоконно-оптической связи является
-: низкая стоимость коммуникационного оборудования
+: отсутствие влияния электромагнитных помех
-: простота конструкции
-: возможность использования беспроводных линий
I: К=А
S: Достоинством волоконно-оптической связи является
-: низкая стоимость коммуникационного оборудования
+: влагостойкость и коррозионностойкость
-: использование лазерного излучения
-: использование модуляторов лазерного излучения
I: К=А
S: Скорость передачи информации в системе волоконно-оптической связи по сравнению с системами радиосвязи
-: существенно ниже
-: ниже
-: примерно одинакова
+: существенно выше
-: немного выше